NJG1155UX2 GNSS 用低雑音増幅器 GaAs MMIC I 概要 NJG1155UX2 は GNSS(Global Navigation Satellite Systems)での使用を主 目的としたスタンバイ機能付き低雑音増幅器です。本製品は低雑音指数を特 徴とします。1.5V~3.3V の広い電源電圧で動作するとともに、スタンバイ機 能により通信機器の低消費電流化に貢献します。本製品は保護素子内蔵によ り高 ESD 耐圧を有します。 本製品は外部回路をわずか 2 素子で構成でき、超小型・超薄型かつ鉛フリ ー / RoHS 指定対応 / ハロゲンフリーである EPFFP6-X2 パッケージを採用 することで実装面積の低減に貢献します。 I 外形 NJG1155UX2 I アプリケーション GPS、Galileo、GLONASS 及び COMPASS などを含む GNSS 用途 I 特長 G動作周波数 G低動作電圧 G低消費電流 1550~1615MHz 2.8/ 1.8V typ. 3.5 / 3.1mA typ. @VDD=2.8/ 1.8V, VCTL=1.8V @VDD=2.8/ 1.8V, VCTL=0V (Stand-by mode) 0.1µA typ. G 高利得 19.0 / 18.5 dB typ. @VDD=2.8/ 1.8V, VCTL=1.8V G 低雑音指数 0.75dB typ. @VDD=2.8/ 1.8V, VCTL=1.8V G 小型パッケージ EPFFP6-X2 (1.1mm x 0.7mm x 0.37mm typ.) ●外部素子 2個 G 鉛フリー・RoHS 指令対応・ハロゲンフリー G MSL 1 I 端子配列 (Top View) 4 3 GND RFOUT RFIN VDD 5 VCTL 6 2 GND 端子配列 1. GND 2. VDD 3. RFOUT 4. GND 5. RFIN 6. VCTL 1 Pin INDEX 1 I 真理値表 VCTL LNA モード H アクティブモード L スタンバイモード “H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L) 注: 本資料に記載された内容は、予告なく変更することがあります。 Ver.2014-09-02 -1- NJG1155UX2 I 絶対最大定格 共通条件: Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 記号 条件 定格 単位 電源電圧 VDD 5.0 V 切替電圧 VCTL 5.0 V 入力電力 PIN VDD=2.8V +15 dBm 消費電力 PD 4 層スルーホール付き FR4 基板実装時 (101.5 x 114.5mm), Tj=150oC 430 mW 動作温度 Topr -40~+85 °C 保存温度 Tstg -55~+150 °C I 電気的特性 1 (DC) 共通条件: Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 最小 標準 最大 単位 VDD 1.5 - 3.3 V 切替電圧(High) VCTL(H) 1.2 1.8 3.3 V 切替電圧(Low) VCTL(L) 0 0 0.3 V 電源電圧 動作電流 1 (アクティブモード) 動作電流 2 (アクティブモード) 動作電流 3 (スタンバイモード) 動作電流 4 (スタンバイモード) 切替電流 -2- 記号 条件 IDD1 VDD=2.8V, VCTL=1.8V - 3.5 6.0 mA IDD2 VDD=1.8V, VCTL=1.8V - 3.1 5.5 mA IDD3 VDD=2.8V, VCTL=0V - 0.1 3.0 µA IDD4 VDD=1.8V, VCTL=0V - 0.1 3.0 µA ICTL VCTL=1.8V - 5.0 12.0 µA NJG1155UX2 I 電気的特性 2 (RF, VDD =2.8V) 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1550~1615MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による 項目 記号 条件 基板、コネクタ損失除く (0.18dB) 基板、コネクタ損失除く (0.08dB) 最小 標準 最大 単位 16.5 19.0 21.0 dB - 0.75 1.0 dB 小信号電力利得 1 Gain1 雑音指数 1 NF1 アイソレーション 1 ISL1 25.0 35.0 - dB P-1dB (IN)1 -17.0 -12.5 - dBm f1=fRF, f2=f1+/- 1MHz, Pin=-30dBm -5.0 -1.5 - dBm f1 =1712.7MHz Pin =-20dBm, f2 =1850MHz Pin =-20dBm, fmeas=1575.4MHz -4.0 0.0 - dBm 1dB 利得圧縮時 入力電力 1 入力 3 次インター セプトポイント 1 アウトバンド 入力 3 次インター セプトポイント 1 IIP3_1 IIP3_OB1 入力リターンロス 1 RLi1 6.0 10.0 - dB 出力リターンロス 1 RLo1 8.0 12.0 - dB I 電気的特性 3 (RF, VDD =1.8V) 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1550~1615MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による 項目 小信号電力利得 2 記号 Gain2 条件 基板、コネクタ損失除く (0.18dB) 基板、コネクタ損失除く (0.08dB) 最小 標準 最大 単位 15.0 18.5 21.0 dB - 0.75 1.1 dB 雑音指数 2 NF2 アイソレーション 2 ISL2 25.0 35.0 - dB P-1dB (IN)2 -20.0 -16.0 - dBm f1=fRF, f2=f1+/- 1MHz, Pin=-30dBm -10.0 -5.0 - dBm f1 =1712.7MHz Pin =-20dBm, f2 =1850MHz Pin =-20dBm, fmeas=1575.4MHz -7.0 -3.0 - dBm 1dB 利得圧縮時 入力電力 2 入力 3 次インター セプトポイント 2 アウトバンド 入力 3 次インター セプトポイント 2 IIP3_2 IIP3_OB2 入力リターンロス 2 RLi2 6.0 10.0 - dB 出力リターンロス 2 RLo2 7.0 12.0 - dB -3- NJG1155UX2 I 端子情報 -4- 番号 端子名 機能説明 1 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に 接続してください。 2 VDD LNA の電源電圧供給端子です。端子近傍にバイパスキャパシタ C1 を接続し て下さい。 3 RFOUT RF 信号出力端子です。この端子には DC ブロッキングキャパシタを含む出力 整合回路が内蔵されています。 4 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に 接続してください。 5 RFIN RF 信号入力端子です。外部整合回路 L1 を介して RF 信号が入力されます。 この端子には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 6 VCTL 切替電圧印加端子です。 NJG1155UX2 I 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による S11, S22 S21, S12 VSWRi, VSWRo Zin, Zout S11, S22 (50M~20GHz) S21, S12 (50M~20GHz) -5- NJG1155UX2 I 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による 10 Pout vs. Pin Gain, IDD vs. Pin (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 22 20 5 10 9 Gain -5 Gain (dB) Pout (dBm) 0 Pout -10 -15 18 8 16 7 14 6 IDD 12 5 10 4 P-1dB(IN)=-12.8dBm -20 8 P-1dB(IN)=-12.8dBm 3 (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) -25 -40 -30 -20 -10 0 6 -40 10 2 -30 -20 Pin (dBm) 0 10 Pin (dBm) OUT-of-band IIP3 Pout, IM3 vs. Pin (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=1712.7MHz, f2=1850MHz) (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz) 20 -10 20 OIP3=+17.3dBm 0 -20 Pout, IM3 (dBm) Pout, IM3 (dBm) 0 Pout -40 -60 Pout -20 -40 -60 IM3 IM3 -80 IIP3=-1.4dBm -100 -40 -30 -20 -10 0 -100 -40 10 Pin (dBm) (VDD=2.8V, VCTL=1.8V) 20 Gain 19 2 18 1.5 17 1 16 NF 0.5 15 (NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 0 1.45 1.5 1.55 1.6 1.65 frequency (GHz) -6- 1.7 14 1.75 Gain (dB) Noise Figure (dB) 2.5 -30 -20 -10 Pin (dBm) NF, Gain vs. frequency 3 IIP3_OB=+0.3dBm -80 0 10 IDD (mA) P-1dB(OUT)=+4.9dBm NJG1155UX2 I 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による Gain, NF vs. Temperature 3 6 Gain (dB) Gain 20 2.5 18 2 16 1.5 NF 14 1 12 0.5 5 (VDD=2.8V, VCTL=1.8V/0V, RF OFF) 1.4 1.2 IDD 1 (active mode) 4 0.8 3 0.6 IDD (stand-by mode) 2 0.4 1 0.2 (Gain, NF: Exclude PCB, Connector Losses) 10 -50 0 0 100 50 0 -50 Temperature (oC) (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=1712.7MHz at Pin=-20dBm, f2=1850MHz at Pin=-20dBm) 6 18 4 OIP3 16 2 14 0 12 -2 IIP3 10 -4 8 -6 50 Out-of-band IIP3 (dBm) 6 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) 20 -8 100 4 2 IIP3_OB 0 -2 -4 -6 -50 0 o 50 100 o Temperature ( C) Temperature ( C) P-1dB(IN) vs. Temperature -8 0 100 Out-of-band IIP3 vs. Temperature (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm) 22 8 0 50 Temperature (oC) OIP3, IIP3 vs. Temperature 6 -50 0 Return Loss vs. Temperature (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 20 (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) -12 Return Loss (dB) P-1dB(IN) (dBm) -10 P-1dB(IN) -14 -16 15 RLout 10 RLin 5 -18 -20 -50 0 50 Temperature (oC) 100 0 -50 0 50 100 Temperature (oC) -7- IDD (uA) @stand-by mode 7 IDD (mA) @active mode 22 3.5 Noise Figure (dB) 24 IDD vs. Temperature (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) NJG1155UX2 I 特性例 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による -8- S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout S11, S22 (f=50M~20GHz) S21, S12 (f=50M~20GHz) NJG1155UX2 I 特性例 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による 10 Pout vs. Pin Gain, IDD vs. Pin (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 22 10 (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) P-1dB(OUT)=+1.4dBm -5 Gain (dB) Pout (dBm) 0 Pout -10 -15 9 Gain 18 8 16 7 14 6 12 5 IDD 10 -20 8 P-1dB(IN)=-15.7dBm -25 -40 -30 -20 -10 0 6 -40 10 3 P-1dB(IN)=-15.7dBm 2 -30 -20 Pin (dBm) -10 0 10 Pin (dBm) OUT-of-band IIP3 Pout, IM3 vs. Pin (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=1712.7MHz, f2=1850MHz) (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz) 20 4 20 OIP3=+13.2dBm 0 -20 Pout, IM3 (dBm) Pout, IM3 (dBm) 0 Pout -40 -60 Pout -20 -40 -60 IM3 IM3 -80 IIP3=-4.9dBm -100 -40 -30 -20 -10 IIP3_OB=-3.0dBm -80 0 -100 -40 10 Pin (dBm) -30 -20 -10 0 10 Pin (dBm) NF, Gain vs. frequency (VDD=1.8V, VCTL=1.8V) 3 20 19 Gain 2 1.5 18 17 NF 1 Gain (dB) Noise Figure (dB) 2.5 16 0.5 15 (NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 0 1.45 1.5 1.55 1.6 1.65 1.7 14 1.75 frequency (GHz) -9- IDD (mA) 20 5 NJG1155UX2 I 特性例 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による Gain Gain (dB) 18 6 3 5 2.5 16 2 14 1.5 NF 12 1 10 0.5 IDD (mA) @active mode 20 3.5 Noise Figure (dB) 22 IDD vs. Temperature (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) (VDD=1.8V, VCTL=1.8V/0V, RF OFF) 1.2 1 IDD 4 (active mode) 0.8 3 0.6 IDD (stand-by mode) 2 0.4 1 0.2 (Gain, NF: Exclude PCB, Connector Losses) 8 -50 0 0 -50 0 100 50 Temperature (oC) (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=1712.7MHz at Pin=-20dBm, f2=1850MHz at Pin=-20dBm) 2 4 14 2 12 0 10 -2 8 -4 IIP3 4 -6 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) OIP3 Out-of-band IIP3 (dBm) 16 0 -2 IIP3_OB -4 -6 -8 -8 0 50 -10 -50 -10 100 0 50 100 o o Temperature ( C) Temperature ( C) P-1dB(IN) vs. Temperature -10 0 100 Out-of-band IIP3 vs. Temperature (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm) 18 6 2 -50 50 Temperature (oC) OIP3, IIP3 vs. Temperature 6 0 Return Loss vs. Temperature (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 20 (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) Return Loss (dB) P-1dB(IN) (dBm) -12 -14 P-1dB(IN) -16 -18 15 RLout 10 RLin 5 -20 -22 -50 0 50 Temperature (oC) - 10 - 100 0 -50 0 50 Temperature (oC) 100 IDD (uA) @stand-by mode Gain, NF vs. Temperature NJG1155UX2 I 特性例 共通条件: VCTL=1.8V, Ta=25°C, fRF=1575MHz, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による IDD vs. VDD (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) (VCTL=1.8V/0V, RF OFF) 6 2.5 5 Gain (dB) Gain 18 2 17 1.5 16 1 NF 15 0.5 IDD (mA) @active mode 19 3 Noise Figure (dB) 20 0.6 0.5 IDD (active mode) 4 0.4 3 0.3 2 0.2 IDD 1 0.1 (stand-by mode) (Gain, NF: Exclude PCB, Connector Losses) 14 0 1 1.5 2 2.5 3 3.5 0 4 0 1 1.5 2 VDD (V) 4 OIP3 2 12 0 10 -2 IIP3 8 -4 6 -6 4 Out-of-band IIP3 (dBm) 16 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) 6 2 2.5 3 3.5 0 IIP3_OB -2 -4 -6 1 4 1.5 2 2.5 3 3.5 VDD (V) VDD (V) P-1dB(IN) vs. VDD Return Loss vs. VDD (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) -8 2 -8 -8 1.5 4 (VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=1712.7MHz at Pin=-20dBm, f2=1850MHz at Pin=-20dBm) 4 8 18 1 3.5 Out-of-band IIP3 vs. VDD (VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm) 14 3 VDD (V) OIP3, IIP3 vs. VDD 20 2.5 4 (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 20 Return Loss (dB) P-1dB(IN) (dBm) -10 -12 P-1dB(IN) -14 -16 -18 15 RLout 10 RLin 5 -20 -22 0 1 1.5 2 2.5 VDD (V) 3 3.5 4 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 VDD (V) - 11 - IDD (uA) @stand-by mode Gain, NF vs. VDD NJG1155UX2 I 外部回路 1 (Top View) 4 L1 10nH 3 GND RFOUT RFIN VDD 5 RF IN 2 RF OUT VDD C1 1000pF GND VCTL 6 VCTL 1 部品リスト - 12 - 部品番号 型名 L1 村田製作所製 LQG15HS シリーズ C1 村田製作所製 GRM03 シリーズ NJG1155UX2 I 基板実装図 (Top View) L1 RF IN RF OUT 1 pin C1 VDD VCTL PCB (FR-4): 基板厚=0.2mm マイクロストリップライン幅 =0.4mm (Z0=50Ω) PCB サイズ =14.0mm x 14.0mm <PCB レイアウトガイドライン> PCB 1pin PKG Terminal PKG Outline GND Via Hole Diameter: φ= 0.2mm デバイス使用上の注意事項 ・外部素子は IC に極力近づけるように配置して下さい ・RF 特性を損なわないために、グランド用スルーホールを同端子のできるだけ近傍に配置してください - 13 - NJG1155UX2 I EPFFP6-X2 パッケージ推奨フットパターン PKG: 1.1mm x 0.7mm Pin pitch: 0.4mm - 14 - : Land : Mask (Open area) *Metal mask thickness : 100µm : Resist (Open area) NJG1155UX2 アプリケーションノート (LQW15A シリーズインダクタ使用による低雑音指数 シリーズインダクタ使用による低雑音指数アプリケーション 低雑音指数アプリケーション) アプリケーション 本アプリケーションノートは、低雑音指数のために L1 に LQW15A シリーズ(村田製作所製)インダクタ を使用した例を示します。特性例は以下の通りです。 I電気的特性 (低雑音指数アプリケーション 低雑音指数アプリケーション, 低雑音指数アプリケーション DC) 共通条件: Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 測定値 単位 VDD 2.8 / 1.8 V 切替電圧(High) VCTL(H) 1.8 V 切替電圧(Low) VCTL(L) 0 V 電源電圧 動作電流 (アクティブモード) 動作電流 (アクティブモード) 動作電流 (スタンバイモード) 動作電流 (スタンバイモード) 切替電流 記号 条件 IDD VDD=2.8V, VCTL=1.8V 4.13 mA IDD VDD=1.8V, VCTL=1.8V 3.43 mA IDD VDD=2.8V, VCTL=0V 0.1 µA IDD VDD=1.8V, VCTL=0V 0.0 µA ICTL VCTL=1.8V 6.6 µA - 15 - NJG1155UX2 低雑音指数アプリケーション, I 電気的特性 (低雑音指数アプリケーション 低雑音指数アプリケーション RF, VDD=2.8V) 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1550~1615MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 2 による 項目 記号 小信号電力利得 Gain NF 雑音指数 1dB 利得圧縮時 入力電力 入力 3 次インター セプトポイント アウトバンド 入力 3 次インター セプトポイント 条件 測定値 単位 基板、コネクタ損失除く 19.0 ~ 19.1 dB 基板、コネクタ損失除く 0.56 ~ 0.59 dB -13.6 ~ -13.2 dBm f1=fRF, f2=f1+/- 1MHz, Pin=-30dBm -2.1 dBm f1 =1712.7MHz Pin =-20dBm, f2 =1850MHz Pin =-20dBm fmeas=1575.4MHz -0.4 dBm P-1dB (IN) IIP3 IIP3_OB 入力リターンロス RLi 8.8 ~ 10.3 dB 出力リターンロス RLo 11.1 ~ 11.8 dB I 電気的特性 (低雑音指数アプリケーション 低雑音指数アプリケーション, 低雑音指数アプリケーション RF, VDD=1.8V) 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1550~1615MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 2 による 項目 小信号電力利得 雑音指数 1dB 利得圧縮時 入力電力 入力 3 次インター セプトポイント アウトバンド 入力 3 次インター セプトポイント 記号 条件 測定値 単位 Gain 基板、コネクタ損失除く(0.18dB) 18.3 ~ 18.5 dB NF 基板、コネクタ損失除く(0.08dB) 0.59 ~ 0.62 dB -16.5 ~ -16.1 dBm f1=fRF, f2=f1+/- 1MHz, Pin=-30dBm -5.3 dBm f1 =1712.7MHz Pin =-20dBm, f2 =1850MHz Pin =-20dBm fmeas=1575.4MHz -3.6 dBm P-1dB (IN) IIP3 IIP3_OB 入力リターンロス RLi 8.4 ~ 9.8 dB 出力リターンロス RLo 10.3 ~ 11.5 dB - 16 - NJG1155UX2 I 外部回路 (LQW15A Series high-Q inductor 使用) 使用 (Top View) 4 L1 12nH RF IN 3 GND RFOUT RFIN VDD 5 RF OUT 2 VDD C1 1000pF GND VCTL VCTL 6 1 部品リスト 部品番号 型名 L1 村田製作所製 LQW15A シリーズ C1 村田製作所製 GRM03 シリーズ - 17 - NJG1155UX2 I 基板実装図 (LQW15A Series high-Q inductor 使用) 使用 (Top View) L1 RF IN RF OUT 1 pin VCTL - 18 - C1 VDD PCB (FR-4): 基板厚=0.2mm マイクロストリップライン幅 =0.4mm (Z0=50Ω) グランドビアホール直径 = 0.2mm PCB サイズ =14.0mm x 14.0mm NJG1155UX2 I NF 測定ブロックダイアグラム 使用測定器 ・NF アナライザ ：Agilent N8973A ・ノイズソース ：Agilent 346A NF アナライザ設定 ・Measurement mode form Device under test ：Amplifier System downconverter ：off ・Mode setup form ：LSB Sideband ・Averages ：16 ・Average mode ：Point ・Bandwidth ：4MHz ・Loss comp ：off ・Tcold ：ノイズソース本体の温度を入力（303.15K） NF Analyzer (Agilent N8973A) Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB Noise Source (Agilent 346A) * 測定精度向上のため、プリアンプ Input (50Ω) Noise Source Drive Output を使用 * ノイズソース、プリアンプ、 NF アナライザは直接接続 キャリブレーション時 NF Analyzer (Agilent N8973A) Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB Noise Source (Agilent 346A) * ノイズソース、DUT、プリアンプ、 IN DUT OUT Input (50Ω) Noise Source Drive Output NF アナライザは直接接続 NF 測定時 - 19 - NJG1155UX2 I パッケージ外形図（EPFFP6-X2） パッケージ外形図 TOP VIEW SIDE VIEW BOTTOM VIEW 単位 基板 端子処理 モールド樹脂 重量 ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 製品取り扱い上の注意事項 ガリウムヒ素 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、 製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関 連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 - 20 - ：mm ：FR-4 ：Au メッキ ：エポキシ樹脂 ：0.7mg ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。