NTE5588 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 1600V, 360 Amps, TO93 Electrical Characteristics: (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified) Repetitive Peak Voltages, VDRM & VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Non−Repetitive Peak Off−State Voltage, VDSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Non−Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V Average On−State Current (Half Sine Wave, TC = +85°C), IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226A RMS On−State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355A Continuous On−State Current, IT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355A Peak One−Cycle, Non−Repetitive Surge Current (10ms Duration), ITSM 60% VRRM reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4650A VR ≤ 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5120A Maximum I2t for Fusing (VR ≤ 10V), I2t 10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131,000A2sec 10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97350A2sec Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), IFGM . . . . . . . . . . . . . . . 20A Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), VFGM . . . . . . . . . . . . . . 18V Peak Reverse Gate Voltage, VRGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Average Gate Power, PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W Peak Gate Power (100μs Pulse Width), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W Rate of Rise of Off−State Voltage (To 80% VDRM, Gate Open), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/μs Rate of Rise of ON−State Current, di/dt (Gate Drive 20V, 20Ω, with tr ≤ 1μs, Anode Voltage ≤ 80% VDRM) Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/μs Non−Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/μs Peak On−State Voltage (ITM = 710A), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.62V Forward Conduction Threshold Voltage, VO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.92V Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.99mΩ Repetitive Peak Off−State Current (At VDRM), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA Repetitive Peak Reverse Current (At VRRM), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), IGT . . 150mA Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), VGT . . . . . 3V Maximum Holding (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), IH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, VGD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V Operating Temperature Range, TC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +150°C Thermal Resistance, Junction−to−Case (VF = Max Rating), RtnJC DC and 180° Sine wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.12°C/W 120° Rectangular wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.14°C/W Thermal Resistance, Case−to−Heat Sink, RthC−HS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.04°C/W 1.443 (36.68) Max (Across Corners) ÇÇÇ ÇÇÇ 1.031 (26.18) Dia (Ceramic) .643 (16.35) For No. 6 Screw For No. 6 Screw Cathode .350 (8.89) Dia Max Gate (White) Cathode (Red) 8.100 (205.74) Max (Terminals 1, 2, & 3) 3.625 (92.07) Max 1.212 (30.8) Dia Max .156 (3.96) Max .630 (16.0) 3/4−16 UNF−2A (Terminal 4) Anode 1.077 (27.35) Max