NJG1134HA8 ワンセグ用広帯域 ワンセグ用広帯域 LNA GaAs MMIC ■概要 NJG1134HA8 は、ワンセグ（移動体端末向け地上デジタル 放送）での使用を主目的としたバイパス機能付き低雑音増幅 器です。ロジック回路を内蔵しており、1 ビットの切替電圧 で High Gain モード／Low Gain モードの切り替えが可能で す。ESD 保護素子を内蔵しており、高 ESD 耐圧を有します。 パッケージには USB6-A8 を採用し、小型化・低背化を実 現しました。 ■外形 NJG1134HA8 ■ アプリケーション 広帯域(470MHz～770MHz)用途 デジタル TV、モバイル TV、モバイルフォン及びタブレット PC など ■特徴 ●低電圧動作 ●低切替電圧 ●パッケージ +2.8V typ. +1.8V typ. USB6-A8 (Package size: 1.0x1.2x0.38mm typ.) ◎High Gain モード ●低消費電流 ●利得 ●低雑音 ●高入力 IP3 4.0mA typ. 10.0dB typ. 1.2dB typ. @f RF=470~620MHz +5.0dBm typ. ◎Low Gain モード ●低消費電流 ●利得 ●高入力 IP3 10µA typ. -0.6dB typ. +23.0dBm typ. ■ 端子配列 (Top View) 6 1 1 Pin INDEX 5 Bias Circuit Logic Circuit 2 4 端子配列 1. RFIN1 2. RFOUT1 3. RFIN2 4. RFOUT2 5. VCTL 6. GND 3 ■真理値表 “H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L) VCTL LNA Mode H High Gain mode L Low Gain mode 注: 本資料に記載された内容は変更することがありますので、ご了承下さい。 Ver.2013-08-21 -1- NJG1134HA8 ■絶対最大定格 T a=+25°C, Zs=Zl=50 ohm 項目 記号 条件 定格 単位 電源電圧 VDD 5.0 V 切替電圧 VCTL 5.0 V 入力電力 Pin VDD=2.8V +15 dBm 消費電力 PD 基板実装時, T j=150°C 150 mW 動作温度 T opr -40~+95 °C 保存温度 T stg -55~+150 °C ■電気的特性 1 (DC 特性) 共通条件: VDD=2.8V, T a=+25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による 項目 電源電圧 記号 条件 VDD 最小 標準 最大 単位 2.3 2.8 3.6 V 切替電圧(High) VCTL(H) High Gain モード 1.3 1.8 3.6 V 切替電圧(Low) VCTL(L) Low Gain モード 0 0 0.5 V 動作電流 1 IDD1 RF OFF, VCTL=1.8V - 4.0 5.6 mA 動作電流 2 IDD2 RF OFF, VCTL=0V - 10.0 25.0 µA 切替電流 ICTL RF OFF, VCTL=1.8V - 6.0 10.0 µA -2- NJG1134HA8 ■電気的特性 2 (High Gain モード) 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, T a=+25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による 項目 最小 標準 最大 単位 f RF 470 620 770 MHz 小信号電力利得 1 Gain1 9.0 10.0 12.5 dB 帯域内利得偏差 Gflat - 1.1 1.6 dB 雑音指数 1 NF1 - 1.20 1.45 dB 雑音指数 2 NF2 - 1.25 1.50 dB 雑音指数 3 NF3 - 1.30 1.55 dB -9.0 -5.0 - dBm +0.0 +5.0 - dBm 動作周波数 1dB 利得圧縮時 入力電力 1 入力 3 次インター セプトポイント 1 記号 条件 f RF=470~620MHz, 基板、コネクタ損失除く ※1 f RF=620~710MHz, 基板、コネクタ損失除く ※1 f RF=710~770MHz, 基板、コネクタ損失除く ※1 P-1dB(IN)1 IIP3_1 f1=f RF, f2=f RF+100kHz, P IN=-28dBm RF IN VSWR1 VSWRi1 - 2.7 3.3 - RF OUT VSWR1 VSWRo1 - 3.0 3.8 - ■電気的特性 3 (Low Gain モード) 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=0V, T a=+25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による 項目 動作周波数 小信号電力利得 2 1dB 利得圧縮時 入力電力 2 入力 3 次インター セプトポイント 2 記号 条件 f RF Gain2 基板、コネクタ損失除く ※2 P-1dB(IN)2 IIP3_2 f1=f RF, f2=f RF+100kHz, P IN=-15dBm 最小 標準 最大 単位 470 620 770 MHz -1.8 -0.6 - dB -3.0 +4.0 - dBm +10.0 +23.0 - dBm RF IN VSWR2 VSWRi2 - 1.2 1.5 - RF OUT VSWR2 VSWRo2 - 1.2 1.5 - ※1 入力側基板, コネクタ損失 0.036dB(at 470MHz), 0.053dB(at 770MHz) ※2 入出力側基板, コネクタ損失 0.072dB(at 470MHz), 0.105dB(at 770MHz) -3- NJG1134HA8 ■端子情報 番号 端子名 機能説明 1 RFIN1 RF 信号入力端子です。外部整合回路を介して RF 信号が入力されます。 この端子は推奨回路図に示す L1 を介して接地して下さい。 2 RFOUT1 High Gain モードにおいて、RF 信号が一度出力される端子です。RF 信号 は RFOUT1 端子から一度出力された後、L2 を介して RFIN2 端子より IC 内に再度入力されます。この端子は電源電圧供給端子も兼ねていますの で、推奨回路図に示す L3 を介して電源を供給して下さい。 3 RFIN2 High Gain モードにおいて、RFOUT1 端子より一度出力された RF 信号が、 IC 内に再度入力される端子です。この端子は推奨回路図に示す L2 を介し て RFOUT1 端子と接続して下さい。 4 RFOUT2 RF 信号出力端子です。この端子は推奨回路図に示す DC カットキャパシ タ C3 を直列に接続して下さい。 5 VCTL 切替電圧供給端子です。 6 GND 接地端子(0V)です。 * 本製品の RF 信号入力端子は RFIN1、RF 信号出力端子は RFOUT2 となります。 -4- NJG1134HA8 ■特性例 (High Gain モード) 共通条件: T a=+25°C, VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による Pout vs. Pin Gain, IDD vs. Pin (f=620MHz) (f=620MHz) 10 12 5 8 11 0 7 Gain 10 6 9 5 -10 Pout -15 -20 -25 8 7 3 6 2 5 -30 1 P-1dB(IN)=-2.6dBm P-1dB(IN)=-2.6dBm 4 -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5 0 0 -40 -35 -30 -25 Pin (dBm) Pout, IM3 vs. Pin -10 -5 0 Gain, NF vs. Frequency 20 12 11 0 Pout Gain (dB) Pout, IM3 (dBm) -15 Pin (dBm) (f1=620MHz, f2=620.1MHz) -20 -20 -40 -60 4 3.5 Gain 10 3 9 2.5 8 2 7 1.5 6 NF NF (dB) -35 -40 4 IDD IDD (mA) Gain (dB) Pout (dBm) -5 1 -80 -100 -40 -30 5 IIP3=+7.2dBm IM3 -20 -10 0 0.5 (Exclude PCB, Connector Losses) 4 10 0 400 450 500 550 600 650 700 750 800 Frequency (MHz) Pin (dBm) IIP3, OIP3 vs. Frequency P-1dB(IN) vs. Frequency (f1=frequency, f2=f1+100kHz, Pin=-28dBm) 5 20 OIP3 15 IIP3, OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 0 P-1dB(IN) -5 IIP3 5 -10 -15 400 10 450 500 550 600 650 Frequency (MHz) 700 750 800 0 400 450 500 550 600 650 700 750 800 Frequency (MHz) -5- NJG1134HA8 ■特性例 (High Gain モード) 共通条件: T a=+25°C, VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による IDD, Gain, NF vs. VDD K-factor vs. Frequency (f=620MHz) 20 6 12 10 5 Gain 10 8 4 6 3 IDD 2 4 5 NF 1 2 0 0 0 0 5000 10000 15000 20000 0 1 2 3 4 5 VDD (V) Frequency (MHz) P-1dB(IN) vs. VDD IIP3, OIP3 vs. VDD (f=620MHz) (f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-28dBm) 5 25 20 IIP3, OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 0 P-1dB(IN) -5 15 OIP3 10 5 -10 0 IIP3 -5 -15 0 1 2 3 4 0 5 1 2 VDD (V) 3 4 5 VDD (V) IDD vs. VCTL VSWR vs. VDD 5 8 4 6 5 IDD (mA) VSWRi(max.), VSWRo(max) 7 4 VSWRo(max.) 3 2 2 1 VSWRi(max.) 1 0 0 1 2 3 VDD (V) -6- 3 4 5 0 0 0.5 1 VCTL (V) 1.5 2 NF (dB) IDD (mA), Gain (dB) K-factor 15 NJG1134HA8 ■特性例 (High Gain モード) 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による P-1dB(IN) vs. Temp. Gain, NF vs. Temp. (fRF=620MHz) (fRF=620MHz) Gain 3.5 9 2.5 8 2 1.5 7 NF 6 1 5 0.5 4 -50 P-1dB(IN) (dBm) Gain (dB) 0 3 10 NF (dB) 11 5 4 12 P-1dB(IN) -5 -10 0 100 -15 -50 Temperature ( C) 0 50 o Temperature ( C) IIP3, OIP3 vs. Temp. IDD vs. Temp. 0 50 o 100 (RF OFF) (f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-28dBm) 7 25 6 20 5 15 IDD (mA) IIP3, OIP3 (dBm) OIP3 10 IIP3 4 IDD 3 2 5 1 0 -50 0 50 0 -50 100 0 50 100 o o Temperature ( C) Temperature ( C) VSWR vs. Temp. IDD vs. VCTL (fRF=470~770MHz) 8 5 4 6 5 4 IDD (mA) VSWRi(max.), VSWRo(max.) 7 VSWRo(max.) 3 3 o 95 C o o 0 C 75 C 2 o o 50 C 2 -25 C o VSWRi(max.) 25 C o -40 C 1 1 0 -50 0 0 50 o Temperature ( C) 100 0 0.5 1 1.5 2 VCTL (V) -7- NJG1134HA8 ■特性例 (High Gain モード) 共通条件: T a=+25°C, VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による -8- S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout S11, S22 (50MHz~20GHz) S21, S12 (50MHz~20GHz) NJG1134HA8 ■特性例 (Low Gain モード) 共通条件: T a=+25°C, VDD=2.8V, VCTL=0V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による Pout vs. Pin Gain, IDD vs. Pin (f=620MHz) (f=620MHz) 10 0 3 5 -0.5 0 2.5 Gain -1 -15 Pout -20 -1.5 IDD -30 1 -2.5 -35 0.5 P-1dB(IN)=+3.5dBm -30 -20 -10 P-1dB(IN)=+3.5dBm 0 10 -3 20 0 -40 -30 -20 -10 Pin (dBm) Pout, IM3 vs. Pin 20 0 0 -0.2 Pout Gain (dB) Pout, IM3 (dBm) 10 Gain vs. Frequency 20 -40 -0.4 -0.6 Gain -60 IM3 -0.8 -80 IIP3=+23.0dBm -100 -40 0 Pin (dBm) (f1=620MHz, f2=620.1MHz) -20 1.5 -2 -25 -40 -40 2 IDD (mA) -10 Gain (dB) Pout (dBm) -5 -30 -20 -10 0 10 20 (Exclude PCB, Connector Losses) -1 400 30 450 500 550 Pin (dBm) 600 650 700 750 800 Frequency (MHz) IIP3, OIP3 vs. Frequency P-1dB(IN) vs. Frequency (f1=frequency , f2=f1+100kHz, Pin=-15dBm) 15 28 10 IIP3, OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 26 5 IIP3 24 OIP3 22 P-1dB(IN) 20 0 400 450 500 550 600 650 Frequency (MHz) 700 750 800 18 400 450 500 550 600 650 700 750 800 Frequency (MHz) -9- NJG1134HA8 ■特性例 (Low Gain モード) 共通条件: T a=+25°C, VDD=2.8V, VCTL=0V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による K-factor vs. Frequency 20 K-factor 15 10 5 0 0 5000 10000 Frequency (MHz) - 10 - 15000 20000 NJG1134HA8 ■特性例 (Low Gain モード) 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=0V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による P-1dB(IN) vs. Temp. Gain vs. Temp. (fRF=620MHz) (fRF=620MHz) 15 0 Gain 10 P-1dB(IN) (dBm) -0.5 Gain (dB) -1 -1.5 -2 P-1dB(IN) 5 0 -2.5 -3 -50 0 50 -5 -50 100 0 50 o Temperature ( C) o Temperature ( C) 100 IDD vs. Temp. IIP3, OIP3 vs. Temp. (RF OFF) (f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-15dBm) 20 30 IIP3 25 15 IDD (µ A) IIP3, OIP3 (dBm) OIP3 20 15 10 IDD 10 5 5 0 -50 0 50 100 o 0 -50 0 50 100 o Temperature ( C) Temperature ( C) VSWR vs. Temp. (fRF=470~770MHz) VSWRi(max.), VSWRo(max.) 3 2.5 2 1.5 VSWRo(max.) 1 VSWRi(max.) 0.5 0 -50 0 50 100 o Temperature ( C) - 11 - NJG1134HA8 ■特性例 (Low Gain モード) 共通条件: T a=+25°C, VDD=2.8V, VCTL=0V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による - 12 - S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout S11, S22 (50MHz~20GHz) S21, S12 (50MHz~20GHz) NJG1134HA8 ■外部回路図 C1 RF IN 68pF RFIN1 GND VCTL 6 1 VCTL=1.8V or 0.0V 5 L1 33nH Logic Circuit Bias Circuit C3 68pF 2 L2 68nH RFOUT1 4 RFIN2 3 RFOUT2 RF OUT VDD=2.8V C2 1000pF L3 33nH ■基板実装図 チップ部品リスト VCTL Parts ID L1, L3 C1 RF IN L1 RF OUT C3 L2 C1~C3 備考 村田製作所製 LQP03T シリーズ 太陽誘電製 HK0603 シリーズ 村田製作所製 GRM03 シリーズ L2 L3 C2 GND VDD PCB (FR-4): t=0.2mm MICROSTRIP LINE WIDTH=0.4mm (Z0=50 ohm) PCB SIZE=16.8mmx16.8mm デバイス使用上 デバイス 使用上の 使用上 の 注意 [1] C1, C3 は DC ブロッキングキャパシタ、L1 はチョークインダクタです。 [2] L2, L3 は外部整合回路を形成しています。 [3] C2 はバイパスキャパシタです。 [4] GND端子(6pin)は極力インダクタンスが小さくなる様にグランドプレーンに接続して下さい。 [5] 全ての外部部品は出来るだけ IC の近傍に配置して下さい。 - 13 - NJG1134HA8 ■測定ブロック図 VCTL=1.8V or 0.0V VDD =2.8V RF Input DUT RF Output Network Analyzer S パラメータ測定ブロック V CTL=1.8V VDD =2.8V RF Input DUT RF Output Noise Source NF Analyzer NF 測定ブロック freq.1 V CTL=1.8V or 0.0V 2dB Attenuator V DD =2.8V Signal Generator RF Input Signal Generator freq.2 - 14 - DUT Power Comb. 2dB Attenuator 大信号特性測定ブロック RF Output Spectrum Analyzer NJG1134HA8 0.38±0.06 +0.012 0.038-0.009 Iパッケージ外形図 (USB6-A8) 0.03 0.2 (MIN0.15) S S 端子処理 基板 モールド樹脂 単位 重量 :金メッキ :FR5 :エポキシ樹脂 :mm :1.1mg 0.2±0.04 C0.1 6 R0.05 5 1 4 0.2±0.04 0.4 0.6 Photo resist coating 0.8 1.2±0.05 0.1±0.05 2 3 0.4 0.2±0.07 1.0±0.05 ガリウムヒ素 製品取り ガリウムヒ 素 (GaAs)製品取 製品取 り 扱 い 上 の 注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防 止のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。 廃棄する場合は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 ＜注意事項＞ このデータブック の掲載内容の 正確さに は 万全を期しており ますが、掲載 内容につ いて 何らかの法的な保 証を行うもの ではあり ませ ん。とくに応用回 路については 、製品の 代表 的な応用例を説明 するためのも のです。 また、 工業所有権その他 の権利の実施 権の許諾 を伴 うものではなく、 第三者の権利 を侵害し ない ことを保証するも のでもありま せん。 - 15 -