S-5852A シリーズ サーモスタット機能付き 高精度 デジタル温度センサ www.sii-ic.com © SII Semiconductor Corporation, 2015-2016 Rev.1.1_00 S-5852Aシリーズは、1.7 V ~ 3.6 V動作のサーモスタット機能付き高精度デジタル温度センサです。外部とのインタフェー スはI2C-busを用い、最大1.0 MHzで動作します。I2C-busで設定可能なサーモスタット機能により、温度検出信号を出力する ことが可能です。また、I2C-busで設定可能なシャットダウンモードを使用することにより、消費電流を低減することが可能 です。 S-5852Aシリーズの動作についての説明はユーザーズマニュアルに記載されています。ご希望の方は弊社営業部までお問い 合わせください。 注意 本製品はAV機器、OA機器、通信機器等の一般的な電子機器に使用されることを意図したものです。自動車搭載機器 (カーオーディオ、キーレスエントリ、エンジン制御等を含む)、医療機器用途で使用をお考えの際は必ず事前に弊社 窓口まで御相談ください。 特長 ・温度精度、高精度温度範囲*1 : ±0.5°C typ. / ±1.0°C max. (Ta = 0°C ~ +65°C) ±0.5°C typ. / ±1.0°C max. (Ta = +75°C ~ +95°C) : 0.5°C、0.25°C、0.125°C、0.0625°C (分解能レジスタにより選択可能) : 7回 / 秒 min. : ヒステリシスなし、1.5°C、3.0°C、6.0°C (設定レジスタにより選択可能) ・温度分解能 ・温度サンプルレート ・ヒステリシス幅 ・ 消費電流: シリアルバス非アクティブ時シャットダウンモード : IDD3 = 0.3 μA typ., IDD3 = 3.0 μA max. シリアルバス非アクティブ時アクティブモード : IDD1 = 40.0 μA typ., IDD1 = 100.0 μA max. ・動作電圧範囲 : 1.7 V ~ 3.6 V ・動作周波数 : 1.0 MHz max. (VDD = 2.2 V ~ 3.6 V) 400 kHz max. (VDD = 1.7 V ~ 2.2 V) ・サーモスタット機能 : デュアルトリップモード、シングルトリップモード (設定レジスタにより選択可能) ・ノイズ除去 : シュミットトリガ、ノイズフィルタ付き入力端子 (SCL, SDA) ・動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +125°C ・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー *1. 高精度温度範囲は、オプション選択が可能。 用途 ・ソリッドステートドライブ ・ハードディスクドライブ ・ノートブックPC、タブレットPC ・冷蔵庫 ・空調システム パッケージ ・HSNT-8(2030) 1 サーモスタット機能付き S-5852Aシリーズ 高精度 デジタル温度センサ Rev.1.1_00 ブロック図 A0 A1 パワーオンリセット A2 SCL SDA VDD VSS ポインタレジスタ シリアル インタフェース 回路 温度センサレジスタ 機能レジスタ サーモスタット 回路 設定レジスタ デュアルトリップHIGH限度レジスタ デュアルトリップLOW限度レジスタ シングルトリップHIGH限度レジスタ 温度 センサ A/D コンバータ 周囲温度レジスタ 分解能レジスタ 図1 2 TMS サーモスタット機能付き 高精度 Rev.1.1_00 デジタル温度センサ S-5852Aシリーズ 品目コードの構成 1. 製品名 S-5852A B C x C - A8T1 U 4 環境コード U : 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー パッケージ略号とICの梱包仕様*1 A8T1 : HSNT-8(2030)、テープ品 動作温度範囲 C : Ta = −40°C ~ +125°C 高精度温度範囲 A : Ta = +75°C ~ +95°C B : Ta = 0°C ~ +65°C *1. 温度精度 C : ±0.5°C typ. / ±1.0°C max. 動作電圧 B : VDD = 1.7 V min. テープ図面を参照してください。 2. パッケージ 表1 パッケージ図面コード パッケージ名 HSNT-8(2030) 外形寸法図面 テープ図面 リール図面 ランド図面 PP008-A-P-SD PP008-A-C-SD PP008-A-R-SD PP008-A-L-SD 3. 製品名リスト 表2 製品名 動作電圧 温度精度 高精度温度範囲 Ta = 0°C ~ +65°C S-5852ABCBC-A8T1U4 1.7 V min. ±0.5°C typ. / ±1.0°C max. 備考 S-5852ABCAC-A8T1U4に関しては、弊社営業部にお問い合わせください。 動作温度範囲 Ta = −40°C ~ +125°C 3 サーモスタット機能付き S-5852Aシリーズ 高精度 デジタル温度センサ Rev.1.1_00 ピン配置図 1. HSNT-8(2030) 表3 Top view 1 8 4 5 Bottom view 8 1 5 4 *1 端子番号 1 2 3 4 5 6 7 8 端子記号 A0 A1 A2 VSS SDA*2 *2 SCL _______ TMS VDD 端子内容 スレーブアドレス入力端子 スレーブアドレス入力端子 スレーブアドレス入力端子 GND端子 シリアルデータ入出力端子 シリアルクロック入力端子 温度スイッチ出力 (サーモスタット出力) 端子 電源端子 図2 *1. 網掛け部分の裏面放熱板は、基板に接続し電位をオープンまたはGNDとしてください。 ただし、電極としての機能には使用しないでください。 *2. "High-Z" で使用しないでください。 4 サーモスタット機能付き 高精度 Rev.1.1_00 デジタル温度センサ S-5852Aシリーズ 絶対最大定格 表4 項目 記号 絶対最大定格 単位 電源電圧 VDD −0.3 ~ +4.3 V 入力電圧 (SCL, A0, A1, A2) VIN −0.3 ~ +4.3 V 入出力電圧_______ (SDA) VIO −0.3 ~ +4.3 V 出力電圧 (TMS) −0.3 ~ +4.3 V VOUT 動作周囲温度 Topr −40 ~ +125 °C 保存温度 Tstg −65 ~ +150 °C 注意 絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の 劣化などの物理的な損傷を与える可能性があります。 推奨動作条件 表5 項目 電源電圧 動作周囲温度 高レベル入力電圧 低レベル入力電圧 記号 VDD Topr VIH VIL Min. Max. 単位 1.7 −40 0.7 × VDD −0.3 3.6 +125 3.6 0.3 × VDD V °C V V 端子容量 表6 項目 入力容量 入出力容量 出力容量 記号 CIN CI/O COUT 条件 VIN = 0 V (SCL, A0, A1, A2) VI/O = 0 V (SDA) _______ VOUT = 0 V (TMS) (Ta = +25°C, fSCL = 1.0 MHz, VDD = 2.5 V) 単位 Min. Max. − 6 pF − 8 pF − 8 pF 5 サーモスタット機能付き S-5852Aシリーズ 高精度 デジタル温度センサ Rev.1.1_00 DC電気的特性 表7 項目 記号 IDD1 アクティブモード時消費電流 IDD2 IDD3 シャットダウンモード時消費電流 IDD4 条件 シリアルバス非アクティブ時 アクティブモード シリアルバスアクティブ時 アクティブモード シリアルバス非アクティブ時 シャットダウンモード シリアルバスアクティブ時 シャットダウンモード Min. Typ. Max. 単位 − 40.0 100.0 μA − − 400.0 μA − 0.3 3.0 μA − − 400.0 μA 表8 項目 6 記号 入力リーク電流 ILI 出力リーク電流 ILO 入力電流1 IIL 入力電流2 IIH 入力インピーダンス1 ZIL 入力インピーダンス2 ZIH 低レベル出力電圧 VOL 低レベル出力電流1 IOL1 低レベル出力電流2 IOL2 条件 SCL, SDA VIN = V_______ SS ~ VDD SDA, TMS VOUT = VSS ~ VDD A0, A1, A2 VIN＜0.3 × VDD A0, A1, A2 VIN＞0.7 × VDD A0, A1, A2 VIN = 0.3 × VDD A0, A1, A2 VIN = 0.7 ×V _______ DD SDA, TMS IOL = 3.0 mA _______ SDA, TMS V, 2.2 V≦VDD≦3.6 V VOL = 0.4 _______ SDA, TMS VOL = 0.6 V, 1.7 V≦VDD≦2.2 V Min. Max. 単位 − 1.0 μA − 1.0 μA − 50.0 μA − 2.0 μA 30 − kΩ 800 − kΩ − 0.4 V 20 − mA 6 − mA サーモスタット機能付き 高精度 Rev.1.1_00 デジタル温度センサ S-5852Aシリーズ AC電気的特性 表9 測定条件 入力パルス電圧 入力パルス立ち上がり / 立ち下がり時間 出力判定電圧 出力負荷 入力パルス電圧 0.2 × VDD ~ 0.8 × VDD 出力判定電圧 0.8 × VDD 20 ns以下 0.7 × VDD 0.3 × VDD ~ 0.7 × VDD 100 pF + プルアップ抵抗1 kΩ 0.3 × VDD 0.2 × VDD 図3 AC測定入出力波形 表10 項目 記号 SCLクロック周波数 SCLクロック "L" 時間 SCLクロック "H" 時間 SDA出力遅延時間 SDA出力ホールド時間 SCL, SDA立ち上がり時間 SCL, SDA立ち下がり時間 データ入力セットアップ時間 データ入力ホールド時間 スタートコンディションセットアップ時間 スタートコンディションホールド時間 ストップコンディションセットアップ時間 バス解放時間 ノイズサプレッション時間 fSCL tLOW tHIGH tAA tDH tR tF tSU.DAT tHD.DAT tSU.STA tHD.STA tSU.STO tBUF tI tHIGH tF VDD = 1.7 V ~ 3.6 V Min. 0 1.3 0.6 0.1 50 0.02 0.02 100 0 0.6 0.6 0.6 1.3 − Max. 400 − − 0.9 − 0.3 0.3 − − − − − − 50 tLOW VDD = 2.2 V ~ 3.6 V Min. 0 0.5 0.26 0.1 50 − − 50 0 0.26 0.26 0.26 0.5 − Max. 1000 − − 0.45 − 0.12 0.12 − − − − − − 50 単位 kHz μs μs μs ns μs μs ns ns μs μs μs μs ns tR SCL tHD.STA tHD.DAT tSU.STA tSU.DAT tSU.STO SDA (入力) tAA tDH tBUF SDA (出力) 図4 バスタイミング 7 サーモスタット機能付き S-5852Aシリーズ 高精度 デジタル温度センサ Rev.1.1_00 温度特性 表11 項目 温度精度*1 温度分解能 記号 TACC1 TACC2 TRES tCONV1 tCONV2 温度変換時間 tCONV3 tCONV4 *1. 条件 Ta = 0°C ~ +65°C Ta = −40°C ~ +125°C 初期値 TRES[1:0] = "00" 設定 LSB = 0.5°C TRES[1:0] = "01" 設定 LSB = 0.25°C TRES[1:0] = "10" 設定 LSB = 0.125°C TRES[1:0] = "11" 設定 LSB = 0.0625°C Min. Typ. Max. 単位 − − − ±0.5 − 0.25 ±1.0 ±3.0 − °C °C °C − − 35 ms − − 70 ms − − 140 ms − − 140 ms TRES[1:0] = "11" 設定 注意事項 ・本ICに限らず半導体デバイスは絶対最大定格を越えて使用しないでください。特に電源電圧には十分注意してくださ い。定格外の瞬間的なサージ電圧が、ラッチアップや誤動作の原因になります。詳しい使用条件は、データシート記 載の項目を十分に確認の上、使用してください。 ・本ICの端子に水分が付着したまま動作させますと端子間で短絡して誤動作する可能性があります。特にお客様の評価 中に低温の恒温槽から本ICを取り出したときなどに、端子に霜がついた場合、このまま動作させますと端子間が水分 によって短絡し誤動作する可能性がありますので、注意してください。また結露しやすい場所での使用の際も同様の 理由で、十分に注意が必要です。 ・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されないよう にしてください。 ・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での本ICの使い方や製品の仕様また、出荷先の国などによって本IC を含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。 8 サーモスタット機能付き Rev.1.1_00 高精度 デジタル温度センサ S-5852Aシリーズ 諸特性データ (Typical データ) 1. アクティブモード時消費電流 (IDD1) − 温度 (Ta) 100 IDD1 [A] 80 VDD = 3.6 V VDD = 2.5 V 60 40 20 VDD = 1.7 V 0 40 25 0 25 50 75 100 125 Ta [C] 2. シャットダウンモード時消費電流 (IDD3) − 温度 (Ta) 3.0 IDD3 [A] 2.5 2.0 VDD = 3.6 V VDD = 2.5 V VDD = 1.7 V 1.5 1.0 0.5 0.0 40 25 0 25 50 75 100 125 Ta [C] 3. アクティブモード時消費電流 (IDD2) − SCLクロック周波数 (fSCL) Ta = +25°C 400 IDD2 [A] 300 VDD = 3.6 V VDD = 2.5 V VDD = 1.7 V 200 100 0 0 200 400 600 800 1000 fSCL [kHz] 4. 低レベル出力電流 (IOLn) − 低レベル出力電圧 (VOL) Ta = +25°C IOLn [mA] 40 VDD = 3.6 V 30 20 VDD = 1.7 V 10 0 VDD = 2.5 V 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 VOL [V] 備考 n = 1, 2 9 サーモスタット機能付き S-5852Aシリーズ 高精度 デジタル温度センサ Rev.1.1_00 5. 温度精度 (TACCn) − 温度 (Ta) VDD = 2.5 V, TRES[1:0] = "11" 設定, 測定数 = 100個 0.50 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 40 25 TACCn max. VDD = 1.7 V VDD = 2.5 V VDD = 3.6 V TACCn [C] TACCn [C] TRES[1:0] = "11" 設定 Average 6 0.25 25 50 75 100 125 0.25 0.50 Average 6 0 10 20 Ta [C] 6. 温度変換時間 (tCONV4) − 温度 (Ta) TRES[1:0] = "11" 設定 VDD = 3.6 V tCONV4 [ms] 125 100 75 50 VDD = 2.5 V VDD = 1.7 V 25 0 40 25 0 25 50 75 100 125 Ta [C] 7. 熱応答時間 (温度 − 時間) 評価基板に実装されたHSNT-8(2030)を+25°C空気中から+100°C液体中へ入れたとき VDD = 3.0 V Temperature [°C] 100 90 80 70 60 50 40 30 20 2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 Time [s] 備考 評価基板 外形寸法 : 22 mm × 21 mm 厚さ : 1.6 mm 10 Average 3 30 40 Ta [C] 備考 n = 1, 2 150 Average 0.00 TACCn min. 0 Average 3 50 60 65 2.0±0.1 8 5 1 4 +0.05 0.08 -0.02 0.23±0.1 (1.70) No. PP008-A-P-SD-1.1 0.5 The heat sink of back side has different electric potential depending on the product. Confirm specifications of each product. Do not use it as the function of electrode. TITLE DFN-8/HSNT-8-A-PKG Dimensions No. PP008-A-P-SD-1.1 SCALE UNIT mm SII Semiconductor Corporation +0.1 ø1.5 -0 2.0±0.05 4.0±0.1 0.25±0.05 +0.1 ø1.0 -0 0.60±0.05 4.0±0.1 2.3±0.05 4 321 5 6 78 Feed direction No. PP008-A-C-SD-1.0 TITLE DFN-8/HSNT-8-A-Carrier Tape No. PP008-A-C-SD-1.0 SCALE UNIT mm SII Semiconductor Corporation +1.0 9.0 - 0.0 11.4±1.0 Enlarged drawing in the central part ø13±0.2 (60°) (60°) No. PP008-A-R-SD-1.0 TITLE DFN-8/HSNT-8-A-Reel No. PP008-A-R-SD-1.0 SCALE UNIT QTY. 5,000 mm SII Semiconductor Corporation 1.6 0.30 0.50 No. PP008-A-L-SD-1.0 TITLE No. DFN-8/HSNT-8-A -Land Recommendation PP008-A-L-SD-1.0 SCALE UNIT mm SII Semiconductor Corporation 免責事項 (取り扱い上の注意) 1. 本資料に記載のすべての情報 (製品データ、仕様、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等) は本資料発 行時点のものであり、予告なく変更することがあります。 2. 本資料に記載の回路例、使用方法は参考情報であり、量産設計を保証するものではありません。 本資料に記載の情報を使用したことによる、製品に起因しない損害や第三者の知的財産権等の権利に対する侵害に関 し、弊社はその責任を負いません。 3. 本資料に記載の内容に記述の誤りがあり、それに起因する損害が生じた場合において、弊社はその責任を負いません。 4. 本資料に記載の範囲内の条件、特に絶対最大定格、動作電圧範囲、電気的特性等に注意して製品を使用してください。 本資料に記載の範囲外の条件での使用による故障や事故等に関する損害等について、弊社はその責任を負いません。 5. 本資料に記載の製品の使用にあたっては、用途および使用する地域、国に対応する法規制、および用途への適合性、 安全性等を確認、試験してください。 6. 本資料に記載の製品を輸出する場合は、外国為替および外国貿易法、その他輸出関連法令を遵守し、関連する必要な 手続きを行ってください。 7. 本資料に記載の製品を大量破壊兵器の開発や軍事利用の目的で使用および、提供 (輸出) することは固くお断りしま す。核兵器、生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的 とする者へ提供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。 8. 本資料に記載の製品は、身体、生命および財産に損害を及ぼすおそれのある機器または装置の部品 (医療機器、防災 機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、および 原子力機器等) として設計されたものではありません。ただし、弊社が車載用等の用途を指定する場合を除きます。 弊社の書面による許可なくして使用しないでください。 特に、生命維持装置、人体に埋め込んで使用する機器等、直接人命に影響を与える機器には使用できません。 これらの用途への利用を検討の際には、必ず事前に弊社営業部にご相談ください。 また、弊社指定の用途以外に使用されたことにより発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。 9. 半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。 弊社製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、社会的損害等発生しないように、お客様の責任において 冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてください。 また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。 10. 本資料に記載の製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対 策を行ってください。 11. 本資料に記載の製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口 中には入れないようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際 は怪我等に注意してください。 12. 本資料に記載の製品を廃棄する場合には、使用する地域、国に対応する法令を遵守し、適切に処理してください。 13. 本資料は、弊社の著作権、ノウハウに係わる内容も含まれております。 本資料中の記載内容について、弊社または第三者の知的財産権、その他の権利の実施、使用を許諾または保証するも のではありません。これら著作物の一部を弊社の許可なく転載、複製し、第三者に開示することは固くお断りします。 14. 本資料の内容の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。 1.0-2016.01 www.sii-ic.com