S-5470シリーズ
www.sii-ic.com
極低消費電流
光電流検出IC
© SII Semiconductor Corporation, 2012
Rev.1.2_01
S-5470シリーズは、CMOS技術を使用して開発した、極低消費電流の光電流検出ICです。
外付けフォトダイオード (PD) またはLEDが生成する0.7 nA typ.の光電流を検出します。2つの外付けフォトダイオード
(PD) またはLED間の光電流差を検出する機能も備えています。
極低消費電流、低電圧動作の特長をもつため、電池駆動の小型携帯機器への応用に最適です。
特長
・極低消費電流
: IDD≦0.1 nA typ.
・微小光電流検出
: IDET = 0.7 nA typ.
・広動作電圧範囲
: VDD = 0.9 V ~ 5.5 V
・光電流検出機能
: 外付けフォトダイオード (PD) またはLEDの光電流の検出
・光電流差検出機能
: 外付けフォトダイオード (PD) またはLED間の光電流差の検出
・外付け部品
: 1つまたは2つの外付けフォトダイオード (PD) またはLED*1
・鉛フリー (Sn100%)、ハロゲンフリー*2
*1.
*2.
動作により、必要なPDまたはLEDの数が異なります。
PD, LEDの選定については、" 応用回路"、"3. PDまたはLEDの選定" を参照してください。
詳細は " 品目コードの構成" を参照してください。
用途
・遮光検知
・明暗検知
・ポータブル機器、ワイヤレス機器の非接触スイッチ
パッケージ
・SOT-23-5
1
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
ブロック図
1.
CMOS出力品
VDD
*1
*1
+
INP
電流加算器
*1
INM
−
電流
コンパレータ
IDET
電流増幅器
+
OUT
論理選択
−
*1
*1
VSS
*1.
寄生ダイオード
図1
2.
Nchオープンドレイン出力品
VDD
*1
+
INP
電流加算器
*1
INM
−
電流増幅器
+
電流
コンパレータ
IDET
−
*1
*1
VSS
*1.
寄生ダイオード
図2
2
OUT
論理選択
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
品目コードの構成
S-5470シリーズは、出力形態と出力論理を用途により選択指定することができます。製品名における文字列が示す内
容は "1. 製品名" を、パッケージ図面は "2. パッケージ" を、詳しい製品名は "3. 製品名リスト" を参照してく
ださい。
1.
製品名
S-5470
x
21
I
-
M5T1
U
環境コード
U : 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1
パッケージ略号とICの梱包仕様
M5T1 : SOT-23-5、テープ品
動作温度
I : Ta = −40°C ~ +85°C
検出モード
21 : 電流増幅器電流増幅率2倍
出力形態と出力論理
A : CMOS出力 (アクティブ "H")
B : CMOS出力 (アクティブ "L")
C : Nchオープンドレイン出力 (アクティブ "H")
D : Nchオープンドレイン出力 (アクティブ "L")
*1.
2.
テープ図面を参照してください。
パッケージ
表1
パッケージ名
SOT-23-5
3.
パッケージ図面コード
外形寸法図面
テープ図面
リール図面
MP005-A-P-SD
MP005-A-C-SD
MP005-A-R-SD
製品名リスト
表2
製品名
出力形態
出力論理
検出モード
CMOS出力
アクティブ "H"
電流増幅器電流増幅率2倍
S-5470A21I-M5T1U
CMOS出力
アクティブ "L"
電流増幅器電流増幅率2倍
S-5470B21I-M5T1U
Nchオープンドレイン出力
アクティブ "H"
電流増幅器電流増幅率2倍
S-5470C21I-M5T1U
Nchオープンドレイン出力
アクティブ "L"
電流増幅器電流増幅率2倍
S-5470D21I-M5T1U
備考 上記以外の製品をご希望のときは、弊社営業部までお問い合わせください。
3
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
ピン配置図
1.
SOT-23-5
Top view
5
4
1 2 3
図3
4
表3
端子番号
1
2
3
4
5
端子記号
VDD
VSS
INM
INP
OUT
端子内容
電源端子
GND端子
基準電流入力端子
検出電流入力端子
出力端子
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
絶対最大定格
表4
項目
電源電圧
入力電圧
出力電圧
VDD
VINP, VINM
CMOS出力品
Nchオープンドレイン出力品
VOUT
ISOURCE
ISINK
PD
Topr
Tstg
出力端子電流
許容損失
動作周囲温度
保存温度
*1. 基板実装時
[実装基板]
(1) 基板サイズ
(2) 名称
(特記なき場合 : Ta = +25°C)
絶対最大定格
単位
記号
VSS − 0.3 ~ VSS + 7.0
VSS − 0.3 ~ VSS + 7.0
VSS − 0.3 ~ VDD + 0.3
VSS − 0.3 ~ VSS + 7.0
20
20
600*1
−40 ~ +85
−55 ~ +125
V
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
: 114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
: JEDEC STANDARD51-7
注意 絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、
製品の劣化などの物理的な損傷を与える可能性があります。
許容損失 (PD) [mW]
700
600
500
400
300
200
100
0
図4
0
100
50
周囲温度 (Ta) [°C]
150
パッケージ許容損失 (基板実装時)
5
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
電気的特性
表5
項目
記号
電源電圧
VDD
消費電流
IDD
検出電流
IDET
解除電流
IREL
検出電流温度係数
電流増幅器電流増幅率
Itc
IINP
IINM
GINM
ソース電流
ISOURCE
シンク電流
ISINK
出力応答時間
tOD
入力電流
6
(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 3.0 V)
測定
単位
Min.
Typ.
Max.
回路
条件
Ta = −40°C ~ +85°C
VINP = VSS, VINM = VSS
VINP = 1.0 V, VINM = VSS
−
−
Ta = −40°C ~ +85°C
VINP = 1.0 V
VINM = 1.0 V
−
CMOS出力品
VOUT = VDD − 0.3 V
VOUT = 0.3 V
−
VDD = 0.9 V
VDD = 3.0 V
VDD = 0.9 V
VDD = 3.0 V
0.9
−
−
0.52
IDET ×
0.7
−
20
10
1.8
0.01
3.5
0.5
7.0
−
−
0.01
0.02
0.7
IDET ×
0.8
±0.5
−
−
2.0
0.4
4.8
1.7
9.2
−
5.5
10
10
0.88
IDET ×
0.9
−
−
−
2.2
−
−
−
−
15
V
nA
nA
nA
−
1
1
2
nA
2
%/°C
μA
μA
倍
mA
mA
mA
mA
ms
−
3
3
4
5
5
6
6
−
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
測定回路
VDD
INP
A
S-5470
OUT
シリーズ
INM
VDD
R*1
100 kΩ
INP
INM
CMOS出力品の場合、抵抗 (R) は不要です。
図5
*1.
CMOS出力品の場合、抵抗 (R) は不要です。
測定回路1
図6
A
S-5470
OUT
シリーズ
INM
INP
オープン
INM
VSS
*1.
図7
測定回路3
INM
S-5470
OUT
シリーズ
図8
測定回路5
測定回路4
VDD
INP
A
INM
S-5470
OUT
シリーズ
VSS
図9
V
CMOS出力品の場合、抵抗 (R) は不要です。
VDD
INP
*1
R
100 kΩ
S-5470
OUT
シリーズ
VSS
A
測定回路2
VDD
VDD
INP
V
VSS
VSS
*1.
*1
R
100 kΩ
S-5470
OUT
シリーズ
A
VSS
図10
測定回路6
7
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
標準回路
1.
光電流検出回路
IINP
INP
VDD
S-5470
OUT
シリーズ
INM
*1.
R*1
100 kΩ
0.1 μF
VOUT
VSS
CMOS出力品の場合、抵抗 (R) は不要です。
図11
2.
光電流差検出回路
IINP
*1
INP
S-5470
OUT
シリーズ
IINM
INM
*1.
VDD
R
100 kΩ
0.1 μF
VOUT
VSS
CMOS出力品の場合、抵抗 (R) は不要です。
図12
注意 上記接続図および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価
の上、定数を設定してください。
8
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
動作説明
S-5470シリーズは、光電流検出機能と光電流差検出機能を備えています。
以下に、それぞれの動作についてCMOS出力、アクティブ "H" 品を例に説明します。
1.
光電流検出時の基本動作 (INM端子 = VSS)
INM端子をVSS端子に接続した場合、S-5470シリーズは以下のように動作します。
(1) IINP＜IDETの場合、OUT端子から "L" が出力されます。
(2) IINPが増加しIINP≧IDETの場合、OUT端子から "H" が出力されます (図14のA点)。
IINPが減少しIREL＜IINP＜IDETの場合、OUT端子から "H" が出力されます。
(3) さらにIINPが減少しIINP≦IRELの場合、OUT端子から "L" が出力されます (図14のB点)。
備考
注意 1.
2.
IINP : INP端子に入力される電流
IDET : 検出電流 ("4. 1 検出電流 (IDET)" 参照)
IREL : 解除電流 ("4. 2 解除電流 (IREL)" 参照)
INP端子、INM端子ともに、内部にダイオードが存在します。
したがって、INP端子、INM端子に電流を入力するためには、このダイオードの順方向電圧以上の入力電圧
が必要となります。
OUT端子電圧が切り替わる付近では、図14に示すように貫通電流 (IPEAK = 100 nA) が流れます。
そのため、この付近で入力電流が固定されてしまう場合、消費電流が増加します。
VDD
*1
IINP
+
INP
*1
INM
*1
*1.
*1
+
電流加算器
−
電流
コンパレータ
*1
−
IDET
電流増幅器
OUT
VSS
寄生ダイオード
図13
光電流検出時の動作説明図
(1)
IDET
(2)
A
IINP
(3)
B
ヒステリシス幅
IREL
OUT 端子出力電圧
(VOUT)
H
L
IPEAK = 100 nA
消費電流 (IDD)
図14
光電流検出時の動作
9
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
2.
Rev.1.2_01
光電流差検出時の基本動作 (電流増幅器電流増幅率GINM倍)
INM端子に電流を印加 (IINM) した場合、S-5470シリーズは以下のように動作します。
(1) IINP＜IDET + GINM × IINMの場合、OUT端子から "L" が出力されます。
(2) IINPが増加しIINP≧IDET + GINM × IINMの場合、OUT端子から "H" が出力されます (図16のA点)。
IINPが減少しIREL + GINM × IINM＜IINP＜IDET + GINM × IINMの場合、OUT端子から "H" が出力されます。
(3) さらにIINPが減少しIINP≦IREL + GINM × IINMの場合、OUT端子から "L" が出力されます (図16のB点)。
備考
注意 1.
2.
IINP
IINM
IDET
IREL
: INP端子に入力される電流
: INM端子に入力される電流
: 検出電流 ("4. 1 検出電流 (IDET)" 参照)
: 解除電流 ("4. 2 解除電流 (IREL)" 参照)
INP端子、INM端子ともに、内部にダイオードが存在します。
したがって、INP端子、INM端子に電流を入力するためには、このダイオードの順方向電圧以上の入力電圧
が必要となります。
OUT端子電圧が切り替わる付近では、図16に示すように貫通電流 (IPEAK = 100 nA) が流れます。
そのため、この付近で入力電流が固定されてしまう場合、消費電流が増加します。
VDD
*1
IINP
+
INP
*1
−
電流
コンパレータ
IINM
INM
*1
*1.
*1
+
電流加算器
*1
−
IDET
電流増幅器
OUT
VSS
寄生ダイオード
図15
光電流差検出時の動作説明図
(1)
IDET
(2)
A
IINP − GINM × IINM
(3)
B
ヒステリシス幅
IREL
OUT 端子出力電圧
(VOUT)
H
L
IPEAK = 100 nA
消費電流 (IDD)
図16
10
光電流差検出時の動作
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
3.
検出電流の温度特性
検出電流の温度特性は、動作温度範囲内において図17に示す範囲となります。
IDET [nA]
+0.5%/°C
IDET25
*1
−0.5%/°C
−40
*1.
+25
+85
Ta [°C]
IDET25 : Ta = +25°Cでの検出電流
図17
検出電流の温度特性
11
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
4.
Rev.1.2_01
用語の説明
4. 1
検出電流 (IDET)
検出電流 (IDET) とは、出力が "H" に切り換わる電流を示します。
検出電流は同じ製品であっても多少のバラツキがあり、そのバラツキによる検出電流の最小値 (IDET min.) から
最大値 (IDET max.) を検出電流範囲といいます (図18参照)。
検出電流
IDET max.
検出電流範囲
IDET min.
IINP
H
VOUT
L
図18
4. 2
検出電流
解除電流 (IREL)
解除電流 (IREL) とは、出力が "L" に切り換わる電流を示します。
解除電流は同じ製品であっても多少のバラツキがあり、そのバラツキによる解除電流の最小値 (IREL min.) から
最大値 (IREL max.) を解除電流範囲といいます (図19参照)。
この値は、個々の製品の実際の検出電流 (IDET) から算出され、IDET × 0.7≦IREL≦IDET × 0.9の範囲内となります。
IINP
解除電流
IREL max.
解除電流範囲
IREL min.
H
VOUT
L
図19
4. 3
解除電流
ヒステリシス幅
ヒステリシス幅とは、検出電流と解除電流との電流差 ("図14 光電流検出時の動作"、"図16 光電流差検出時の
動作" におけるB点の電流 − A点の電流) を表します。
検出電流と解除電流との間にヒステリシス幅があるため、入力電流にノイズ等が乗る時に生じる誤動作を防止で
きます。
12
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
応用回路
1.
光電流検出回路
PDまたはLEDからの光電流が所定の値を越えると、出力が切り換わります。
0.1 μF
VDD
INP
INM
S-5470
OUT
シリーズ
VOUT
VSS
D1
図20
光電流検出回路例 (CMOS出力品)
INP
INM
VDD
R
100 kΩ
S-5470
OUT
シリーズ
VOUT
0.1 μF
VSS
D1
図21
光電流検出回路例 (Nchオープンドレイン出力品)
注意 上記接続図および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価
の上、定数を設定してください。
13
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
2.
Rev.1.2_01
光電流差検出回路
2つのPDまたはLEDからの光電流の差が所定の値を越えると、出力が切り換わります。
0.1 μF
VDD
INP
INM
S-5470
OUT
シリーズ
VOUT
VSS
D1
D2
図22
光電流差検出回路例 (CMOS出力品)
INP
INM
VDD
R
100 kΩ
S-5470
OUT
シリーズ
VOUT
0.1 μF
VSS
D1
図23
D2
光電流差検出回路例 (Nchオープンドレイン出力品)
注意 上記接続図および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価
の上、定数を設定してください。
14
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
3.
PDまたはLEDの選定
PDまたはLED は、使用光量下での発電電圧が1.0 V以上のものを使用してください。
また、図24に示す測定回路において検出または使用環境における光量を入射した状態で測定し、下記の条件を満たす
PD, LEDを選定してください。
・光電流検出回路
IDET≦I
・光電流差検出回路
1 nA≦I≦20 μA
I
光入射
A
D1, D2
1V
図24
注意 1.
2.
PD, LEDは、実際のアプリケーションで十分な評価の上、選定してください。PD, LEDの動作および特性に
ついては、弊社ではその責任を負いかねますのでご了承ください。
光電流差検出回路の場合、図22、図23に示す測定回路において、2つのPDまたはLEDの発電電圧特性およ
び発電電流特性が同じものを使用してください。
15
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
注意事項
・ 出力電流は20 mA未満で使用してください。
・ 電源電圧が急峻に変化すると、S-5470シリーズが誤動作する場合がありますので注意してください。
・ 光電流差検出回路 ("図22、図23 光電流差検出回路例" 参照) においては、INP端子の入力電流は20 μA以下、INM
端子の入力電流は10 μA以下で使用してください。この電流を越える入力電流で使用した場合、S-5470シリーズが
誤動作する場合がありますので注意してください。
・ 最低動作電圧未満では、S-5470シリーズの出力は不定状態となっています。電源立ち上げ時は、出力が安定してか
ら使用してください。
・ 安定化のため、VDD端子 − VSS端子間に0.1 μF以上のコンデンサを付けてください。
・ INP端子、INM端子は外乱ノイズの影響を受けやすいため、外付け部品はできるだけICの近くに実装する等のノイズ
対策を行ってください。
・ 電源のインピーダンスが高い場合、貫通電流などを原因とした電源電圧降下によって、S-5470シリーズが誤動作す
る可能性があります。電源のインピーダンスが低くなるように十分注意してパターン配線してください。
・ 本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を超える過大静電気がICに印加されないよ
うにしてください。
・ 弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様、出荷先の国などによって当ICを
含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。
16
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
諸特性データ (Typicalデータ)
1.
検出電流 − 温度
2.
検出電流 − 電源電圧
Ta = +25°C
1.0
0.8
0.8
0.6
0.4
0.2
3.
IDET [nA]
IDET [nA]
VDD = 3.0 V
1.0
0.6
0.4
0.2
−40 −25
0
0
25
Ta [°C]
50
75 85
解除電流 − 温度
0
4.
1
2
3
VDD [V]
4
Ta = +25°C
1.0
0.8
0.8
0.2
0.6
0.4
0.2
−40 −25
0
0
25
Ta [°C]
50
75 85
0
1
2
3
VDD [V]
4
5
6
消費電流 − 温度
VDD = 3.0 V
3.0
VINP = 1 V
IDD [nA]
5.
IREL [nA]
IREL [nA]
VDD = 3.0 V
0.4
6
解除電流 − 電源電圧
1.0
0.6
5
2.0
VINP = 0 V
1.0
0
−40 −25
0
25
Ta [°C]
50
75 85
17
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
6.
Rev.1.2_01
消費電流 − 電源電圧
Ta = +25°C
S-5470A21I
0.06
0.05
0.05
0.04
IDD [nA]
IDD [nA]
Ta = +25°C
S-5470B21I
0.06
VINP = 1 V
0.03
0.02
0.01
0
1
2
3
4
5
VINP = 0 V
0.03
0.02
0.01
VINP = 0 V
0
0.04
VINP = 1 V
0
6
0
1
2
VDD [V]
Ta = +25°C
S-5470C21I
0.06
IDD [nA]
IDD [nA]
0.03
VINP = 0 V
0.02
0.01
1
2
3
4
5
6
VDD [V]
電流増幅器電流増幅率 − 温度
VDD = 3.0 V
GINM [times]
2.4
18
VINP = 0 V
0.04
0.03
VINP = 1 V
0.02
0
0
2.2
2.0
1.8
1.6
6
0.01
0
7.
5
Ta = +25°C
0.05
0.04
4
S-5470D21I
0.06
VINP = 1 V
0.05
3
VDD [V]
−40 −25
0
25
Ta [°C]
50
75 85
0
1
2
3
VDD [V]
4
5
6
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
8.
出力応答時間 − 電源電圧
Ta = +25°C
S-5470A21I
1.25
VINP = 1 V → 0 V
1.00
tOD [ms]
tOD [ms]
1.00
0.75
0.50
VINP = 0 V → 1 V
0.25
Ta = +25°C
S-5470B21I
1.25
VINP = 0 V → 1 V
0.75
0.50
VINP = 1 V → 0 V
0.25
0
0
1
2
3
4
5
0
6
0
1
2
VDD [V]
Ta = +25°C
S-5470C21I
1.25
VINP = 1 V → 0 V
0.75
tOD [ms]
tOD [ms]
5
6
Ta = +25°C
1.00
0.50
VINP = 0 V → 1 V
0.25
VINP = 0 V → 1 V
0.75
0.50
VINP = 1 V → 0 V
0.25
0
0
0
1
2
3
4
5
0
6
1
2
VDD [V]
ソース電流 − 電源電圧
10.
3
VDD [V]
4
5
6
シンク電流 − 電源電圧
20
10
8
Ta = −40°C
6
Ta = +25°C
ISINK [mA]
ISOURCE [mA]
4
S-5470D21I
1.25
1.00
9.
3
VDD [V]
4
Ta = +85°C
2
0
Ta = −40°C
15
Ta = +25°C
10
5
Ta = +85°C
0
0
1
2
3
VDD [V]
4
5
6
0
1
2
3
VDD [V]
4
5
6
19
極低消費電流 光電流検出IC
S-5470シリーズ
Rev.1.2_01
マーキング仕様
1.
SOT-23-5
Top view
5
(1) ~ (3)
(4)
4
(1) (2) (3) (4)
1
2
3
製品名と製品略号の対照表
製品名
S-5470A21I-M5T1U
S-5470B21I-M5T1U
S-5470C21I-M5T1U
S-5470D21I-M5T1U
20
(1)
Y
Y
Y
Y
製品略号
(2)
H
H
H
H
(3)
A
I
Q
Y
: 製品略号 (製品名と製品略号の対照表を参照)
: ロットナンバー
2.9±0.2
1.9±0.2
4
5
1
2
+0.1
0.16 -0.06
3
0.95±0.1
0.4±0.1
No. MP005-A-P-SD-1.2
TITLE
No.
SOT235-A-PKG Dimensions
MP005-A-P-SD-1.2
SCALE
UNIT
mm
SII Semiconductor Corporation
4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2)
+0.1
ø1.5 -0
2.0±0.05
+0.2
ø1.0 -0
0.25±0.1
4.0±0.1
1.4±0.2
3.2±0.2
3 2 1
4
5
Feed direction
No. MP005-A-C-SD-2.1
TITLE
SOT235-A-Carrier Tape
No.
MP005-A-C-SD-2.1
SCALE
UNIT
mm
SII Semiconductor Corporation
12.5max.
9.0±0.3
Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2
(60°)
(60°)
No. MP005-A-R-SD-1.1
SOT235-A-Reel
TITLE
No.
MP005-A-R-SD-1.1
SCALE
QTY.
UNIT
3,000
mm
SII Semiconductor Corporation
免責事項 (取り扱い上の注意)
1.
本資料に記載のすべての情報 (製品データ、仕様、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等) は本資料発
行時点のものであり、予告なく変更することがあります。
2.
本資料に記載の回路例、使用方法は参考情報であり、量産設計を保証するものではありません。
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し、弊社はその責任を負いません。
3.
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4.
本資料に記載の範囲内の条件、特に絶対最大定格、動作電圧範囲、電気的特性等に注意して製品を使用してください。
本資料に記載の範囲外の条件での使用による故障や事故等に関する損害等について、弊社はその責任を負いません。
5.
本資料に記載の製品の使用にあたっては、用途および使用する地域、国に対応する法規制、および用途への適合性、
安全性等を確認、試験してください。
6.
本資料に記載の製品を輸出する場合は、外国為替および外国貿易法、その他輸出関連法令を遵守し、関連する必要な
手続きを行ってください。
7.
本資料に記載の製品を大量破壊兵器の開発や軍事利用の目的で使用および、提供 (輸出) することは固くお断りしま
す。核兵器、生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的
とする者へ提供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。
8.
本資料に記載の製品は、身体、生命および財産に損害を及ぼすおそれのある機器または装置の部品 (医療機器、防災
機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、および
原子力機器等) として設計されたものではありません。ただし、弊社が車載用等の用途を指定する場合を除きます。
弊社の書面による許可なくして使用しないでください。
特に、生命維持装置、人体に埋め込んで使用する機器等、直接人命に影響を与える機器には使用できません。
これらの用途への利用を検討の際には、必ず事前に弊社営業部にご相談ください。
また、弊社指定の用途以外に使用されたことにより発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。
9.
半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。
弊社製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、社会的損害等発生しないように、お客様の責任において
冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてください。
また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
10. 本資料に記載の製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対
策を行ってください。
11. 本資料に記載の製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口
中には入れないようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際
は怪我等に注意してください。
12. 本資料に記載の製品を廃棄する場合には、使用する地域、国に対応する法令を遵守し、適切に処理してください。
13. 本資料は、弊社の著作権、ノウハウに係わる内容も含まれております。
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14. 本資料の内容の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。
1.0-2016.01
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