NTE5460-12

NTE5460 and NTE5460−12
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
25 Amp, TO−220 Full Pack (Isolated)
Features:
D Thyristor for Frequencies up to 400Hz
D Long−Term Stability of Leakage Current and Blocking Voltage
Applications:
D Motor Control
D Power Converter
D AC Power Controller
D Light and Temperature Control
D SCR for Inrush Current Limiting in Power Supplies for AC Drive
Maximum Ratings and Electrical Characteristics:
Repetitive Peak Off−State Voltage, VDRM
NTE5460 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
NTE5460−12 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Non−Repetitive Peak Off−State Voltage, VDSM
NTE5460 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
NTE5460−12 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM
NTE5460 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
NTE5460−12 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Non−Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM
NTE5460 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
NTE5460−12 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
On−State RMS Current (180 Sine Wave), IT(AV)
TC = +85C, Note 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A
TA = +25C, Note 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A
Peak Non−Repetitive Surge Current (VR = 0V), ITSM
TVJ = +45C
t = 10ms (50Hz), Sine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A
t = 8.3ms (60Hz), Sine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320A
TVJ = +150C
t = 10ms (50Hz), Sine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260A
t = 8.3ms (60Hz), Sine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280A
Note 1. Mounted on a heatsink.
Note 2. Without a heatsink.
Maximum Ratings and Electrical Characteristics (Cont’d):
Circuit Fusing, I2t
TVJ = +45C
t = 10ms (50Hz), Sine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450A2s
t = 8.3ms (60Hz), Sine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430A2s
TVJ = +150C
t = 10ms (50Hz), Sine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 340A2s
t = 8.3ms (60Hz), Sine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330A2s
Critical Rate of Rise of Off−State Current, di/dt
TVJ = +150C, f = 50Hz, tp = 200s, VD = 2/3 VDRM, IG = 0.08A, diG/dt = 0.08A/s
Repetitive, IT = 20A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A/s
Non−Repetitive, IT = IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/s
Critical Rate of Rise of Off−State Voltage, dv/dt
TVJ = +150C, VDR = 2/3 VDRM, RGK = , Method 1 (Linear Voltage Rise) . . . . . . . . . 500V/s
Peak Gate Power (TVJ = +150C, IT = IT(AV)), PGM
tp = 30s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
tp = 300s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W
Average Gate Power, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W
Peak Gate Current (TC = +70C, Pulse Width = 10s), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Maximum Peak Forward and Reverse Blocking Current, IR, ID
TVJ = +150C, VR = VRRM, VD = VDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4mA
Maximum Forward “ON” Voltage (IT = 30A, TVJ = +25C), VT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4V
Maximum DC Gate Trigger Voltage (VD = 6V), VGT
TVJ = +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5V
TVJ = −40C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5V
Maximum DC Gate Trigger Current (VD = 6V), IGT
TVJ = +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
TVJ = −40C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50mA
Maximum Gate Non−Trigger Voltage (TVJ = +150C, VD = 2/3 VDRM), VGD . . . . . . . . . . . . . . . . 0.2V
Maximum Gate Non−Trigger Current (TVJ = +150C, VD = 2/3 VDRM), IGD . . . . . . . . . . . . . . . . 1mA
Maximum Latching Current (TVJ = +25C, tp = 10s, IG = 0.08A, diG/dt = 0.08A/s), IL . . . . 100mA
Maximum Holding Current (TVJ = +25C, VD = 6V, RGK = ), IH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mA
Maximum Turn−On Time (TVJ = +25C, VD = 1/2 VDRM, IG = 0.08A, diG/dt = 0.08A/s), tgd . . . 2s
Operating Junction Temperature Range, TVJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40 to +150C
Maximum Junction Temperature, TVJM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40 to +125C
Maximum Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5K/W
Typical Thermal Resistance, Case−to−Sink, RthCS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5K/W
Maximum Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50K/W
.185 (4.7)
.400 (10.2)
.100
(2.54)
.130
(3.3)
.263
(6.7)
Isol
.625
(15.9)
K
A
G
.127
(3.2)
.499
(12.68)
Min
.100 (2.54)
.109 (2.8)