本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 富士通マイクロエレクトロニクス DS04–27239–1a DATA SHEET ASSP 電源用 ( 汎用 DC/DC コンバータ ) 3 ch DC/DC コンバータ IC MB39A112 ■ 概 要 MB39A112 は , パルス幅変調方式 (PWM 方式 ) の 3 ch DC/DC コンバータ IC で , ダウンコンバージョンに適しています。 TSSOP-20P パッケージに 3 ch を内蔵し , チャネルごとにコントロール , ソフトスタートが可能です。 出力部用 定電圧バイアス回路を内蔵しており高周波で高効率な DC/DC コンバータが実現でき , ADSL モデムなどの内 蔵電源に最適です。 ■ 特 長 ・ 降圧方式に対応 (CH1 ～ CH3) ・ 電源電圧範囲 ・ 誤差増幅器スレッショルド電圧 ：7 V ～ 25 V ：1.00 V ± 1％ (CH1) ：1.23 V ± 1％ (CH2, CH3) ：250 kHz ～ 2.6 MHz ・ 発振周波数範囲 ・ 負荷依存のないソフトスタート回路内蔵 ・ タイマ・ラッチ式短絡保護回路内蔵 ・ Pch MOS FET 対応トーテムポール形式出力段内蔵 ・ 出力部用定電圧 (VCCO － 5 V) バイアス回路内蔵 ■ パッケージ プラスチック・TSSOP, 20 ピン (FPT-20P-M06) Copyright©2003-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved 2003.11 MB39A112 ■ 端子配列図 (TOP VIEW) CS1 : 1 20 : VCCO −INE1 : 2 19 : OUT1 FB1 : 3 18 : OUT2 VCC : 4 17 : OUT3 RT : 5 16 : VH CT : 6 15 : GNDO GND : 7 14 : CSCP FB2 : 8 13 : FB3 −INE2 : 9 12 : −INE3 CS2 : 10 11 : CS3 (FPT-20P-M06) 2 MB39A112 ■ 端子機能説明 端子番号 端子記号 I/O 機 能 説 明 1 CS1 2 － INE1 I CH1・誤差増幅器反転入力端子です。 3 FB1 O CH1・誤差増幅器出力端子です。 4 VCC 制御回路 電源端子です。 5 RT 三角波発振周波数設定用抵抗接続端子です。 6 CT 三角波発振周波数設定用容量接続端子です。 7 GND 接地端子です。 8 FB2 O CH2・誤差増幅器出力端子です。 9 － INE2 I CH2・誤差増幅器反転入力端子です。 10 CS2 CH2・ソフトスタート用コンデンサ接続端子です。 11 CS3 CH3・ソフトスタート用コンデンサ接続端子です。 12 － INE3 I CH3・誤差増幅器反転入力端子です。 13 FB3 O CH3・誤差増幅器出力端子です。 14 CSCP タイマ・ラッチ式短絡保護用コンデンサ接続端子です。 15 GNDO 接地端子です。 16 VH O ドライブ出力回路用電源端子です。(VH ＝ VCCO － 5 V) 17 OUT3 O CH3・外付け Pch MOS FET ゲート駆動端子です。 18 OUT2 O CH2・外付け Pch MOS FET ゲート駆動端子です。 19 OUT1 O CH1・外付け Pch MOS FET ゲート駆動端子です。 20 VCCO ドライブ出力回路用電源端子です。(VCC 端子と同電位に接続 ) CH1・ソフトスタート用コンデンサ接続端子です。 3 MB39A112 ■ ブロックダイヤグラム スレッショルド電圧 1.0 V ± 1％ −INE1 2 CH1 VREF 10 µA − + + CS1 1 L 優先 Error Amp1 + 20 VCCO PWM Comp.1 Drive1 19 OUT1 Pch − 1.0 V FB1 3 IO = 150 mA スレッショルド電圧 1.23 V ± 1％ −INE2 9 CH2 VREF 10 µA − + + CS2 10 L 優先 Error Amp2 + PWM Comp.2 Drive2 − 18 OUT2 Pch 1.23 V FB2 8 IO = 150 mA スレッショルド電圧 1.23 V ± 1％ −INE3 12 CH3 VREF 10 µA − + + CS3 11 Error Amp3 + PWM Comp.3 Drive3 17 OUT3 Pch − 1.23 V L 優先 FB3 13 IO = 150 mA H 優先 SCP Comp. VCCO − 5 V + + + − 16 VH Bias Voltage VH 2.7 V 15 GNDO SCP Error Amp 電源 SCP Comp. 電源 H：SCP 時 CSCP 14 4 VCC 2.5 V H：UVLO 解除 2.0 V bias 3.5 V OSC UVLO Error Amp 基準 1.0 V/1.23 V VREF VR GND 5 RT 4 6 CT 7 GND Power ON/OFF CTL MB39A112 ■ 絶対最大定格 項 目 記号 条 件 定 格 値 単位 最小 最大 VCC, VCCO 端子 28 V 電源電圧 Vcc 出力電流 Io OUT1, OUT2, OUT3 端子 20 mA ピーク出力電流 IOP Duty ≦ 5％ (t ＝ 1/fosc × Duty) 400 mA 許容損失 PD Ta ≦＋ 25 °C 1280 ＊ mW 保存温度 TSTG － 55 ＋ 125 °C ＊：10 cm 角の両面エポキシ基板に実装時 ＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ ります。 したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。 ■ 推奨動作条件 項 目 記号 条 件 規 格 値 最小 標準 最大 単位 電源電圧 Vcc VCC, VCCO 端子 7 12 25 V 入力電圧 VIN － INE 端子 0 - Vcc － 1.8 V IO OUT1, OUT2, OUT3 端子 － 15 15 mA IVH VH 端子 0 30 mA 出力電流 fosc 250 1200 2600 kHz タイミング容量 CT 22 100 1000 pF タイミング抵抗 RT 4.7 10 22 kΩ VH 端子容量 CVH VH 端子 - 0.1 1.0 µF ソフトスタート容量 CS CS1, CS2, CS3 端子 0.1 1.0 µF CSCP 端子 0.01 1.0 µF － 30 ＋ 25 ＋ 85 °C 発振周波数 ショート検出容量 動作温度 CSCP Ta ＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。 電気的特性の規格値は , すべてこの条 件の範囲内で保証されます。 常に推奨動作条件下で使用してください。 この条件を超えて使用すると , 信頼 性に悪影響を及ぼすことがあります。 データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。 記載され ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に当社営業担当部門までご相談ください。 5 MB39A112 ■ 電気的特性 (VCC ＝ VCCO ＝ 12 V, Ta ＝＋ 25 °C) 記号 測定 端子 スレッショルド電圧 VTH 4 ヒステリシス幅 VHYS 4 スレッショルド電圧 VTH 入力ソース電流 項 目 条 件 規 格 値 単位 最小 標準 最大 6.35 6.55 6.75 V 0.15 V 14 0.67 0.72 0.77 V ICSCP 14 － 1.4 － 1.0 － 0.6 µA リセット電圧 VRST 4 6.2 6.4 6.6 V 三角波発振器部 [OSC] 発振周波数 fosc 17 ～ 19 1080 1200 1320 kHz ソフトスタート部 [CS1, CS2, CS3] 充電電流 ICS 1, 10, 11 － 14 － 10 －6 µA スレッショルド電圧 VTH 2 FB1 ＝ 2.25 V 0.99 1.00 1.01 V 入力バイアス電流 IB 2 － INE1 ＝ 0 V － 250 － 63 nA 電圧利得 AV 3 DC 60 100 dB BW 3 AV ＝ 0dB MHz VOH 3 3.2 3.4 V VOL 3 40 200 mV 出力ソース電流 ISOURCE 3 FB1 ＝ 2.25 V －2 －1 mA 出力シンク電流 ISINK 3 FB1 ＝ 2.25 V 150 250 µA スレッショルド電圧 VTH 9, 12 FB2 ＝ FB3 ＝ 2.25 V 1.218 1.230 1.242 V IB 9, 12 － INE2 ＝－ INE3 ＝0V － 250 － 63 nA 電圧利得 AV 8, 13 DC 60 100 dB 周波数帯域幅 BW 8, 13 AV ＝ 0 dB 1.5 ＊ MHz VOH 8, 13 3.2 3.4 V VOL 8, 13 40 200 mV 出力ソース電流 ISOURCE 8, 13 FB2 ＝ FB3 ＝ 2.25 V －2 －1 mA 出力シンク電流 ISINK 8, 13 FB2 ＝ FB3 ＝ 2.25 V 150 250 µA VT0 17 ～ 19 デューティサイクル ＝ 0％ 1.9 2.0 V VT100 17 ～ 19 デューティサイクル ＝ 100％ 2.5 2.6 V VH 16 低 VCC 時誤動作 防止回路部 [UVLO] 短絡保護回路部 [SCP] 誤差増幅器部 (CH1) [Error Amp1] 周波数帯域幅 出力電圧 入力バイアス電流 誤差増幅器部 (CH2, CH3) [Error Amp2, 3] 出力電圧 PWM 比較器部 [PWM Comp.] スレッショルド電圧 バイアス電圧部 [VH] 出力電圧 出力ソース電流 出力部 [Drive] 出力シンク電流 ＊：標準設計値 6 電源電流 VCC ＝ CT ＝ 100 pF, RT ＝ 10 kΩ 1.5 ＊ VCCO － VCCO － VCCO － 5.5 5.0 4.5 V Duty ≦ 5％ ISOURCE 17 ～ 19 OUT1 ＝ OUT2 ＝ OUT3 ＝ 7 V － 150* mA ISINK Duty ≦ 5％ 17 ～ 19 OUT1 ＝ OUT2 ＝ OUT3 ＝ 12 V 150* mA ROH 17 ～ 19 OUT1 ＝ OUT2 ＝ OUT3 ＝－ 15 mA 13 19.5 Ω ROL 17 ～ 19 OUT1 ＝ OUT2 ＝ OUT3 ＝ 15 mA 10 15 Ω ICC 4 6 9 mA 出力オン抵抗 全デバイス VCC ＝ MB39A112 ■ 標準特性 電源電流－電源電圧特性 Ta = +25 °C RT = OPEN 8 6 4 2 0 0 5 10 15 20 25 電源電圧 VCC (V) 誤差増幅器 (ERR2, ERR3) スレッショルド電圧－周囲温度特性 2.0 VCC = 12 V FB1 = 0 mA 1.5 1.0 0.5 0.0 −0.5 −1.0 −1.5 −2.0 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度 Ta ( °C) スレッショルド電圧 ∆VTH (％) スレッショルド電圧 ∆VTH (％) 誤差増幅器 (ERR1) スレッショルド電圧－周囲温度特性 三角波発振周波数－タイミング抵抗特性 Ta = +25 °C VCC = 12 V CT = 22 pF 1000 CT = 100 pF CT = 1000 pF CT = 390 pF 100 10 1 10 100 タイミング抵抗 RT (kΩ) 1000 2.0 VCC = 12 V FB2(3) = 0 mA 1.5 1.0 0.5 0.0 −0.5 −1.0 −1.5 −2.0 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度 Ta ( °C) 三角波発振周波数－タイミング容量特性 10000 三角波発振周波数 fosc (kHz) 10000 三角波発振周波数 fosc (kHz) 電源電流 ICC (mA) 10 Ta = +25 °C VCC = 12 V 1000 RT = 4.7 kΩ RT = 22 kΩ 100 10 10 100 RT = 10 kΩ 1000 10000 タイミング容量 CT (pF) （続く） 7 MB39A112 2.8 Ta = +25 °C VCC = 12 V CT = 100 pF 2.6 上限 2.4 2.2 下限 2.0 1.8 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 三角波上限下限電圧－周囲温度特性 三角波上限下限電圧 VCT (V) 三角波上限下限電圧 VCT (V) 三角波上限下限電圧－三角波発振周波数特性 2.8 2.6 VCC = 12 V RT = 10 kΩ CT = 100 pF 2.2 下限 2.0 1.8 −40 −20 三角波発振周波数 fosc (kHz) 1300 1250 1200 1150 1100 1050 1000 −40 −20 0 20 40 60 周囲温度 Ta ( °C) 80 20 40 60 80 100 100 三角波発振周波数－電源電圧特性 三角波発振周波数 fosc (kHz) 三角波発振周波数 fosc (kHz) VCC = 12 V RT = 10 kΩ CT = 100 pF 1350 0 周囲温度 Ta ( °C) 三角波発振周波数－周囲温度特性 1400 上限 2.4 1400 Ta = +25 °C RT = 10 kΩ CT = 100 pF 1350 1300 1250 1200 1150 1100 1050 1000 0 5 10 15 20 25 30 電源電圧 VCC (V) （続く） 8 MB39A112 （続き） 誤差増幅器 (CH1) 利得 , 位相－周波数特性 40 AV 30 Ta = +25 °C VCC = 12 V 240 kΩ ϕ 10 kΩ 1 µF + 位相 ϕ (deg) 90 20 利得 AV (dB) 180 10 0 0 −10 IN 10 kΩ −90 −20 2 − 1 + + 2.4 kΩ 3.5 V 3 OUT Error Amp1 1.0 V −30 −180 −40 100 1k 10 k 100 k 1M 10 M 周波数 f (Hz) 誤差増幅器 (CH2, CH3) 利得 , 位相－周波数特性 40 AV 30 Ta = +25 °C VCC = 12 V 240 kΩ ϕ 10 kΩ 1 µF + 位相 ϕ (deg) 90 20 10 0 0 −10 IN 10 kΩ −90 −20 9 2.4 kΩ (12) 10 (11) 3.5 V − + + 1.23 V 8 OUT (13) Error Amp2 (Error Amp3) −30 −180 −40 100 1k 10 k 100 k 1M 10 M 周波数 f (Hz) 最大許容損失－周囲温度特性 最大許容損失 PD (mW) 利得 AV (dB) 180 1400 1300 1280 1200 1100 1000 900 800 700 600 500 400 300 200 100 0 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度 Ta ( °C) 9 MB39A112 ■ 機能説明 1. DC/DC コンバータ機能 (1) 三角波発振器部 (OSC) 三角波発振器部は , CT 端子 (6 ピン ) にタイミング容量 , RT 端子 (5 ピン ) にタイミング抵抗を接続することにより , 振 幅 2.0 V ～ 2.5 V の三角波発振波形を発生します。 三角波発振波形は , IC 内部の PWM コンパレータに入力されます。 (2) 誤差増幅器部 (Error Amp1, Error Amp2, Error Amp3) 誤差増幅器の出力端子か 誤差増幅器は , DC/DC コンバータの出力電圧を検出し , PWM 制御信号を出力する増幅器です。 ら反転入力端子への帰還抵抗および容量の接続により , 任意のループゲインが設定できるため , システムに対して安定し た位相補償ができます。 また , 誤差増幅器の非反転入力端子である CS1 端子 (1 ピン ) , CS2 端子 (10 ピン ) , CS3 端子 (11 ピン ) にソフトスター ト用容量を接続することにより電源起動時の突入電流を防止できます。ソフトスタート検出を誤差増幅器で行うことで , DC/DC コンバータの出力負荷に依存しない一定の設定時間でソフトスタート動作します。 (3) PWM 比較器部 (PWM Comp.) 入出力電圧に応じて出力デューティをコントロールする電圧－パルス幅変換器です。 誤差増幅器出力電圧が三角波電圧よりも高い期間に出力トランジスタをオンさせます。 (4) 出力部 出力部は , トーテムポール形式で構成しており , 外付け Pch MOS FET を駆動することができます。 (5) バイアス電圧部 (VH) 出力回路の最低電位として VCC － 5 V ( 標準 ) を出力します。 2. 保護機能 (1) タイマ・ラッチ式短絡保護回路 (SCP) 各チャネルは , ショート検知コンパレータ (SCP Comp.) で , 誤差増幅器の出力レベルを基準電圧と常に比較動作を行っ ています。 DC/DC コンバータの負荷条件が全チャネル安定している場合はショート検知コンパレータの出力は , “L” レベルとなり CSCP 端子は “L” レベルに保持されます。 負荷条件が負荷短絡などで急激に変化し出力電源が低下した場合は , ショート検知コンパレータ出力は “H” レベルとな ります。すると , CSCP 端子 (14 ピン ) に外付けされた短絡保護容量 CSCP に充電を開始します。 容量 CSCP がスレッショルド電圧 (VTH ≒ 0.72 V）まで充電されるとラッチをセットし , 外付け FET をオフ ( 休止期間を 100％) させます。このとき , ラッチ入力はクローズされ , CSCP 端子は “L” レベルに保持されます。 なお , 電源 (VCC) を再投入することで , タイマ・ラッチ式短絡保護回路のラッチ解除が可能です。「■タイマ ( ・ラッチ式 短絡保護回路の時定数設定方法」参照 ) 。 (2) 低 VCC 時誤動作防止回路部 (UVLO) 通常電源投入時の過渡状態や電源電圧の瞬時低下は , コントロール IC の誤動作を誘起し , システムの破壊もしくは劣化 を生じさせます。前記のような誤動作を防止するために , 低 VCC 時誤動作防止回路は内部基準電圧レベルの低下を検出 し , 出力トランジスタをオフし , 休止期間を 100％にするとともに , CSCP 端子 (14 ピン ) を “L” レベルに保持します。 電源電圧が低 VCC 時誤動作防止回路のスレッショルド電圧以上になればシステムは復帰します。 (3) 保護回路動作時機能表 各保護回路動作時の出力状態を下記表に記します。 CH1 CH2 CH3 OUT1 OUT2 OUT3 短絡保護回路 H H H 低 VCC 時誤動作防止回路 H H H 動作回路 短絡保護回路動作後のラッチ解除方法は以下の通りです。 VCC を再投入することで全ての短絡保護動作後のラッチを解除します。 10 MB39A112 ■ 出力電圧の設定方法 • CH1 VO R1 Error Amp − 2 −INE1 VO (V) = + + R2 1.00 R2 (R1 + R2) 1.00 V CS1 1 • CH2, CH3 VO R1 (−INE3) 12 9 −INE2 Error Amp − + + R2 VO (V) = 1.23 R2 (R1 + R2) 1.23 V (CS3) CS2 11 10 ■ 三角波発振周波数設定方法 三角波発振周波数は RT 端子 (5 ピン ) にタイミング抵抗 (RT) , CT 端子 (6 ピン ) にタイミング容量 (CT) を接続すること により設定できます。 三角波発振周波数：fosc fosc (kHz) ≒ 1200000 CT (pF) ・RT (kΩ) 11 MB39A112 ■ ソフトスタート / ディスチャージ時間設定方法 IC 起動時の突入電流防止のため , チャネル 1 は CS1 端子 (1 ピン ) に , チャネル 2 は CS2 端子 (10 ピン ) に , チャネル 3 は CS3 端子 (11 ピン ) にソフトスタート容量 (CS1, CS2, CS3) を各々に接続することで , ソフトスタートの動作が可能です。 各コントロール (CTLX) を “H” → “L” にすることにより CS1, CS2, CS3 端子に外付けされたソフトスタート容量 (CS1, CS2, CS3) を約 10 µA で充電し , DC/DC コンバータ出力電圧は CS 端子電圧の上昇に比例します。なお , ソフトスタート時間は次 式で求められます。 ソフトスタート時間：ts ( 出力 100％になるまでの時間 ) CH1 ： ts1[s] ≒ 0.100 × CS1[µF] CH2 ： ts2[s] ≒ 0.123 × CS2[µF] CH3 ： ts3[s] ≒ 0.123 × CS3[µF] • ソフトスタート回路 −INE1 (−INE2) (−INE3) L 優先 VO CS1 (CS2) (CS3) CH1 ON/OFF 信号 VREF 10 µA − + + Error Amp (L : ON, H : OFF) FB1 (FB2) (FB3) CTLX 1.23 V /1.0 V H：SCP 時 SCP UVLO H：UVLO 解除 • ソフトスタート動作 CS 端子電圧 ≒ 3.4 V Error Amp 基準電圧 ≒ 1.23 V/ 1.00 V ≒0V t ソフトスタート時間 ts H CTLX 信号 L t 12 MB39A112 ■ CS 端子を使用しない場合の処理方法 ソフトスタート機能を使用しない場合は , CS1端子 (1 ピン ) , CS2 端子 (10ピン ) , CS3端子 (11 ピン) を開放してください。 • ソフトスタート時間を設定しない場合 “ 開放 ” 1 CS1 “ 開放 ” 10 CS2 “ 開放 ” 11 CS3 13 MB39A112 ■ タイマ・ラッチ式短絡保護回路の時定数設定方法 各チャネルは , ショート検知コンパレータ (SCP Comp.) で , 誤差増幅器の出力レベルを基準電圧と常に比較動作を行っ ています。 DC/DC コンバータの負荷条件が全チャネル安定している場合はショート検知コンパレータの出力は , “L” レベルとなり CSCP 端子 (14 ピン ) は “L” レベルに保持されます。 負荷条件が負荷短絡などで急激に変化し出力電圧が低下した場合は , ショート検知コンパレータ出力は , “H” レベルと なります。すると , CSCP 端子に外付けされた短絡保護容量 CSCP に 1 µA で充電を開始します。 ショート検出時間：tcscp tcscp[s] ≒ 0.72 × CSCP[µF] 容量 CSCP がスレッショルド電圧 (VTH ≒ 0.72 V) まで充電されるとラッチをセットし , 外付け FET をオフさせます ( 休 止期間を 100％とします ) 。 このとき , ラッチ入力はクローズされ CSCP 端子 (14 ピン ) は” L”レベルに保持されます。 なお , CH1 ～ CH3 のいずれかがショート検出した場合 , 全チャネルを停止します。 • タイマ・ラッチ式短絡保護回路 VO R1 −INE1 (−INE2) (−INE3) VREF 10 µA R2 − + + CS1 (CS2) (CS3) Error Amp 1.23 V /1.0 V FB1 (FB2) (FB3) SCP Comp. + + + − [SCP] 2.7 V 1 µA H：UVLO 解除 CSCP 14 VCC S R Latch UVLO H：SCP 時 14 MB39A112 ■ CSCP 端子を使用しない場合の処理方法 タイマ・ラッチ式の保護回路を使用しない場合は , CSCP 端子 (14 ピン ) を最短距離で GND に短絡してください。 • CSCP 端子を使用しない場合 14 CSCP 7 GND 15 MB39A112 ■ 入出力端子等価回路図 ＜＜三角波発振器部 (RT) ＞＞ ＜＜ショート検知部＞＞ VCC 4 ＜＜三角波発振器部 (CT) ＞＞ VCC VREF (3.5 V) VCC VREF (3.5 V) VREF ESD 保護素子 (3.5 V) ESD 保護素子 1.2 V 2 kΩ + CT 6 − 14 CSCP 5 RT ESD 保護素子 GND 7 GND ＜＜ソフトスタート部＞＞ VCC GND ＜＜誤差増幅器部 (CH1) ＞＞ VCC VREF (3.5 V) VREF (3.5 V) CSX −INE1 2 CS1 1.00 V 3 FB1 GND GND ＜＜誤差増幅器部 (CH2, CH3) ＞＞ ＜＜ PWM 比較器部＞＞ VCC VCC VREF (3.5 V) CSX 1.23 V FBX FBX GND GND ＜＜出力部＞＞ ＜＜バイアス電圧部＞＞ VCC VCCO VCCO 20 OUTX 16 VH VH GND GNDO GNDO 15 X：各チャネル No. 16 CT MB39A112 ■ 応用回路例 R6 R7 2.2 kΩ 18 kΩ A −INE1 2 10 µA CS1 (L : ON, H : OFF) CTL1 C7 0.1 µF C8 0.022 µF R11 R12 4.7 kΩ 56 kΩ B CH2 ON/OFF 信号 R9 820 Ω FB1 −INE2 VIN (12 V) R15 R16 680 Ω 30 kΩ CTL3 C14 0.01 µF 9 C2 4.7 µF D1 R14 820 Ω FB2 − + + 10 L 優先 降圧 L2 Q2 CH2 VO2 (3.3 V) IO2 = 0.15 ∼ 1 A 3.3 µH Error Amp2 + PWM Comp.2 Drive2 − 18 Pch C3 2.2 µF OUT2 C4 4.7 µF D2 1.23 V 8 IO = 150 mA −INE3 CS3 R18 1 kΩ FB3 − + + 11 L 優先 VO3 (5.0 V) IO3 = 0.15 ∼ 0.3 A 10 µH Error Amp3 + PWM Comp.3 Drive3 17 Pch − C5 2.2 µF OUT3 D3 C6 4.7 µF 1.23 V C16 0.1 µF 13 IO = 150 mA H 優先 VCCO − 5 V + + + − 16 15 H：SCP 時 H：UVLC 解除 2.0 V bias 3.5 V OSC GNDO Error Amp 電源 SCP Comp. 電源 14 2.5 V VH Bias Voltage VH SCP CSCP L3 Q3 CH3 VREF 10 µA 降圧 C スレッショルド電圧 1.23 V ± 1％ 12 2.7 V C15 1000 pF C1 2.2 µF OUT1 B スレッショルド電圧 1.23 V ± 1％ SCP Comp 充電電流 1 µA 19 1.0 V 10 µA (L : ON, H : OFF) C13 0.1 µF Drive1 Pch − VO1 (1.2 V) IO1 = 0.8 ∼ 1.5 A 2 µH C17 0.1 µF 3 R17 10 kΩ CH3 ON/OFF 信号 + 20 PWM Comp.1 VREF CS2 C11 0.01 µF C L 優先 Error Amp1 L1 Q1 VCCO IO = 150 mA (L : ON, H : OFF) CTL2 − + + 1 R13 36 kΩ C12 0.1 µF CH1 VREF R8 100 kΩ CH1 ON/OFF 信号 降圧 A スレッショルド電圧 1.0 V ± 1％ UVLO Error Amp 基準 1.0 V/1.23 V VREF VR 4 VCC C9 0.1 µF Power ON/OFF CTL GND 5 RT R10 5.1 kΩ 6 7 CT GND C10 100 pF 17 MB39A112 ■ 部品表 COMPONENT ITEM SPECIFICATION VENDOR PARTS No. Q1, Q2, Q3 Pch FET Pch FET VDS ＝－ 30 V, ID ＝－ 2.0 A VDS ＝－ 30 V, ID ＝－ 1.0 A SANYO SANYO MCH3312 MCH3308 D1, D2 D3 Diode Diode VF ＝ 0.55 V (Max) , IF ＝ 2 A 時 VF ＝ 0.4 V (Max) , IF ＝ 0.5 A 時 SANYO SANYO SBE001 SBE005 L1 L2 L3 Inductor Inductor Inductor 2 µH 3.3 µH 10 µH 3 A, 16 mΩ 2.57 A, 21.4 mΩ 1.49 A, 41.2 mΩ TOKO TOKO TOKO A916CY-2R0M A916CY-3R3M A916CY-100M C1, C3, C5 C2, C4, C6 C7, C9, C12 C8 C10 C11, C14 C13, C16, C17 C15 Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser 2.2 µF 4.7 µF 0.1 µF 0.022 µF 100 pF 0.01 µF 0.1 µF 1000 pF 25 V 10 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V TDK TDK TDK TDK TDK TDK TDK TDK C3216JB1E225K C3216JB1A475M C1608JB1H104K C1608JB1H223K C1608CH1H101J C1608JB1H103K C1608JB1H104K C1608JB1H102K R6 R7 R8 R9 R10 R11 R12 R13 R14 R15 R16 R17 R18 Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor 2.2 kΩ 18 kΩ 100 kΩ 820 Ω 5.1 kΩ 4.7 kΩ 56 kΩ 36 kΩ 820 Ω 680 Ω 30 kΩ 10 kΩ 1 kΩ 0.5％ 0.5％ 0.5％ 0.5％ 0.5％ 0.5％ 0.5％ 0.5％ 0.5％ 0.5％ 0.5％ 0.5％ 0.5％ ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm RR0816P-222-D RR0816P-183-D RR0816P-104-D RR0816P-821-D RR0816P-512-D RR0816P-472-D RR0816P-563-D RR0816P-363-D RR0816P-821-D RR0816P-681-D RR0816P-303-D RR0816P-103-D RR0816P-102-D （注意事項） SANYO ：三洋電機株式会社 TOKO ：東光株式会社 TDK ：TDK 株式会社 ssm ：進工業株式会社 18 MB39A112 ■ 部品選択について ・Pch MOS FET 導通損失 スイッチング用として使用する Pch MOS FET は使用する入力電圧の＋ 20％以上のものを使用してください。 を小さくするためにドレイン－ソース間抵抗 RDS (ON) が小さい FET を使用してください。また , 高入力電圧および高周波動 作をさせる場合はオン時のスイッチング損失が大きくなるため許容損失に注意してください。 本アプリケーションでは MCH3312, MCH3308 ( 三洋製 ) を使用しています。 導通損失 , オン / オフ時のスイッチング損失およびトータル損失は下記 式にて求められます。ドレイン電流はピーク値が定格を超えないようにしてください。 導通損失：Pc PC ＝ ID2 × RDS (ON) × Duty オン時のスイッチング損失：PS (ON) PS (ON) ＝ VD (Max) × ID × tr × fosc 6 オフ時のスイッチング損失：PS (OFF) PS (OFF) ＝ VD (Max) × ID (Max) × tf × fosc 6 トータル損失：PT PT ＝ PC ＋ PS (ON) ＋ PS (OFF) ( 例 ) MCH3312 使用の場合 ・CH1 入力電圧 VIN ＝ 12 V, 出力電圧 VO ＝ 1.2 V, ドレイン電流 ID ＝ 1.5 A, 発振周波数 fosc ＝ 2350 kHz, L ＝ 2 µH, ドレイン－ソース間オン抵抗 RDS (ON) ≒ 180 mΩ, tr ≒ 2.9 ns, tf ≒ 8.7 ns ドレイン電流 (Max) ：ID (Max) ID (Max) ＝ Io ＋ ＝ 1.5 ＋ VIN － Vo 2L tON 12 － 1.2 2 × 2.0 × 10 －6 × 1 2350 × 103 × 0.1 × 0.1 ≒ 1.61 A ドレイン電流 (Min) ：ID (Min) ID (Min) ＝ Io － ＝ 1.5 － VIN － Vo 2L tON 12 － 1.2 2 × 2.0 × 10 －6 × 1 2350 × 103 ≒ 1.39 A PC ＝ ID2 × RDS (ON) × Duty ＝ 1.52 × 0.18 × 0.1 ≒ 0.04 W 19 MB39A112 PS (ON) ＝ ＝ VD × ID × tr × fosc 6 12 × 1.5 × 2.9 × 10 － 9 × 2350 × 103 6 ≒ 0.02 W PS (OFF) ＝ ＝ VD × ID (Max) × tf × fosc 6 12 × 1.61 × 8.7 × 10 － 9 × 2350 × 103 6 ≒ 0.066 W PT ＝ PC ＋ PS (ON) ＋ PS (OFF) ≒ 0.04 ＋ 0.02 ＋ 0.066 ≒ 0.126 W 上記 MCH3312 の許容損失は , 1.0 W (Ta ＝＋ 25 °C) であり満足しています。 ・CH2 入力電圧 VIN ＝ 12 V, 出力電圧 Vo ＝ 3.3 V, ドレイン電流 ID ＝ 1.0 A, 発振周波数 fosc ＝ 2350 kHz, L ＝ 3.3 µH, ドレイン－ソース間オン抵抗 RDS (ON) ≒ 180 mΩ, tr ≒ 2.9 ns, tf ≒ 8.7 ns ドレイン電流 (Max) ：ID (Max) ID (Max) ＝ Io ＋ ＝ 1＋ VIN － Vo tON 2L 12 － 3.3 2 × 3.3 × 10 － 6 × 1 2350 × 103 × 0.275 ≒ 1.15 A ドレイン電流 (Min) ：ID (Min) ID (Min) ＝ Io － ＝ 1－ VIN － Vo tON 2L 12 － 3.3 2 × 3.3 × 10 －6 × 1 2350 × 103 ≒ 0.85 A PC ＝ ID2 × RDS (ON) × Duty ＝ 12 × 0.18 × 0.275 ≒ 0.0495 W PS (ON) ＝ ＝ VD × ID × tr × fosc 6 12 × 1 × 2.9 × 10 － 9 × 2350 × 103 6 ≒ 0.0136 W 20 × 0.275 MB39A112 PS (OFF) ＝ ＝ VD × ID (Max) × tf × fosc 6 12 × 1.15 × 8.7 × 10 － 9 × 2350 × 103 6 ≒ 0.047 W PT ＝ PC ＋ PS (ON) ＋ PS (OFF) ≒ 0.0495 ＋ 0.0136 ＋ 0.047 ≒ 0.11 W 上記 MCH3312 の許容損失は , 1.0 W (Ta ＝＋ 25 °C) であり十分満足しています。 ( 例 ) MCH3308 使用の場合 ・CH3 入力電圧 VIN ＝ 12 V, 出力電圧 Vo ＝ 5.0 V, ドレイン電流 ID ＝ 0.3 A, 発振周波数 fosc ＝ 2350 kHz, L ＝ 10 µH, ドレイン－ソース間オン抵抗 RDS (ON) ≒ 600 mΩ, tr ≒ 4 ns, tf ≒ 4 ns ドレイン電流 (Max) ：ID (Max) ID (Max) ＝ Io ＋ VIN － Vo 2L tON 12 － 5 ＝ 0.3 ＋ 2 × 10 × 10 － 6 × 1 2350 × 103 × 0.417 ≒ 0.36 (A) ドレイン電流 (Min) ：ID (Min) ID (Min) ＝ Io － VIN － Vo ＝ 0.3 － 2L tON 12 － 5 2 × 10 × 10 －6 × 1 2350 × 103 × 0.417 ≒ 0.24 (A) PC ＝ ID2 × RDS (ON) × Duty ＝ 0.32 × 0.6 × 0.417 ≒ 0.023 W PS (ON) ＝ ＝ VD × ID × tr × fosc 6 12 × 0.3 × 4 × 10 － 9 × 2350 × 103 6 ≒ 0.0056 W 21 MB39A112 PS (OFF) ＝ ＝ VD × ID (Max) × tf × fosc 6 12 × 0.36 × 4 × 10 － 9 × 2350 × 103 6 ≒ 0.0068 W PT ＝ PC ＋ PS (ON) ＋ PS (OFF) ≒ 0.023 ＋ 0.0056 ＋ 0.0068 ≒ 0.0354 W 上記 MCH3308 の許容損失は , 0.8 W (Ta ＝＋ 25 °C) であり十分満足しています。 ・インダクタ インダクタを選択する上において , 注意しなければならないのはインダクタの定格値以上電流を流さないことはもちろ んのことですが , リップル電流下限値が臨界点に達しますと不連続動作になり効率が著しく低下します。 このことを防ぐ にはインダクタンス値を大きくすればいいことになります。そうすることで , 軽負荷時からの連続動作が可能になります。 しかし, インダクタンス値を大きくし過ぎますと直流抵抗 (DCR) が大きくなるため効率を悪化させますので注意が必要で す。一番効率がよくなるポイントに設定する必要があります。 また , インダクタの電流定格値に負荷電流値が近づくと直流重畳特性が悪くなるためインダクタンス値が低下しリップ ル電流が増加し効率を悪化させます。使用する負荷電流値のどこに効率のピークを持ってくるかによって定格電流値 , イ ンダクタンス値の選択が変わります。 インダクタンス値は下記式より求められます。 全負荷電流条件での L 値はリップル電流のピークピーク値が負荷電流の 1/2 以下になるように設定します。 インダクタンス値：L L≧ 2 (VIN － Vo) Io tON (例) ・CH1 L≧ ≧ 2 (VIN － Vo1) Io 2 × (12 － 1.2) tON × 1.5 1 2350 × 103 × 0.1 ≧ 0.61 µH ・CH2 L≧ ≧ 2 (VIN － Vo2) Io 2 × (12 － 3.3) 1 ≧ 2.04 µH 22 tON × 1 2350 × 103 × 0.275 MB39A112 ・CH3 L≧ ≧ 2 (VIN － Vo3) tON Io 2 × (12 － 5) 1 × 2350 × 103 0.3 × 0.417 ≧ 8.28 µH 上記式で求められたインダクタンス値は最大負荷電流時には十分連続動作できる値になりますが軽負荷時には連続動 作は不可能になります。 そこで連続動作が最低いくつから可能になるかを求める必要があります。本アプリケーションで は A916CY-2R0M, A916CY-3R3M, A916CY-100M (TOKO 製 ) を使用しています。2 µH, 3.3 µH, 10 µH を使用した場合の連 続電流条件になる負荷電流値は下記式により求められます。 連続電流条件になる負荷電流値：Io Io ≧ Vo toff 2L ( 例 ) A916CY-2R0M 使用の場合 2 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 3 A ・CH1 Io ≧ ≧ ≧ Vo1 tOFF 2L 1.2 2 × 2 × 10 － 6 × 1 2350 × 103 × (1 － 0.1) 0.11 A ( 例 ) A916CY-3R3M 使用の場合 3.3 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 2.57 A ・CH2 Io ≧ ≧ ≧ Vo2 tOFF 2L 3.3 2 × 3.3 × 10 －6 × 1 2350 × 103 × (1 － 0.275) 0.15 A ( 例 ) A916CY-100M 使用の場合 10.0 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 1.49 A ・CH3 Io ≧ ≧ Vo3 tOFF 2L 5 2 × 10 × 10 －6 × 1 2350 × 103 × (1 － 0.417) ≧ 62.0 mA 23 MB39A112 インダクタに流れる電流が定格値以内であるかをみるためのリップル電流のピーク値及び出力リップル電圧に影響を 及ぼすリップル電流のピークピーク値を求める必要があります。 リップル電流のピーク値およびピークピーク値は下記式 により求められます。 ピーク値：IL VIN － Vo IL ≧ Io ＋ 2L tON ピークピーク値：∆IL ∆IL ＝ VIN － Vo tON L ( 例 ) A916CY-2R0M 使用の場合 2.0 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 3.0 A ・CH1 ピーク値 IL ≧ Io ＋ VIN － Vo1 ≧ 1.5 ＋ 2L tON 12 － 1.2 × 2 × 2.0 × 10 － 6 1 2350 × 103 × 0.1 ≧ 1.61 A ピークからピークの値 VIN － Vo1 tON ∆IL ＝ L ＝ 12 － 1.2 2.0 × 10 × －6 1 2350 × 103 × 0.1 ≒ 0.23 A ( 例 ) A916CY-3R3M 使用の場合 3.3 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 2.57 A ・CH2 ピーク値 IL ≧ Io ＋ ≧ 1.0 ＋ VIN － Vo2 tON 2L 12 － 3.3 2 × 3.3 × 10 × －6 1 2350 × 103 ≧ 1.15 A ピークからピークの値 VIN － Vo2 ∆IL ＝ tON L ＝ 12 － 3.3 3.3 × 10 － 6 ≒ 0.309 A 24 × 1 2350 × 103 × 0.275 × 0.275 MB39A112 ( 例 ) A916CY-100M 使用の場合 10.0 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 1.49 A ・CH3 ピーク値 IL ≧ Io ＋ VIN － Vo3 ≧ 0.3 ＋ tON 2L 12 － 5 × 2 × 10 × 10 － 6 1 2350 × 103 × 0.417 ≧ 0.36 A ピークからピークの値 VIN － Vo3 tON ∆IL ＝ L ＝ 12 － 5 10 × 10 －6 1 × 2350 × 103 × 0.417 ≒ 0.124 A ・フライバックダイオード フライバックダイオードはダイオードへの逆方向電圧が 40 V 以下の場合は一般的にショットキーバリアダイオード (SBD) が使用されます。SBD は逆回復時間が短いため高速であり , 順方向電圧が低い特性があり , 高効率を実現するのに 最適です。直流逆方向電圧が入力電圧より十分に高く , ダイオード導通時間に流れる平均電流が平均出力電流内であり , ピーク電流がせん頭電流内であれば問題ありません。本アプリケージョンでは , SBE001, SBS005 (SANYO 製 ) を使用して います。ダイオード平均電流とダイオードピーク電流は下記式により求められます。 ダイオード平均電流：IDi IDi ≧ Io × ( 1－ Vo ) VIN ダイオードピーク電流：IDiｐ IDiｐ ≧ (Io ＋ Vo 2L tOFF) ( 例 ) SBE001 使用の場合 VR ( 直流逆方向電圧 ) ＝ 30 V, 平均出力電流＝ 2.0 A, せん頭電流＝ 20 A, VF ( 順方向電圧 ) ＝ 0.55 V, IF ＝ 2.0 A 時 ・CH1 ダイオード平均電流 IDi ≧ Io × (1 － Vo1 VIN ) ≧ 1.5 × (1 － 0.1) ≧ 1.35 A ダイオードピーク電流 Vo1 IDip ≧ (Io ＋ tOFF) 2L ≧ 1.61 A 25 MB39A112 ・CH2 ダイオード平均電流 IDi ≧ Io × (1 － Vo2 VIN ) ≧ 1.0 × (1 － 0.275) ≧ 0.725 A ダイオードピーク電流 Vo2 IDip ≧ (Io ＋ tOFF) 2L ≧ 1.15 A ( 例 ) SBS005 使用の場合 VR ( 直流逆方向電圧 ) ＝ 30 V, 平均出力電流＝ 1.0 A, せん頭電流＝ 10 A, VF ( 順方向電圧 ) ＝ 0.4 V, IF ＝ 0.5 A 時 ・CH3 ダイオード平均電流 IDi ≧ Io × (1 － Vo3 VIN ≧ 0.3 × (1 － 0.417) ≧ 0.175 A ダイオードピーク電流 Vo3 IDip ≧ (Io ＋ tOFF) 2L ≧ 26 0.36 A ) MB39A112 ■ 参考データ 変換効率－負荷電流特性 (CH1) 100 Ta ＝＋ 25 °C 1.2 V 出力 CTL1 ＝ “L” CTL2 ＝ “H” CTL3 ＝ “H” RT ＝ 5.1 kΩ CT ＝ 100 pF 変換効率 η (％) 90 80 70 VIN = 7 V VIN = 10 V VIN = 12 V 60 50 40 30 10 m 100 m 1 10 負荷電流 IL (A) 変換効率－負荷電流特性 (CH2) 100 Ta ＝＋ 25 °C 3.3 V 出力 CTL1 ＝ “H” CTL2 ＝ “L” CTL3 ＝ “H” RT ＝ 5.1 kΩ CT ＝ 100 pF 変換効率 η (％) 90 80 70 VIN = 7 V VIN = 10 V VIN = 12 V 60 50 40 30 10 m 100 m 1 10 負荷電流 IL (A) 変換効率－負荷電流特性 (CH3) 100 Ta ＝＋ 25 °C 5.0 V 出力 CTL1 ＝ “H” CTL2 ＝ “H” CTL3 ＝ “L” RT ＝ 5.1 kΩ CT ＝ 100 pF 90 変換効率 η (％) 80 70 VIN = 7 V VIN = 10 V VIN = 12 V 60 50 40 30 10 m 100 m 1 10 負荷電流 IL (A) （続く） 27 MB39A112 変換効率－負荷電流特性 (CH1) 100 Ta ＝＋ 25 °C 1.2 V 出力 CTL1 ＝ “L” CTL2 ＝ “H” CTL3 ＝ “H” RT ＝ 10 kΩ CT ＝ 100 pF 変換効率 η (％) 90 80 70 VIN = 7 V VIN = 10 V VIN = 12 V 60 50 40 30 10 m 100 m 1 10 負荷電流 IL (A) 変換効率－負荷電流特性 (CH2) 100 Ta ＝＋ 25 °C 3.3 V 出力 CTL1 ＝ “H” CTL2 ＝ “L” CTL3 ＝ “H” RT ＝ 10 kΩ CT ＝ 100 pF 変換効率 η (％) 90 80 70 VIN = 7 V VIN = 10 V VIN = 12 V 60 50 40 30 10 m 100 m 1 10 負荷電流 IL (A) 変換効率－負荷電流特性 (CH3) 100 Ta ＝＋ 25 °C 5.0 V 出力 CTL1 ＝ “H” CTL2 ＝ “H” CTL3 ＝ “L” RT ＝ 10 kΩ CT ＝ 100 pF 変換効率 η (％) 90 80 70 60 VIN = 7 V VIN = 10 V VIN = 12 V 50 40 30 10m 100m 1 10 負荷電流 IL (A) （続く） 28 MB39A112 （続き） 変換効率－負荷電流特性 (CH1) 100 Ta ＝＋ 25 °C 1.2 V 出力 CTL1 ＝ “L” CTL2 ＝ “H” CTL3 ＝ “H” RT ＝ 24 kΩ CT ＝ 100 pF 変換効率 η (％) 90 80 70 60 VIN = 7 V VIN = 10 V VIN = 12 V 50 40 30 10 m 100 m 1 10 負荷電流 IL (A) 変換効率－負荷電流特性 (CH2) 100 Ta ＝＋ 25 °C 3.3 V 出力 CTL1 ＝ “H” CTL2 ＝ “L” CTL3 ＝ “H” RT ＝ 24 kΩ CT ＝ 100 pF 変換効率 η (％) 90 80 70 60 VIN = 7 V VIN = 10 V VIN = 12 V 50 40 30 10 m 100 m 1 10 負荷電流 IL (A) 変換効率－負荷電流特性 (CH3) 100 Ta ＝＋ 25 °C 5.0 V 出力 CTL1 ＝ “H” CTL2 ＝ “H” CTL3 ＝ “L” RT ＝ 24 kΩ CT ＝ 100 pF 変換効率 η (％) 90 80 70 VIN = 7 V VIN = 10 V VIN = 12 V 60 50 40 30 10 m 100 m 1 10 負荷電流 IL (A) 29 MB39A112 ■ 使用上の注意 ・ プリント基板のアースラインは , 共通インピーダンスを考慮し設計してください。 ・ 静電気対策を行ってください。 ・ 半導体を入れる容器は , 静電気対策を施した容器か , 導電性の容器をご使用ください。 ・ 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は , 導電性の袋か , 容器に収納してください。 ・ 作業台 , 工具 , 測定機器は , アースを取ってください。 ・ 作業をする人は , 人体とアースの間に 250 kΩ ～ 1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてください。 ・負電圧を印加しないでください。 ・ － 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合 , LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあります。 ■ オーダ型格 型 格 MB39A112PFT 30 パッケージ プラスチック・TSSOP, 20 ピン (FPT-20P-M06) 備 考 MB39A112 ■ 外形寸法図 注 1) ＊ 1 印寸法のレジン残りは片側＋ 0.15 (.006) MAX 注 2) ＊ 2 印寸法はレジン残りを含まず。 注 3) 端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。 注 4) 端子幅はタイバ切断残りを含まず。 プラスチック・TSSOP, 20 ピン (FPT-20P-M06) *1 6.50±0.10(.256±.004) 0.17±0.05 (.007±.002) 11 20 *2 4.40±0.10 6.40±0.20 (.173±.004) (.252±.008) INDEX Details of "A" part 1.05±0.05 (Mounting height) (.041±.002) LEAD No. 1 10 0.65(.026) "A" 0.24±0.08 (.009±.003) 0.13(.005) M 0~8˚ +0.03 (0.50(.020)) 0.10(.004) C 0.60±0.15 (.024±.006) +.001 0.07 –0.07 .003 –.003 (Stand off) 0.25(.010) 2003 FUJITSU LIMITED F20026S-c-3-3 単位：mm (inches) 注意：括弧内の値は参考値です。 31 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fml/ お問い合わせ先 富士通エレクトロニクス株式会社 〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fei/ 電子デバイス製品に関するお問い合わせは , こちらまで , 0120-198-610 受付時間 : 平日 9 時～ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます ) 携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。 ※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。 本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。 本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な どについては , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施 権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を 伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵 器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・ 製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用 されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。 半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き をおとりください。 本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。 編集 販売戦略部