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S-19610A
車載用
www.sii-ic.com
ミニアナログシリーズ
125°C動作 CMOSオペアンプ
Rev.1.0_01
© SII Semiconductor Corporation, 2014
ミニアナログシリーズは汎用アナログ回路を小型パッケージに搭載したICです。
S-19610AはCMOS型オペアンプで、位相補償回路を内蔵し、低電圧動作、低消費電流の特長を持っています。
S-19610Aは、デュアルオペアンプ (2回路入り) です。
注意
本製品は、車両機器、車載機器へのご使用が可能です。これらの用途でご使用をお考えの際は、必ず弊社窓口までご
相談ください。
 特長
・低入力オフセット電圧
・動作電源電圧範囲
・低消費電流 (1回路あたり)
・内部位相補償のため、外付け部品が不要
・動作温度範囲
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
・AEC-Q100対応*1
: VIO = 6.0 mV max. (Ta = 40°C ~ 125°C)
: VDD = 2.70 V ~ 5.50 V
: IDD = 1.00 mA typ.
: Ta = 40C ~ 125C
*1. 詳細は、弊社営業部までお問い合わせください。
 用途
・電流センス
・信号増幅
・バッファ
・アクティブ・フィルタ
 パッケージ
・TMSOP-8
1
ミニアナログシリーズ
S-19610A
車載用
125°C動作
CMOSオペアンプ
Rev.1.0_01
 ブロック図
VDD
IN1()

IN1()

OUT1
IN2()

IN2()

OUT2
VSS
図1
2
ミニアナログシリーズ
125°C動作
車載用
Rev.1.0_01
CMOSオペアンプ
S-19610A
 AEC-Q100対応
本ICはAEC-Q100の動作温度グレード1に対応しています。
AEC-Q100の信頼性試験の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。
 品目コードの構成
製品名における文字列が示す内容は "1.
品名リスト"を参照してください。
1.
製品名" を、パッケージ図面は "2.
パッケージ" を、製品タイプは "3.
製
製品名
S-19610A B
0
A -
K8T2
U
環境コード
U
: 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1
パッケージ略号とICの梱包仕様
K8T2 : TMSOP-8、テープ品
動作温度
A
: Ta = 40C ~ 125C
回路数
B
*1.
2.
テープ図面を参照してください。
パッケージ
表1
パッケージ名
TMSOP-8
3.
:2
パッケージ図面コード
外形寸法図面
テープ図面
リール図面
FM008-A-P-SD
FM008-A-C-SD
FM008-A-R-SD
製品名リスト
表2
製品名
S-19610AB0A-K8T2U
パッケージ
TMSOP-8
3
ミニアナログシリーズ
S-19610A
車載用
125°C動作
CMOSオペアンプ
Rev.1.0_01
 ピン配置図
1.
TMSOP-8
表3
Top view
1
2
3
4
図2
4
端子番号
8
7
6
5
1
2
3
4
5
6
7
8
端子記号
OUT1
IN1()
IN1()
VSS
IN2()
IN2()
OUT2
VDD
端子内容
出力端子1
反転入力端子1
非反転入力端子1
GND端子
非反転入力端子2
反転入力端子2
出力端子2
正電源端子
ミニアナログシリーズ
車載用
125°C動作
Rev.1.0_01
CMOSオペアンプ
S-19610A
 絶対最大定格
表4
項目
電源電圧
入力電圧
出力電圧
差動入力電圧
(特記なき場合 : Ta = 25C)
絶対最大定格
単位
記号
VSS 0.3 ~ VSS 7.0
VSS 0.3 ~ VSS 7.0
VSS 0.3 ~ VDD 0.3
7.0
20.0
20.0
40 ~ 125
55 ~ 150
VDD
VIN(+), VIN(-)
VOUT
VIND
ISOURCE
ISINK
Topr
Tstg
出力端子電流
動作周囲温度
保存温度
V
V
V
V
mA
mA
C
C
注意 絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、
製品の劣化などの物理的な損傷を与える可能性があります。
 熱抵抗値
表5
項目
ジャンクション温度  周囲温度間
熱抵抗値*1
*1.
記号
ja
Min.
条件
TMSOP-8
基板 1
基板 2


Typ.
160
133
Max.


単位
°C/W
°C/W
測定環境 : JEDEC STANDARD JESD51-2A準拠
備考
許容損失、測定基板の詳細については、" パッケージ熱特性" を参照してください。
5
ミニアナログシリーズ
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車載用
125°C動作
CMOSオペアンプ
Rev.1.0_01
 電気的特性
表6
DC電気的特性
項目
記号
条件
(特記なき場合 : VDD = 5.0 V, Ta = 25C)
測定
単位
Min.
Typ.
Max.
回路
同相入力信号除去比

VCMR = VOUT = VDD / 2
VCMR = VDD / 2,
VIO
Ta = 40°C ~ 125°C
VIO
VCMR = VDD / 2,
Ta
Ta = 40°C ~ 125°C
IIO

IBIAS

VCMR

VOUT = VSS  0.5 V ~ VDD  0.5 V
AVOL
VCMR = VDD / 2, RL = 1.0 M
RL = 1.0 M,
VOH
Ta = 40°C ~ 125°C
RL = 1.0 M,
VOL
Ta = 40°C ~ 125°C
CMRR VCMR = VSS  0.1 V ~ VDD  1.2 V
電源電圧除去比
PSRR
ソース電流
ISOURCE
VOUT = VDD  0.12 V
5.0


mA
6
シンク電流
ISINK
VOUT = 0.12 V
5.0


mA
7
動作電源電圧範囲
消費電流 (2回路あたり)
入力オフセット電圧
入力オフセット電圧ドリフト
入力オフセット電流
入力バイアス電流
同相入力電圧範囲
電圧利得 (開ループ)
最大出力振幅電圧
VDD
IDD
VDD = 2.70 V ~ 5.50 V
2.70

5.00
2.00
5.50
2.50
V
mA

5
6.0
3.0
6.0
mV
1

3

V/C
1


0.1
1
1



3.8
pA
pA
V


2
88
110

dB
8
4.9


V
3


0.1
V
4
70
85

dB
2
70
90

dB
1
表7
AC電気的特性
項目
スルーレート
利得帯域幅積
6
記号
SR
GBP
条件
RL = 1.0 M, CL = 15 pF (図11参照)
CL = 0 pF
(特記なき場合 : VDD = 5.0 V, Ta = 25C)
単位
Min.
Typ.
Max.


2.00
3.00


V/s
MHz
ミニアナログシリーズ
125°C動作
車載用
Rev.1.0_01
CMOSオペアンプ
S-19610A
 測定回路 (1回路あたり)
1.
電源電圧除去比、入力オフセット電圧
・電源電圧除去比 (PSRR)
VDD
それぞれの V D D 時の V O U T を測定し、 次 式で電源電 圧 除去比
(PSRR) を求めます。
RF
RS

VOUT

測定条件 :
VDD = 2.70 V時のVDDをVDD1、VOUTをVOUT1、
VDD = 5.50 V時のVDDをVDD2、VOUTをVOUT2とする。
RS
RF
PSRR = 20 log
VCMR = VDD / 2
VDD1  VDD2


VDD1
VDD2

 VOUT1  2   VOUT2  2 


RFRS
RS 


・入力オフセット電圧 (VIO)
図3
測定回路1
VIO =
2.
VOUT  VDD
2 


RS
RFRS
同相入力信号除去比、同相入力電圧範囲
・同相入力信号除去比 (CMRR)
VDD
それぞれの V IN時の V OUT を測定し、次式で同相入力信号除去比
(CMRR) を求めます。
RF
RS


VOUT
測定条件 :
VIN = VCMR Max.時のVINをVIN1、VOUTをVOUT1、
VIN= VCMR Min.時のVINをVIN2、VOUTをVOUT2とする。
RS
RF
VIN
CMRR = 20 log
VDD / 2
図4
測定回路2



RFRS
VIN1  VIN2
 R

VOUT1  VOUT2
S

・同相入力電圧範囲 (VCMR)
VIN を可変させ、同相入力信号除去比 (CMRR) を満足する VIN
の範囲が同相入力電圧範囲 (VCMR) です。
7
ミニアナログシリーズ
S-19610A
3.
車載用
125°C動作
CMOSオペアンプ
Rev.1.0_01
最大出力振幅電圧
・最大出力振幅電圧 (VOH)
VDD

VOH

測定条件 :
VDD
VIN1= 2  0.1 V
VDD
VIN2 = 2  0.1 V
RL  = 1 M
RL
VIN1
図5
4.
VDD / 2
VIN2
測定回路3
最大出力振幅電圧
VDD
・最大出力振幅電圧 (VOL)
VDD / 2
RL


VIN1
VIN2
図6
5.
測定回路4
消費電流
VDD
A


VCMR = VDD / 2
図7
8
VOL
測定条件 :
VDD
VIN1 = 2  0.1 V
VDD
VIN2 = 2  0.1 V
RL = 1 M 
測定回路5
・消費電流 (IDD)
ミニアナログシリーズ
車載用
Rev.1.0_01
6.
CMOSオペアンプ
S-19610A
ソース電流
・ソース電流 (ISOURCE)
VDD
測定条件 :
VOUT= VDD  0.12 V
VDD
VIN1 = 2  0.1 V
VDD
VIN2 = 2  0.1 V


VIN1
A
VOUT
VIN2
図8
7.
125°C動作
測定回路6
シンク電流
VDD
VOUT
A


VIN1
・シンク電流 (ISINK)
測定条件 :
VOUT = VSS  0.12 V
VDD
VIN1= 2  0.1 V
VDD
VIN2 = 2  0.1 V
VIN2
図9
測定回路7
9
ミニアナログシリーズ
S-19610A
8.
125°C動作
車載用
CMOSオペアンプ
Rev.1.0_01
電圧利得
・電圧利得 (開ループ) (AVOL)
VDD
RS
RF
VDDN

D.U.T

RS

NULL

それぞれのVM時のVOUTを測定し、次式で電圧利
得 (AVOL) を求めます。
VOUT
RF
1 M
VCMR = VDD / 2
VM
VDD / 2
図10
9.
VSSN
測定条件 :
VM = VDD  0.5 V時のVMをVM1、VOUTをVOUT1、
VM =VSS  0.5 V時のVMをVM2、VOUTをVOUT2とす
る。
AVOL = 20 log



RFRS
VM1  VM2
 R

VOUT1  VOUT2
S

測定回路8
スルーレート (SR)
ボルテージフォロワ回路で測定します。
tR = tF = 20 ns (0 V ~ VCMR Max.)
IN() = VCMR Max.
IN() = 0 V
VOUT (= IN ())
tTHL
VCMR Max.
VCMR Max.  0.9
VOUT (= IN ())
VCMR Max.  0.1
tTLH
図11
10
VCMR Max.0.8
tTLH
VCMR Max.0.8
SR =
tTHL
SR =
ミニアナログシリーズ
車載用
125°C動作
Rev.1.0_01
CMOSオペアンプ
S-19610A
 注意事項
・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を超える過大静電気がICに印加されない
ようにしてください。
・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様、出荷先の国などによって当IC
を含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。
・出力電流は20 mA以下でお使いください。
・本ICは図12に示すように、出力端子に100 pF以下の負荷容量を直接接続された状態でも、安定に動作することが
可能です。100 pFよりも大きい負荷容量を接続する場合には、図13に示すように47 以上の抵抗を挿入してくだ
さい。また、ノイズ対策としてフィルタを接続する場合においても、100 pFよりも大きい容量を使用する場合に
は、図14に示すように47 以上の抵抗を使用してください。
VDD
VIN

VIN
-
VOUT
負荷容量
100 pF以下
VSS
図12
VDD
VIN
+
VIN
-
VOUT
47 以上
負荷容量
VSS
図13
VDD
フィルタ
VIN

VIN

VOUT
47 以上
負荷容量
VSS
図14
注意
上記接続図及び定数は動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数
を設定してください。
11
ミニアナログシリーズ
S-19610A
車載用
125°C動作
CMOSオペアンプ
Rev.1.0_01
 諸特性データ (Typical データ)
1.
消費電流 (IDD) (2回路あたり)電源電圧 (VDD)
VSS = 0 V, VCMR = VOUT = VDD / 2
2.4
IDD [mA]
2.0
1.6
Ta = 40C
1.2
Ta = 25C
Ta = 125C
0.8
0.4
0.0
2
5
6
VDD = 2.7 V, VSS =0 V
140
120
100
80
60
40
20
0
AVOL [dB]
Ta = 40C
Ta = 25C
Ta = 125C
0.1
1
10 100 1k 10k 100k 1M 10M
f [Hz]
出力電流特性
3. 1
ソース電流 (ISOURCE)電源電圧 (VDD)
ISOURCE [mA]
3.
4
VDD [V]
電圧利得 (AVOL)周波数 (f)
AVOL [dB]
2.
3
14
12
10
8
6
4
2
0
VOUT = VDD  0.12 V, VSS = 0 V
Ta = 40C
Ta = 25C
Ta = 125C
2
3
4
5
6
VDD [V]
3. 2
シンク電流 (ISINK)電源電圧 (VDD)
VOUT = 0.12 V, VSS = 0 V
10
ISINK [mA]
8
Ta = 40C
6
Ta = 25C
4
Ta = 125C
2
0
2
3
4
VDD [V]
12
5
6
140
120
100
80
60
40
20
0
VDD= 5.0 V, VSS = 0 V
Ta = 40C
Ta = 25C
Ta = 125C
0.1
1
10 100 1k 10k 100k 1M 10M
f [Hz]
ミニアナログシリーズ
車載用
125°C動作
Rev.1.0_01
3. 3
出力電圧 (VOUT)ソース電流 (ISOURCE)
VDD = 2.7 V, VSS =0 V
VDD = 5.0 V, VSS = 0 V
3.0
6.0
Ta = 40C
2.0
Ta = 25C
1.5
Ta = 125C
1.0
Ta = 40C
5.0
VOUT [V]
VOUT [V]
2.5
0.5
4.0
Ta = 125C
Ta = 25C
3.0
2.0
1.0
0.0
0.0
0
3. 4
20
40
60
ISOURCE [mA]
80
100
0
20
40
60
ISOURCE [mA]
100
VDD = 5.0 V, VSS = 0 V
3.0
6.0
2.5
5.0
2.0
4.0
VOUT [V]
VOUT [V]
80
出力電圧 (VOUT)シンク電流 (ISINK)
VDD = 2.7 V, VSS =0 V
Ta = 125C
1.5
1.0
Ta = 25C
0.5
0
20
40
60
ISINK [mA]
Ta = 40C
3.0
Ta = 125C
2.0
Ta = 25C
1.0
Ta = 40C
0.0
0.0
80
100
0
20
40
60
ISINK [mA]
80
100
入力バイアス電流 (IBIAS)温度 (Ta)
VDD = 5.0 V, VSS = 0 V, VCMR = VDD / 2
60
50
IBIAS[nA]
4.
CMOSオペアンプ
S-19610A
40
30
20
10
0
40 25
0
25
50
Ta [°C]
75
100
125
13
ミニアナログシリーズ
S-19610A
車載用
125°C動作
CMOSオペアンプ
Rev.1.0_01
 パッケージ熱特性
1. TMSOP-8
Tj = 150C max.
1.0
基板2
0.94 W
許容損失 (PD) [W]
0.8
基板1
0.78 W
0.6
0.4
0.2
0
0
図15
1. 1
50
100
周囲温度 (Ta) [C]
150
パッケージ許容損失 (基板実装時)
基板1
76.2 mm
114.3 mm
表8
項目
熱抵抗値 (ja)
サイズ
材料
銅箔層数
銅箔層
仕様
1
2
3
4
サーマルビア
160C/W
114.3 mm  76.2 mm  t1.6 mm
FR-4
2
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm


74.2 mm  74.2 mm  t0.070 mm

図16
1. 2
基板2
76.2 mm
114.3 mm
表9
項目
熱抵抗値 (ja)
サイズ
材料
銅箔層数
銅箔層
サーマルビア
図17
14
仕様
1
2
3
4
133C/W
114.3 mm  76.2 mm  t1.6 mm
FR-4
4
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm
74.2 mm  74.2 mm  t0.035 mm
74.2 mm  74.2 mm  t0.035 mm
74.2 mm  74.2 mm  t0.070 mm

2.90±0.2
8
5
1
4
0.13±0.1
0.2±0.1
0.65±0.1
No. FM008-A-P-SD-1.1
TITLE
TMSOP8-A-PKG Dimensions
No.
FM008-A-P-SD-1.1
SCALE
UNIT
mm
SII Semiconductor Corporation
2.00±0.05
4.00±0.1
4.00±0.1
1.00±0.1
+0.1
1.5 -0
1.05±0.05
0.30±0.05
3.25±0.05
4
1
5
8
Feed direction
No. FM008-A-C-SD-2.0
TITLE
TMSOP8-A-Carrier Tape
FM008-A-C-SD-2.0
No.
SCALE
UNIT
mm
SII Semiconductor Corporation
16.5max.
13.0±0.3
Enlarged drawing in the central part
13±0.2
(60°)
(60°)
No. FM008-A-R-SD-1.0
TITLE
TMSOP8-A-Reel
No.
FM008-A-R-SD-1.0
SCALE
QTY.
UNIT
4,000
mm
SII Semiconductor Corporation
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本資料に記載の製品を大量破壊兵器の開発や軍事利用の目的で使用および、提供 (輸出) することは固くお断りしま
す。核兵器、生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的
とする者へ提供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。
8.
本資料に記載の製品は、身体、生命および財産に損害を及ぼすおそれのある機器または装置の部品 (医療機器、防災
機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、および
原子力機器等) として設計されたものではありません。ただし、弊社が車載用等の用途を指定する場合を除きます。
弊社の書面による許可なくして使用しないでください。
特に、生命維持装置、人体に埋め込んで使用する機器等、直接人命に影響を与える機器には使用できません。
これらの用途への利用を検討の際には、必ず事前に弊社営業部にご相談ください。
また、弊社指定の用途以外に使用されたことにより発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。
9.
半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。
弊社製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、社会的損害等発生しないように、お客様の責任において
冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてください。
また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
10. 本資料に記載の製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対
策を行ってください。
11. 本資料に記載の製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口
中には入れないようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際
は怪我等に注意してください。
12. 本資料に記載の製品を廃棄する場合には、使用する地域、国に対応する法令を遵守し、適切に処理してください。
13. 本資料は、弊社の著作権、ノウハウに係わる内容も含まれております。
本資料中の記載内容について、弊社または第三者の知的財産権、その他の権利の実施、使用を許諾または保証するも
のではありません。これら著作物の一部を弊社の許可なく転載、複製し、第三者に開示することは固くお断りします。
14. 本資料の内容の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。
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