NTE5575

NTE5575, NTE5577, NTE5579
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
125 Amp, TO83
Electrical Characteristics:
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage, VDRM
NTE5575 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5577 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5579 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM
NTE5575 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5577 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5579 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Non−Repetitive Transient Peak Reverse Voltage, VRSM
NTE5575 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
NTE5577 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
NTE5579 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V
Maximum RMS On−State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125A
Maximum Average On−State Current (+180° Conduction, TC = +80°C), IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . 70A
Maximum Peak One−Cycle, Non−Repetitive Surge Current, ITSM
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1400A
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500A
Maximum I2t for Fusing (1.5ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7000A2sec
Peak On−State Voltage (TC = +25°C, +180°C Conduction, Rated IT(AV)), VTM . . . . . . . . . . . . . . . 2V
Maximum Thermal Resistance, DC, Junction to Case, RΘJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3°C/W
Typical Turn−Off Time (TJ = +125°C), tq . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100μs
Rate−of−Rise of Turned−On Current, di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/μs
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C
Maximum Critical Rate−of−Rise of Off−State Voltage, dv/dt
(Exponential @ TJ = +125°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/μs
Maximum Required Gate Trigger Current, IGT
TJ = −40°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA
TJ = −25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125mA
Maximum Required Gate Trigger Voltage (TJ = +25°C), VGT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mV
Maximum Forward Voltage Drop (ITM = 500A, TJ = +25°C). VF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8V
1.227 (31.18) Dia
(Across Corners)
.280 (7.11)
.650 (16.51) Max
Cathode
.260 (6.6) Dia Max
Gate
.415 (10.55)
1.810
(45.97)
Max
1.031 (26.18) Dia Max
.500 (12.7) Max
.812
(20.6)
Anode
1/2−20 UNF
(Terminal 3)