NJG1150UA2 GNSS 用低雑音増幅器 GaAs MMIC I 概要 NJG1150UA2 は GNSS(Global Navigation Satellite Systems)での使用を主 目的としたスタンバイ機能付き低雑音増幅器です。本製品は低雑音指数及び 低歪みを特徴とします。1.5V~3.3V の広い電源電圧で動作するとともに、ス タンバイ機能による通信機器の低消費電流化に貢献します。本製品は保護素 子内蔵により高 ESD 耐圧を有します。 本製品は外部回路をわずか 2 素子で構成し、超小型・超薄型かつ鉛フリー / RoHS 指定対応 / ハロゲンフリーである EPFFP6-A2 パッケージを採用する ことで実装面積の低減に貢献します。 I 外形 NJG1150UA2 I アプリケーション GPS、Galileo、GLONASS 及び COMAPSS などを含む GNSS 用途 I 特徴 G低動作電圧 G低消費電流 1.8/ 2.8V typ. 4.2 / 4.9mA typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V 0.1µA typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=0V (Stand-by mode) G 高利得 16.0dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz G 低雑音指数 0.6dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz G 高入力 IP3 -1 / +1dBm typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1575+1575.1MHz G 高アウトバンド入力 IP3 +5 / +6dBm typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1712.7+1850MHz G 小型パッケージ EPFFP6-A2 (1.0mmx1.0mmx0.37mm typ.) G 鉛フリー・RoHS 指令対応・ハロゲンフリー G MSL1 I 端子配列 (Top View) GND 5 4 6 VCTL VDD RFIN RFOUT 1Pin INDEX 端子配列 1. RFIN 2. GND 3. RFOUT 4. VDD 5. GND 6. VCTL 3 1 2 GND I 真理値表 “H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L) VCTL LNA モード H アクティブモード L スタンバイモード 注: 本資料に記載された内容は、予告なく変更することがあります。 Ver.2014-06-30 -1- NJG1150UA2 I 絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 記号 条件 定格 単位 電源電圧 VDD 5.0 V 切替電圧 VCTL 5.0 V 入力電力 PIN VDD=2.8V +15 dBm 消費電力 PD 4 層スルーホール付き FR4 基板実装時 (101.5 x 114.5mm), Tj=150oC 590 mW 動作温度 Topr -40~+85 °C 保存温度 Tstg -55~+150 °C I 電気的特性 1 (DC 特性) 共通条件: Ta=+25°C 項目 最小 標準 最大 単位 VDD 1.5 - 3.3 V 切替電圧(High) VCTL(H) 1.5 1.8 3.3 V 切替電圧(Low) VCTL(L) 0 0 0.3 V - 4.9 8.0 mA - 4.2 7.0 mA - 0.1 3.0 µA - 0.1 3.0 µA - 5.0 12.0 µA 電源電圧 記号 動作電流 1 IDD1 動作電流 2 IDD2 動作電流 3 IDD3 動作電流 4 IDD4 切替電流 ICTL 条件 アクティブモード, VDD=2.8V, VCTL=1.8V アクティブモード, VDD=1.8V, VCTL=1.8V スタンバイモード, VDD=2.8V, VCTL=0V スタンバイモード, VDD=1.8V, VCTL=0V VCTL=1.8V -2- NJG1150UA2 I 電気的特性 2 (RF) 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1555~1610MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による 項目 記号 小信号電力利得 1 Gain1 雑音指数 1 NF1 1dB 利得圧縮時 入力電力 1 入力 3 次インター セプトポイント 1 アウトバンド 入力 3 次インター セプトポイント 1 700MHz 帯 高調波 1 条件 最小 標準 最大 単位 14.5 16.0 17.0 dB - 0.6 0.9 dB -12.0 -7.0 - dBm f1=fRF, f2=f1+/- 1MHz, Pin=-30dBm -1.0 +1.0 - dBm f1 =1712.7MHz Pin =-20dBm, f2 =1850MHz Pin =-65dBm +2.0 +6.0 - dBm - -45.0 - dBm 基板、コネクタ損失除く (0.17dB) 基板、コネクタ損失除く (0.08dB) P-1dB (IN)1 IIP3_1 IIP3_OB1 2fo1 妨害波条件: 787.76MHz at -25dBm 高調波測定周波数: at 1575.52MHz RF IN VSWR1 VSWRi1 - 1.9 2.4 - RF OUT VSWR1 VSWRo1 - 1.8 2.3 - I 電気的特性 3 (RF) 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1555~1610MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 2 による 項目 小信号電力利得 2 雑音指数 2 1dB 利得圧縮時 入力電力 2 入力 3 次インター セプトポイント 2 アウトバンド 入力 3 次インター セプトポイント 2 700MHz 帯 高調波 2 記号 Gain2 NF2 条件 最小 標準 最大 単位 14.0 16.0 17.0 dB - 0.6 0.95 dB -14.0 -9.0 - dBm f1=fRF, f2=f1+/- 1MHz, Pin=-30dBm -6.0 -1.0 - dBm f1 =1712.7MHz Pin =-20dBm, f2 =1850MHz Pin =-65dBm -1.0 +5.0 - dBm - -45.0 - dBm 基板、コネクタ損失除く (0.17dB) 基板、コネクタ損失除く (0.08dB) P-1dB (IN)2 IIP3_2 IIP3_OB2 2fo2 妨害波条件: 787.76MHz at -25dBm 高調波測定周波数: at 1575.52MHz RF IN VSWR2 VSWRi2 - 1.9 2.6 - RF OUT VSWR2 VSWRo2 - 1.8 2.5 - -3- NJG1150UA2 I 端子情報 番号 端子名 機能説明 1 RFIN RF 信号入力端子です。外部整合回路 L1 を介して RF 信号が入力されます。 この端子には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 2 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に 接続してください。 3 RFOUT RF 信号出力端子です。この端子には DC ブロッキングキャパシタを含む出力 整合回路が内蔵されています。 4 VDD LNA の電源電圧供給端子です。端子近傍にバイパスキャパシタ C1 を接続し て下さい。 5 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に 接続してください。 6 VCTL 切り替え電圧印加端子です。 -4- NJG1150UA2 I 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による S11, S22 S21, S12 VSWRi, VSWRo Zin, Zout S11, S22 (50M~20GHz) S21, S12 (50M~20GHz) -5- NJG1150UA2 I 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による Gain, I 20 16 Gain (dB) 0 Pout (dBm) 10 9 18 5 -5 Pout -10 -15 -20 Gain -30 -20 -10 8 7 12 6 10 5 8 4 P-1dB(IN)=-6.6dBm 6 -25 -40 IDD 14 0 4 -40 10 2 -30 -20 Pin (dBm) 20 3 (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) P-1dB(IN)=-6.6dBm -10 0 10 Pin (dBm) OIP3, IIP3 vs. frequency Pout, IM3 vs. Pin (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, df=1MHz, Pin=-30dBm) (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz) 20 12 10 18 0 OIP3 8 14 6 12 4 2 10 Pout IIP3 8 0 6 -2 Pout , IM3 (dBm) 16 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) vs. Pin DD (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz) IDD (mA) Pout vs. Pin (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz) 10 -20 -40 -60 IM3 -80 IIP3=+1.3dBm 4 1500 1525 1550 1575 1600 1625 -100 -40 -4 1650 -30 NF, Gain vs. frequency (VDD=2.8V, VCTL=1.8V) -10 0 10 2.0 2.5 ICTL vs. VCTL 17 30 2.5 16 25 2.0 15 20 1.5 14 3.0 -20 Pin (dBm) frequency (MHz) (RF OFF) 13 1.0 ICTL (µ A) Gain (dB) Noise Figure (dB) Gain 15 10 NF ICTL 12 0.5 5 (NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 0.0 1.45 1.50 1.55 1.60 1.65 frequency (GHz) 1.70 11 1.75 0 0.0 0.5 1.0 1.5 VCTL (V) -6- NJG1150UA2 I 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による NF, Gain vs. Temperature I (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz) 17 16 2.0 15 1.5 14 1.0 13 NF IDD (mA) @Active mode (Active mode) 2.5 Gain (dB) Noise Figure (dB) 3.0 IDD Gain 0.5 vs. Temperature DD (VDD=2.8V, VCTL=1.8V/0V, RF OFF) 6 12 5 2.5 4 2.0 3 1.5 2 1.0 IDD 1 0.5 IDD (µ A) @Standby mode 3.0 (Standby mode) (NF, Gain : Exclude PCB, Connector Losses) 0.0 -50 0 50 11 100 0 -50 0 Temperature (oC) 0 0.0 100 Temperature (oC) P-1dB(IN) vs. Temperature OIP3, IIP3 vs. Temperature (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz) (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm) 8 20 -2 OIP3 18 6 16 4 14 2 P-1dB(IN) -6 -8 IIP3 (dBm) -4 OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 50 -10 12 IIP3 0 -12 -14 -50 0 50 10 -50 100 0 Temperature (oC) -2 100 Temperature (oC) IIP3_OB vs. Temperature 10 50 2fo vs. Temperature (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1712.7MHz, Pin1=-20dBm, f2=1850MHz, Pin2=-65dBm) -20 (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fin=787.76MHz, Pin=-25dBm) -25 8 6 2fo(dBm) IIP3_OB (dBm) -30 IIP3_OB 4 -35 -40 2fo -45 -50 2 -55 0 -50 0 50 Temperature (oC) 100 -60 -50 0 50 100 Temperature (oC) -7- NJG1150UA2 I 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による VSWR vs. Temperature 3.0 k factor vs. frequency (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz) (VDD=2.8V, VCTL=1.8V) 20 2.5 15 VSWRi +25oC, +85oC k factor VSWR 2.0 1.5 VSWRo 10 -40oC 1.0 5 0.5 0.0 -50 0 0 50 Temperature (oC) 100 0 5 10 15 20 frequency (GHz) -8- NJG1150UA2 I 特性例 共通条件: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 1 による I 6 16 5 Gain 2.0 15 1.5 14 Gain (dB) Noise Figure (dB) 2.5 17 13 1.0 NF IDD (mA) @Active mode (VCTL=1.8V, f=1575MHz) 12 0.5 vs. V DD DD (VCTL=1.8V/0V, RF OFF) 3.0 IDD 2.5 (Active mode) 4 2.0 3 1.5 2 1.0 1 0.5 IDD IDD (µ A) @Standby mode NF, Gain vs. VDD 3.0 (Standby mode) (NF, Gain : Exclude PCB, Connector Losses) 0.0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 11 3.5 0 1.0 1.5 2.0 VDD (V) 3.0 0.0 3.5 VDD (V) OIP3, IIP3 vs. V P-1dB(IN) vs. VDD (VCTL=1.8V, f=1575MHz) 0 2.5 18 DD (VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm) 6 -2 4 -6 P-1dB(IN) -8 14 2 12 0 IIP3 (dBm) OIP3 OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 16 -4 -10 10 -12 -14 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 8 1.0 3.5 -2 IIP3 1.5 VDD (V) 2.0 2.5 3.0 -4 3.5 VDD (V) IIP3_OB vs. V 2fo vs. V DD (VCTL=1.8V, f1=1712.7MHz, Pin1=-20dBm, f2=1850MHz, Pin2=-65dBm) 10 -20 DD (VCTL=1.8V, fin=787.76MHz, Pin=-25dBm) -25 8 2fo(dBm) IIP3_OB (dBm) -30 IIP3_OB 6 4 -35 -40 2fo -45 -50 2 -55 0 1.0 1.5 2.0 2.5 VDD (V) 3.0 3.5 -60 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 VDD (V) -9- NJG1150UA2 I 特性例 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 2 による S11, S22 S21, S12 VSWRi, VSWRo Zin, Zout S11, S22 (50M~20GHz) S21, S12 (50M~20GHz) - 10 - NJG1150UA2 I 特性例 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 2 による Gain, I Pout vs. Pin 10 (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz) vs. Pin DD (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz) 20 10 9 18 5 Gain Pout -10 -15 -20 7 14 IDD 12 6 10 5 8 4 P-1dB(IN)=-11.0dBm 6 -20 -10 0 4 -40 10 2 -30 -20 Pin (dBm) 20 3 (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) P-1dB(IN)=-11.0dBm -30 IDD (mA) Gain (dB) Pout (dBm) -5 -25 -40 8 16 0 -10 0 10 Pin (dBm) Pout, IM3 vs. Pin OIP3, IIP3 vs. frequency (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz) (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, df=1MHz, Pin=-30dBm) 20 12 10 18 0 -20 -40 -60 IM3 OIP3 8 14 6 12 4 10 2 8 IIP3 IIP3 (dBm) 16 OIP3 (dBm) Pout , IM3 (dBm) Pout 0 -80 -2 6 IIP3=+0.2dBm -100 -40 -30 -20 -10 0 4 1500 10 Pin (dBm) 1525 1550 1575 1600 1625 -4 1650 frequency (MHz) NF, Gain vs. frequency (VDD=1.8V, VCTL=1.8V) Noise Figure (dB) 2.5 17 Gain 16 2.0 15 1.5 14 Gain (dB) 3.0 13 1.0 NF 12 0.5 (NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 0.0 1.45 1.50 1.55 1.60 1.65 1.70 11 1.75 frequency (GHz) - 11 - NJG1150UA2 I 外部回路 1 (VDD=2.8V) (Top View) GND VCTL 5 4 6 L1 15nH VCTL VDD RFIN RFOUT 1 RF IN 3 VDD C1 1000pF RF OUT 2 GND 部品リスト 部品番号 型名 L1 村田製作所製 LQW15A シリーズ C1 村田製作所製 GRM03 シリーズ I 外部回路 2 (VDD=1.8V) (Top View) GND VCTL L1 13nH RF IN 5 6 4 VCTL VDD RFIN RFOUT 3 1 VDD C1 1000pF RF OUT 2 GND 部品リスト 部品番号 型名 L1 村田製作所製 LQW15A シリーズ C1 村田製作所製 GRM03 シリーズ - 12 - NJG1150UA2 I 基板実装図 (Top View) VCTL PCB (FR-4): 基板厚=0.2mm マイクロストリップライン幅 =0.4mm (Z0=50Ω) PCB サイズ =14.0mm x 14.0mm VDD C1 RF IN L1 RF OUT 1 Pin INDEX <PCB レイアウトガイドライン> PCB PKG Terminal PKG Outline GND Via Hole Diameter: φ= 0.4mm デバイス使用上の注意事項 ・RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐために、IC の下にグランドパターンを配置して下さい。 ・外部素子は IC に極力近づけるように配置して下さい。 ・RF 特性を損なわないために、IC の GND 端子は最短距離で基板のグランドパターンに接続できる パターンレイアウトを行ってください。 また、グランド用スルーホールも同端子のできるだけ近傍に配置してください。 - 13 - NJG1150UA2 I EPFFP6-A2 パッケージ推奨フットパターン : ランド Package: 1.0 x 1.0mm : マスク (開口部) *メタルマスク厚 : 100um Pin pitch: 0.4mm : レジスト (開口部) - 14 - NJG1150UA2 アプリケーションノート (MLG0603P シリーズインダクタ使用による実装面積縮小アプリケーション) シリーズインダクタ使用による実装面積縮小アプリケーション 本アプリケーションノートは、実装面積縮小のために L1 に 0603 サイズの小型インダクタを使用した 場合の例を示します。L1 には MLG0603P（TDK-EPC 製）を使用しています。特性例は以下の通りです： I 電気的特性 4 (DC) 共通条件: Ta=+25°C 項目 最小 標準 VDD 2.8 / 1.8 V 切替電圧(High) VCTL(H) 1.8 V 切替電圧(Low) VCTL(L) 0 V 5.04 mA 4.33 mA 0.1 µA 0.1 µA 6.0 µA 電源電圧 記号 動作電流 1 IDD1 動作電流 2 IDD2 動作電流 3 IDD3 動作電流 4 IDD4 切替電流 ICTL 条件 アクティブモード, VDD=2.8V, VCTL=1.8V アクティブモード, VDD=1.8V, VCTL=1.8V スタンバイモード, VDD=2.8V, VCTL=0V スタンバイモード, VDD=1.8V, VCTL=0V VCTL=1.8V I 電気的特性 5 (RF) 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1555~1610MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 3 による 項目 小信号電力利得 5 雑音指数 5 1dB 利得圧縮時 入力電力 5 入力 3 次インター セプトポイント 5 アウトバンド 入力 3 次インター セプトポイント 5 700MHz 帯 高調波 5 記号 条件 最小 標準 Gain5 基板、コネクタ損失除く 15.3~15.7 dB NF5 基板、コネクタ損失除く 0.80~0.84 dB -8.6~-6.6 dBm +0.2~+1.5 dBm f1 =1712.7MHz Pin =-20dBm, f2 =1850MHz Pin =-65dBm +4.3 dBm 妨害波条件: 787.76MHz at -25dBm 高調波測定周波数: at 1575.52MHz -44.8 dBm P-1dB (IN)5 IIP3_5 IIP3_OB5 2fo5 f1=fRF, f2=f1+/- 1MHz, Pin=-30dBm RF IN VSWR5 VSWRi5 1.54~1.60 - RF OUT VSWR5 VSWRo5 1.54~1.69 - - 15 - NJG1150UA2 I 電気的特性 6 (RF) 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1555~1610MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路 3 による 項目 小信号電力利得 6 雑音指数 6 1dB 利得圧縮時 入力電力 6 入力 3 次インター セプトポイント 6 アウトバンド 入力 3 次インター セプトポイント 6 700MHz 帯 高調波 6 記号 条件 最小 標準 Gain6 基板、コネクタ損失除く 14.9~15.4 dB NF6 基板、コネクタ損失除く 0.77~0.83 dB -10.5 ~ -10.0 dBm +0.5 ~ +1.2 dBm f1 =1712.7MHz Pin =-20dBm, f2 =1850MHz Pin =-65dBm +5.8 dBm 妨害波条件: 787.76MHz at -25dBm 高調波測定周波数: at 1575.52MHz -45.5 dBm P-1dB (IN)6 IIP3_6 IIP3_OB6 2fo6 f1=fRF, f2=f1+/- 1MHz, Pin=-30dBm RF IN VSWR6 VSWRi6 1.67~1.78 - RF OUT VSWR6 VSWRo6 1.87~2.11 - - 16 - NJG1150UA2 I 外部回路 3 (MLG0603P シリーズインダクタ使用) (Top View) GND VCTL 5 L1 13nH VCTL VDD RFIN RFOUT 1 RF IN VDD 4 6 C1 1000pF RF OUT 3 2 GND 部品リスト 部品番号 型名 L1 TDK-EPC 製 MLG0603P シリーズ C1 村田製作所製 GRM03 シリーズ I 基板実装図 (MLG0603P シリーズインダクタ使用) (Top View) VCTL VDD C1 RF IN L1 RF OUT PCB (FR-4): 基板厚=0.2mm マイクロストリップライン幅 =0.4mm (Z0=50Ω) グランドビアホール直径 = 0.2mm PCB サイズ =14.0mm x 14.0mm 1 Pin INDEX - 17 - NJG1150UA2 I NF 測定ブロックダイアグラム 使用測定器 ・NF アナライザ ：Agilent 8973A ・ノイズソース ：Agilent 346A NF アナライザ設定 ・Measurement mode form Device under test ：Amplifier System downconverter ：off ・Mode setup form ：LSB Sideband ・Averages ：16 ・Average mode ：Point ・Bandwidth ：4MHz ・Loss comp ：off ・Tcold ：ノイズソース本体の温度を入力（303.15K） NF Analyzer (Agilent N8973A) Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB Noise Source (Agilent 346A) * 測定精度向上のため、プリアンプ Input (50Ω) Noise Source Drive Output を使用 * ノイズソース、プリアンプ、 NF アナライザは直接接続 キャリブレーション時 NF Analyzer (Agilent N8973A) Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB Noise Source (Agilent 346A) * ノイズソース、DUT、プリアンプ、 IN DUT OUT Input (50Ω) Noise Source Drive Output NF アナライザは直接接続 NF 測定時 - 18 - NJG1150UA2 I パッケージ外形図（EPFFP6-A2） 単位 基板 端子処理 モールド樹脂 重量 ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 製品取り扱い上の注意事項 ガリウムヒ素 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、 製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関 連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 ：mm ：FR-4 ：Au メッキ ：エポキシ樹脂 ：0.855mg ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 - 19 -