下载

FUJITSU SEMICONDUCTOR
数据手册
DS405-00008-0v01-Z
ASSP
用于照明的 LED 驱动器 IC
MB39C601
■ 产品描述
MB39C601 是反激式开关调节控制器 IC。它根据 LED 负载来控制开关导通时间或控制开关频率，从而实现对 LED 电流
的调节。
它非常适合用于常规照明应用，如商铺和住宅照明灯泡等。
■ 特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
单次转换提供高功率因数
轻载且在开关频率控制方式下的低功耗模式时间歇动作，具有高效率
根据 FB 引脚电流进行频率设置
：30 kHz 到 130 kHz
无需额外采样电阻即可控制初级绕组的电流
通过连接 TRIAC 相位检测器实现 TRIAC 可调光 LED 照明
通过检测变压器零能量，实现高效率并降低 EMI
内置低电压锁止功能
内置过载保护功能
内置输出过电压保护功能
内置过温保护功能
输入电压范围 VDD
：9 V 到 20 V
LED 照明应用的输入电压范围
：AC110 VRMS, AC230 VRMS
封装
：SOP-8（3.9 毫米 × 5.05 毫米 × 1.75 毫米 [ 最大 ]）
■ 应用
• LED 照明
• TRIAC 可调光 LED 照明等
Copyright ©2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2012.12
MB39C601
■ 引脚分配
（顶视图）
FB
1
8
VDD
TZE
2
7
GND
PCL
3
6
DRN
OTM
4
5
VCG
(FPT-8P-M02)
■ 引脚描述
2
引脚编号
引脚名称
输入 / 输出
1
FB
输入
开关频率设置。
2
TZE
输入
变压器零能量检测引脚。
3
PCL
输入
用于控制变压器初级绕组峰值电流的引脚。
4
OTM
输入
导通时间设置引脚。
5
VCG
—
外部 MOSFET 栅极偏置引脚。
6
DRN
输出
外部 MOSFET 源极连接引脚。
7
GND
—
接地引脚。
8
VDD
—
电源引脚。
描述
DS405-00008-0v01-Z
VIN
AC
DS405-00008-0v01-Z
CVDD
1
CBULK
1
1
1
OTM
1
TZE
FB
VDD
4
2
1
8
IOTM
IFB
FB
OV
故障
3V
1V
VGATE
导通时间调制和故障
响应控制
5V
20mV
t SW
VVCG
LDO
使能
PWM
IFB
故障
D
IFB
热关闭
UVLO
Q
Q
VVDD
开关
2V
14V
电流感应
VGATE
放电
VVCG
分流
频率调制器
1/t SW
使能
PWM
故障锁存器复位
故障定时和控制
关闭与重启
闭锁或重试
零能量检测
反馈处理
调制器
0A<IFB <200μA
低功率模式
IFB >200μA
I =0μA 过载
IFB
10V/8V
UVLO
10V/6V
故障锁存器复位
13V
IFB
IFB
MB39C601
IP
电流调制器
驱动器
HS
驱动
3
7
6
5
PCL
GND
DRN
VCG
1
1
DBIAS
D1
1
CVCG
Rst
1
2
1
2
Co
2
2
Rs
Vs
MB39C601
■ 方块图 （导通时间控制应用）
3
MB39C601
■ 绝对最大额定值
参数
符号
条件
额定值
最小值
最大值
单位
VVDD
VDD 引脚
−0.3
+25
V
VDRN
DRN 引脚
—
20
V
VVCG
VCG 引脚
−0.3
+16
V
VTZE
TZE 引脚
−0.3
+6.0
V
VOTM
OTM 引脚
−0.3
+6.0
V
VPCL
PCL 引脚
−0.3
+6.0
V
VFB
FB 引脚
−0.3
+2.0
V
IVCG
VCG 引脚
—
10
mA
IOTM
OTM 引脚
−1
0
mA
IPCL
PCL 引脚
−1
0
mA
IFB
FB 引脚
0
1
mA
IDRN
DRN 引脚
—
4
A
IDRN
DRN 引脚
脉冲 200ns，2 % 占空比
−0.01
+4.5
A
功率消耗
PD
Ta ≤ +25 °C
—
1053
mW
储存温度
TSTG
−55
+125
°C
电源电压
输入电压
输入电流
输出电流
—
< 警告 > 如在半导体器件上施加的负荷 ( 电压、电流、温度等 ) 超过最大额定值，将会导致该器件永久性损坏，
因此任何参数均不得超过其绝对最大额定值。
■ 推荐工作条件
参数
符号
条件
值
最小值
典型值
最大值
单位
VDD 引脚输入电压
VDD
VDD 引脚
9
—
20
V
VCG 引脚输入电压
VCG
VCG 引脚 （来自低阻抗源）
9
—
13
V
VCG 引脚输入电流
IVCG
VCG 引脚 （来自高阻抗源）
10
—
2000
μA
OTM 引脚
关闭 / 重试模式
25
—
100
kΩ
OTM 引脚
闭锁模式
150
—
750
kΩ
24.3
—
100
kΩ
OTM 引脚连接电阻值
ROTM
PCL 引脚连接电阻值
RPCL
PCL 引脚
TZE 引脚连接电阻值
RTZE1
TZE 引脚
辅助绕组连接电阻
50
—
200
kΩ
VCG 引脚连接电容值
CVCG
VCG 引脚
33
—
200
nF
VDD 引脚旁路电容值
CBP
VDD 引脚
陶瓷电容
0.1
—
1
μF
工作环境温度
Ta
−40
+25
+85
°C
—
< 警告 > 为确保半导体器件的正常工作，其须满足所推荐的运行环境或条件。器件在所推荐的环境或条件下运
行时，其全部电气特性均可得到保证。请务必在所推荐的工作环境或条件范围内使用该半导体器件。
如超出该等范围使用，可能会影响该器件的可靠性并导致故障。
本公司对本数据手册中未记载的使用范围、运行条件或逻辑组合不作任何保证。如果用户欲在所列条
件之外使用器件，请务必事先联系销售代表。
4
DS405-00008-0v01-Z
MB39C601
■ 电气特性
(Ta = +25 °C, VVDD = 12 V)
参数
VDD 和
VCG 电源
符号
VCG
VCG 输出电压
（工作）
(OPERATING)
VCG 输出电压
（禁能）
(DISABLED)
VCG
引
脚
编
号
值
条件
单
最小值 典型值 最大值 位
5
VVDD = 14 V, IVCG = 2.0 mA
13
14
15
V
5
VVDD = 12 V, IVCG = 15 μA,
IFB = 350 μA
15
16
17
V
1.75
2.00
2.15
V
VCG 输出电压
差
ΔVCG
5
VCG(DISABLED) − VCG(OPERATING)
VCG 分流输入
电流
IVCG(SREG)
5
VVCG = VCG(DISABLED) − 100 mV,
VVDD = 12 V
—
12
20
μA
VCG 分流负载
调节
ΔVCG(SREG)
5
15 μA < IVCG ≤ 5 mA,
IFB = 350 μA
—
125
200
mV
VCG LDO 输出
电压
VCG(LREG)
5
VVDD = 20 V, IVCG = -2 mA
—
13
—
V
—
VDD − VCG,
VVDD = 11 V, IVCG = −2 mA
—
2.0
2.8
V
VCG LDO
Dropout 电压
VCG
(LREG, DO)
UVLO 开启阈值
电压
VDD(ON)
8
9.7
10.2
10.7
V
UVLO 关闭阈值
电压
VDD(OFF)
8
7.55
8.00
8.50
V
UVLO 迟滞
ΔVDD(UVLO)
8
VDD(ON) − VDD(OFF)
1.9
2.2
2.5
V
VDD 开关导通
电阻
RDS, ON (VDD)
6,8
VVCG = 12 V, VVDD = 7 V,
IDRN = 50 mA*
—
4*
10*
Ω
5.6
6.0
6.4
V
故障锁存器复位
VDD 电压
DS405-00008-0v01-Z
VDD
8
(FAULT RESET)
5
MB39C601
符号
条件
最小开关周期
tSW(HF)
6
FM 模式 IFB = 0 μA
最大开关周期
tSW(LF)
6
IFB = IFB, CNR3 − 20 μA
DRN 最大峰值
电流
IDRN(peak, max)
6
DRN 最小峰值
电流
IDRN(peak, min)
参数
7.500
7.875
μs
31
34
38
μs
IFB = 0 μA, RPCL = 33.2 kΩ
2.85
3.00
3.15
A
6
IFB = 0 μA, RPCL = 100 kΩ
0.8
0.9
1.0
A
6
IFB, CNR2 +10 μA, RPCL = 33.2 kΩ
0.82
1.00
1.29
A
6
IFB, CNR2 +10 μA, RPCL = 100 kΩ
0.20
0.33
0.50
A
RPCL 开路的最小 IDRN (peak, absmin)
峰值电流
6
RPCL = 开路
0.30
0.45
0.60
A
ILIM 消隐时间
6
IFB = 0 μA, RPCL = 100 kΩ，
DRN 上 1.2 A 上拉
—
220
—
μs
3
IFB = 0 μA
2.94
3.00
3.06
V
3
IFB = (IFB, CNR3 − 20 μA)
0.95
1.00
1.05
V
tBLANK (ILIM)
PCL 电压
VPCL
FM 模式的
IFB 范围
IFB, CNR1
1
tS = tS(LF), IDRN = IDRN(peak, max)
145
165
195
μA
AM 模式的
IFB 范围
IFB, CNR2IFB, CNR1
1
tS = tS(LF), IDRN(peak) 变化范围 =
IDRN(peak, max) 到
IDRN(peak, min)
35
45
65
μA
LPM 的 IFB 范围
IFB, CNR3IFB, CNR2
1
50
70
90
μA
LPM 的 IFB 迟滞
IFB, LPM-HYST
1
10
25
40
μA
VFB
1
0.34
0.70
0.84
V
FB 电压
过电压故障
6
IFB = 10 μA
驱动器导通电阻
RDS(on)(DRN)
6,7 IDRN = 4.0 A*
—
200*
400*
mΩ
驱动器关闭漏电
流
IDRN(OFF)
6,7 VDRN = 12 V
—
1.5
20
μA
高端驱动器导通
电阻
RDS(on)(HSDRV)
5,6 高端
驱动器电流 = 50 mA*
—
6*
11*
Ω
DRN 放电电流
IDIS
6,7 VDD = 开路， DRN = 12 V，
故障锁存器置位
2.0
2.8
3.6
mA
5
20
50
mV
−200
−160
−100
mV
0.10
0.15
0.20
V
—
150
—
ns
2.0
2.4
2.8
μs
150
240
300
μs
TZE 零能量阈值
电压
变压器零能量
检测
单
最小值 典型值 最大值 位
7.125
调制
驱动器
值
引
脚
编
号
VTZE(TH)
2
TZE 钳位电压
VTZE(CLAMP)
2
起始定时器工作
阈值电压
VTZE(START)
2
驱动器开启延迟
时间
tDRY(TZ2D)
6
零能量检测的等
待时间
tWAIT(TZE)
6
起始定时器周期
tST
6
OVP 阈值电压
VTZE(OVP)
2
4.85
5.00
5.15
V
OVP 消隐时间
tBLANK, OVP
6
0.6
1.0
1.7
μs
输入偏置电流
ITZE(bias)
2
−0.1
0
+0.1
μA
ITZE = −10 μA
DRN 上 150 Ω 上拉 12 V
VTZE = 0 V
VTZE = 5 V
DS405-00008-0v01-Z
MB39C601
符号
过载检测电流
IFB(OL)
1
过载延迟时间
tOL
6
IFB = 0 A
过载后的重试时
间
tRETRY
6
ROTM = 76 kΩ
过载动作切换边
界电阻
ROTM(TH)
4
关闭阈值电压
VOTM(Vth)
4
OTM=
关闭 OTM 电流
IOTM, PU
4
参数
过载故障
关闭阈值
最大导通时间
OTP
条件
单
最小值 典型值 最大值 位
0
1.5
3.0
μA
200
250
300
ms
—
750
—
ms
100
120
150
kΩ
0.7
1.0
1.3
V
VOTM = VOTM(vth)
−600
−450
−300
μA
6
ROTM = 383 kΩ
3.43
3.83
4.23
μs
6
ROTM = 76 kΩ
3.4
3.8
4.2
μs
2.7
3.0
3.3
V
导通时间
tOTM
OTM 电压
VOTM
4
保护温度
TSD
—
Tj，温度上升*
—
+150*
—
°C
TSD_HYS
—
Tj，温度下降，低于 TSD* 的度
数
—
+25*
—
°C
8
VVDD = 20 V, VTZE = 1 V
—
3.0
3.7
mA
保护温度迟滞
电源电流
电源电流
值
引
脚
编
号
IVDD
(OPERATING)
LPM 的电源电
流
IVDD(LPM)
8
IFB = 350 μA
—
550
900
μA
UVLO 的电源电
流
IVDD(UVLO)
8
VVDD = VDD(ON) − 100 mV
—
225
300
μA
*：标准设计值
DS405-00008-0v01-Z
7
MB39C601
■ 功能说明
(1) LED 电流控制功能
MB39C601 是反激式开关调节控制器。它根据 LED 负载来控制开关导通时间或控制开关频率，从而实现对 LED 电流的调
节。与 LED 串联的感应电阻 (Rs) 将 LED 电流转换为检测电压 (Vs)。外部误差放大器 (Err AMP) 对 Vs 进行比较。当 Vs 降
低到参考电压以下时，Err AMP 输出上升，进入光电耦合器的电流减小。
导通时间控制方式，由光耦控制 OTM 引脚的电流从而对导通时间控制模块控制。当 OTM 引脚电流减小时导通时间增加。
提供给 LED 的电流同时被调节，因为导通时间控制通常在固定开关频率下使用。
频率控制方式，由光耦控制 FB 引脚电流从而对开关频率控制模块控制。当 FB 引脚电流减小时开关频率增加。提供给 LED
的电流同时被调节，因为开关频率控制通常在固定导通时间下使用。
(2) 级联开关
初级绕组中的开关采用级联连接。外部 MOSFET 的栅极与 VCG 引脚连接，源极与内部驱动器 MOSFET 的漏极连接。开
关处于导通状态时，内部驱动器 MOSFET 开启，内部 HS 驱动器 MOSFET 关闭，外部 MOSFET 的源极电压下降至 GND。
在该过程中，直流偏置通过 VCG 引脚对外部 MOSFET 栅极供能，而使外部 MOSFET 开启。
开关处于关闭状态时，内部驱动器 MOSFET 关闭，HS 驱动器 MOSFET 开启，外部 MOSFET 的源极电压上升至 VCG 电
压。外部 MOSFET 关闭。此外，进入内部驱动器 MOSFET 的电流等于初级绕组的电流。因此，可以在不使用采样电阻的情
况下对进入初级绕组的峰值电流进行检测。
(3) 固有功率因数自调节 （Power Factor Control）功能
在交流电压输入中，当使输入电流波形接近正弦波，并使相位差接近零时，功率因数会得到改善。当在不连续传导模式下
采用反激方式工作时，如果将输入电容设置得比较小，则初级绕组的峰值电流：
I PEAK =
(
VBULK  t ON
LMP
)
=
(( ))
VBULK
LMP
tON
VBULK ：初级绕组的电源电压
LMP ：初级绕组的电感
tON ：导通时间
在导通时间控制中，如果将误差放大器的环路响应设置为低于交流频率（交流频率的 1/10），则可以使导通时间保持不
变。因此，输入电流与输入电压成正比，从而使功率因数得到调节。
8
DS405-00008-0v01-Z
MB39C601
(4) 上电过程
当电压输入 VBULK 时，电荷通过启动电阻 (Rst) 充入 VCG 引脚的电容 (CVCG)。因此，VCG 引脚的电压会上升。当 VCG
引脚电压达到外部 HVMOSFET 的阈值电压时，源极跟随器使 DRN 引脚电压上升。
DRN 引脚通过内部 VDD 开关与 VDD 引脚连接，VDD 电容 (CVDD) 从该 DRN 引脚充电。当 VDD 引脚电压达到 UVLO
阈值电压时，VDD 开关关闭，内部偏置电路工作，开关启动。
开关启动后，VDD 电压由辅助绕组通过外部二极管（DBIAS）提供。辅助绕组与次级绕组的绕线圈数之比以及次级绕组的
电压决定了辅助绕组的电压。因此，只有在辅助绕组的电压上升至高于 VDD 引脚电压时，才会提供 VDD 引脚电压。必须设
置 VDD 引脚的电容，以防止在此期间 VDD 引脚电压下降到 UVLO 阈值电压以下。
DRN 引脚和 VDD 引脚之间需要一个外部肖特基二极管 (D1)。该二极管用于防止电流经过 VDD 开关的体二极管。
• 启动时的电流流动
VBULK
߱㑻㒩㒘
Rst
Ist
HVMODFET
CVCG
D1
VDD ਃࡼ⬉⌕
CVDD
DBIAS
VDD Ꮉ԰੠ LPM ⬉⌕
VDD
䕙ࡽ㒩㒘
VCG
8
5
VDD
ᓔ݇
HS
偅ࡼ
VCG
ߚ⌕
UVLO
10V/8V
Փ㛑
PWM
14V
DRN
6
2V
ᬙ䱰
偅ࡼ఼
PWM
᥻ࠊ
DS405-00008-0v01-Z
7
GND
9
MB39C601
• 上电时序
VAC
VLED
UVLO 阈值 10V
UVLO 阈值
VDD
VCG
8V
DRN
(5) 掉电过程
从交流线路移除交流电源时，即使有开关动作，电流也不会流到次级绕组。LED 电流从输出电容提供，并逐渐减小。与此
相似，由于电流不会流到辅助绕组中，因此 VDD 引脚电压会下降。当 VDD 引脚电压下降到 UVLO 阈值电压以下时，开关停
止，MB39C601 关闭。
• 掉电序列
VAC
VLED
VDD
UVLO 阈值 8V
VCG
DRN
10
DS405-00008-0v01-Z
MB39C601
(6) OTM 部分
通过将电阻 (ROTM) 与 OTM 引脚连接，为其设置导通时间。
如下图所示，从 OTM 通过电阻连接光电耦合器的集电极，可以控制导通时间。
• OTM 引脚控制
ᇐ䗮ᯊ䯈䇗ࠊ੠ᬙ䱰
ડᑨ᥻ࠊ
ᬙ䱰ᅮᯊ੠᥻ࠊ
IOTM
VGATE
3V
ᬙ䱰
䯁䫕៪䞡䆩
ᬙ䱰䫕ᄬ఼໡ԡ
UVLO
1V
݇䯁Ϣ䞡ਃ
OTM
4
⛁݇䯁
下图所示为在 1.5 μs 到 5 μs 范围对导通时间进行控制。电阻范围决定了控制器对持续过载故障（闭锁或关闭 / 重试）的响
应。有关“闭锁”和“关闭 / 重试”的详细信息，请参见过载保护项目。导通时间由基于以下等式的设定电阻控制。
(1) ROTM = tOTM × (2 × 1010
(2) ROTM = tOTM × (1 × 1011
Ω
[ ]
[ ]
S
Ω
S
)
)
• 导通时间设置范围
tOTM - 固定导通时间 [μs]
5.0
闭锁
(2)
关闭/重试
(1)
1.5
120kΩ 阈值重试与闭锁
30
100 120 150
500
ROTM - 固定导通时间电阻 [kΩ]
此外，可以通过使 OTM 引脚的电压低于“VOTM (Vth)（典型值 1 V）”来将其关闭。
DS405-00008-0v01-Z
11
MB39C601
(7) PCL 部分
通过在 PCL 引脚和 GND 之间连接电阻 (RPCL)，设置初级绕组的最大峰值电流。
IDRN(pk) = (
100 kV
RPCL
)
为了防止电流感应发生故障，开关周期开始时会有 400ns 的消隐时间以掩盖尖峰噪声。（请参见下图）。
• 通过 PCL 引脚控制峰值电流
DRN
6
Ң催⬉य़MOSFET⑤ᵕ
IDRN
VGATE
偅ࡼ఼
⬉⌕ᛳᑨ
tBLANKCL
GND
7
Ң‫⬉ܝ‬㗺ড়఼থᇘᵕ
IFB
FB
IFB
1
⬉⌕䇗ࠊ఼
IDRNPK
3
1
IFB, µA
IPCL
165 210
VPCL, V
3
1
IFB, µA
165 210
12
PCL
3
DS405-00008-0v01-Z
MB39C601
(8) FB 部分
通过设置 FB 引脚的电流，控制开关频率。在导通时间控制中，通过电阻将 FB 引脚上拉到 VDD，从而设置开关频率。
此外，如下图所示，可以通过电阻从 FB 引脚连接光电耦合器的发射极，从而控制开关频率。电阻 (RFB) 为光电耦合器的暗
电流泄放电路。
• FB 引脚控制
IFB
RFB
Ⓒ⊶఼
IFB
FB
1
ড作໘⧚
0A<IFB<200µA
IFB>200µA
CFB
Ⓒ⊶఼
RFB
IFB=0µA
䇗ࠊ఼
Ԣࡳ⥛῵ᓣ
䖛䕑
根据 FB 电流 (IFB) 的情况，MB39C601 存在以下三个模式。
1. 调频模式 (FM)
HV-MOSFET 的峰值电流设置为最大值，并且通过 IFB 调整开关频率，从而调节 LED 电流。开关频率的范围为 30 kHz 到
130 kHz。PCL 引脚的电阻设置了 HV-MOSFET 的最大峰值电流 IDRN (peak, max)。
2. 调幅模式 (AM)
通过 IFB 调整 HV-MOSFET 的峰值电流，从而调节 LED 电流。开关频率约为 30 kHz。HV-MOSFET 峰值电流的范围为
最大值的 33 % 到 100 %。PCL 引脚的电阻设置了 HV-MOSFET 的最大峰值电流 IDRN (peak, max)。
3. 低功率模式 (LPM)
MB39C601 在轻负载下存在 LPM-ON 和 LPM-OFF 这两种状态。在 LPM-ON 状态中，其以 30 kHz 的开关频率工作，同
时为 LED 提供电流。此时，光耦合器反馈回来的电流增加，MB39C601 随后进入 LMP-OFF 状态。在 LMP-OFF 状态中电
路并不工作，输出电流由输出电容提供。当光耦合器反馈回来的电流减小时，MB39C601 再次进入 LPM-ON 状态。通过重
复这两个状态进行节能并点亮 LED。
根据 LED 的负载，在 FM、AM 和 LPM 这三个模式之间切换。随着负载减轻，这三个模式的切换顺序是从 FM 到 AM 再
到 LPM。
DS405-00008-0v01-Z
13
MB39C601
IDRNPK᳔໻ؐ- ⳌᇍѢ᳔໻ዄؐ DRN ⬉⌕ⱘ % [%]
• 基于 FB 引脚的开关频率和峰值电流控制操作
AM
FM
Ԣࡳ⥛῵ᓣ
LPM-ON
LPM-OFF
IFB, CNR1 IFB, CNR2
IFB, CNR3
(165µA) (210µA)
(275µA)
100
IFB, CNR3 - IFB, CNR2
(65µA)
33
IFB, CNR2 - IFB, CNR1
tSW᳔໻ؐ- ᳔໻ᓔ݇乥⥛ [kHz]
(45µA)
133
IFB, LPM-HY ST
(20µA)
30
50
100
150
200
250
IFB - ড作⬉⌕ [µA]
14
DS405-00008-0v01-Z
MB39C601
(9) TZE 部分
MB39C601 要求以下三个条件才能启动下一个开关周期。
1. 距离上一个开启沿的时间必须等于或长于 IFB 设置的开关周期。
2. 距离上一个开启沿的时间必须长于 MB39C601 设置的最小开关周期 （通常为 7.5 μs，它对应于 133 kHz）。
3. 紧接在 TZE 引脚的零能量检测之后。或者，距离上次零能量检测的时间必须长于 tWAIT, (TZE) （2.4 μs 或更短）。
• 启动开关迁移图
TZE < 150mV、
不出现 TZE <
20mV 的 L 边沿
VDD ≥ 10.2V
MB39C601 使能
TZE
≤150mV
TZE
>150mV
启动 CLK
Tst = 240μs
强制开关
无启动开关
TZE>150mV
开关频率定时器结束
TZE ≤ 20mV 的 L 边沿
开关频率定时器结束
TZE ≤ 20mV 的 L 边沿
开始开启
下一个周期
开关频率定时器结束
TZE ≤ 20mV 的 L 边沿
存在一个或多个 TZE ≤
20mV 的 L 边沿，但在开关
频率定时器结束后的 2.4μs
期间，不出现
TZE ≤ 20mV 的 L 边沿
存在一个或多个 TZE ≤ 20mV 的 L 边沿，
但在开关频率定时器结束后的 2.4μs 期
间，不出现 TZE ≤ 20mV 的 L 边沿。
自上一个 TZE L 边沿
2.4μs 后开始开启下
一个周期
存在一个或多个 TZE ≤ 20mV 的 L 边沿，
但在开关频率定时器结束后的 2.4μs 期
间，不出现 TZE ≤ 20mV 的 L 边沿。
TZE 引脚通过电阻分压与变压器的辅助绕组连接，并检测零能量，如下所示。
CTZE 能够增加一个 50ns 到 200ns 的延迟以调节开关的开启时间，让开启发生在初级绕组震荡波形的谷底时。
• 检测零能量时的开关波形
催⬉य़ MOSFET ⓣᵕ
෎Ѣ CTZE ⱘᓊ䖳
TZE 䕧ܹ
IFB 䆒㕂ⱘᓔ਼݇ᳳ
ᓔ਼݇ᳳ (tSW)
IDRN
DS405-00008-0v01-Z
15
MB39C601
• TZE 引脚连接
NP
NS
NB
1
RTZE1
TZE
䳊㛑䞣Ẕ⌟
2
RTZE2
CTZE
20mV
OV
ᬙ䱰
ᬙ䱰ᅮᯊ੠᥻ࠊ
5V
16
DS405-00008-0v01-Z
MB39C601
■ 各种保护电路
• 低电压锁止保护 (UVLO)
在过渡状态以及由于启动造成电源引脚电压 (VDD) 暂时下降期间，低电压锁止保护 (UVLO) 可保护 IC 避免发生故障，并
保护系统避免受到破坏 / 性能下降。当比较器检测到 VDD 引脚的电压降低，输出 HS DRIVER 断开，输出 DRIVER 断开，
开关停止。如果 VDD 引脚电压增大到高于 UVLO 电路的阈值电压，则系统恢复工作。
• 过电压保护 (OVP)
LED 处于开路状态并且输出电压上升得太多时，辅助绕组的电压和 TZE 引脚的电压会上升。通过对 TZE 引脚的电压进
行采样来检测过电压。当 TZE 引脚电压上升到高于 OVP 的阈值电压时，检测到过电压。输出 HS DRIVER 断开，输出
DRIVER 断开，开关停止。（闭锁）
如果 VDD 引脚电压低于故障锁存器复位的电压，则会释放 OVP。
• 过载保护 (OL)
在开关频率控制下，当 LED 的阴极或阳极短接到 GND，进入过载状态，因电流不会流入 Rs，不会有电流反馈到 IFB。FB
引脚的电流为 1.5 μA 或更低时，即会检测到过载。ROTM 决定了 OL 状态是闭锁还是关闭 / 重试。
关闭 / 重试
… 开启 250 ms 和关闭 750 ms 两种状态交替。OL 状态解除，自动恢复正常工作。
闭锁
… 开关继续 250 ms。如果在该期间它没有从 OL 状态返回，则输出 HS DRIVER 断开，输出 DRIVER
断开，开关停止。即使在该时间后它从 OL 状态返回，开关仍然停止（闭锁），VDD 引脚电压低于
故障锁存器复位的电压，则会释放锁存器。
• 过载保护时序
关闭/重试
ROTM = 30k to 100kΩ
正常工作
正常工作
OL
IFB
1.5μA
1.5μA
DRN
250ms
闭锁
750ms
250ms
750ms
ROTM = 150k to 500kΩ
正常工作
IFB
OL
正常工作
OL
1.5μA
1.5μA
DRN
250ms
250ms
• 过温保护 (OTP)
过温保护 (OTP) 是防止 IC 因过热而损坏的功能。当结温达到 +155 °C 时，输出 HS DRIVER 断开，输出 DRIVER 断开，
开关停止。当结温下降到 +120 °C 时，开关恢复工作（自动恢复）。
DS405-00008-0v01-Z
17
MB39C601
■ 各项功能一览表
功能
DRN
LS_DRV HS_DRV VDD SW 放电 SW
正常工作
保护动作的
条件
返回条件
备注
关
关
—
—
—
低电压锁止保护
(UVLO)
关
关
开
关
VDD < 8.0 V
VDD > 10.2 V
待机
OTM
关闭
关
关
开
关
OTM = GND
OTM > 1 V
待机
过电压保护 (OVP)
关
关
开
开
TZE > 5 V
VDD < 6 V
→
VDD > 10.2 V
闭锁
关
关
IFB < 1.5 μA
30 k < ROTM <
100 kΩ
IFB > 1.5 μA
过载保护
(OL)
关闭 /
重试模式
开启
(250 ms)
关闭
(750 ms)
关
关
开
关
关
关
开
开
IFB < 1.5 μA
150 k < ROTM <
500 kΩ
VDD < 6 V
→
VDD > 10.2 V
闭锁
低功率模式的停止状态
关
关
开
关
IFB > 275 μA
IFB < 255 μA
—
过温保护 (OTP)
关
关
开
关
Tj > +155 °C
Tj < +120 °C
—
闭锁模式
18
DS405-00008-0v01-Z
MB39C601
■ 输入 / 输出引脚等效电路图
引脚
编号
引脚
名称
1
FB
2
等效电路图
Vref 5V
FB
1
GND
7
TZE
Vref 5V
3
4
TZE
2
GND
7
PCL
Vref 5V
PCL
3
GND
7
OTM
DS405-00008-0v01-Z
Vref 5V
OTM
4
GND
7
19
MB39C601
引脚
编号
引脚
名称
5, 6
VCG、
DRN
等效电路图
VDD 8
Vref 5V
5 VCG
6 DRN
GND 7
20
DS405-00008-0v01-Z
MB39C601
■ 使用注意事项
1. 设定条件不可超出最大额定值。
使用时如果超出最大额定值，可对 LSI 造成永久性损坏。
另外，平时使用时，也希望在推荐工作条件下使用。超出推荐工作条件的使用对 LSI 的可靠性带来不良影响。
2. 在推荐工作条件下使用。
推荐工作条件是确保 LSI 正常工作的保证值。
在推荐工作条件范围内以及各项目条件栏的条件下，电气特性的规格值都可得到保证。
3. 关于基板的接地，按照通用阻抗设计。
4. 采取防静电措施。
• 使用已采取防静电措施的容器或具有导电性的容器存放半导体。
• 保管、搬运贴片后的电路板时，使用导电性包装或容器。
• 将工作台、工具和测量仪器接地。
• 在操作人员的身体和接地之间，串联 250 kΩ ~ 1 MΩ 电阻后接地。
5. 不可施加负电压。
施加 -0.3 V 以下的负电压时，可能会使 LSI 的寄生晶体管启动并导致误动作。
DS405-00008-0v01-Z
21
MB39C601
■ 订购信息
零件编号
MB39C601PNF
22
封装
备注
8 引脚塑料 SOP
(FPT-8P-M02)
DS405-00008-0v01-Z
MB39C601
■ 封装尺寸
8-pin plastic SOP
Lead pitch
1.27 mm
Package width ×
package length
3.9 mm × 5.05 mm
Lead shape
Gullwing
Sealing method
Plastic mold
Mounting height
1.75 mm MAX
Weight
0.06 g
(FPT-8P-M02)
8-pin plastic SOP
(FPT-8P-M02)
+0.25
Note 1) *1 : These dimensions include resin protrusion.
Note 2) *2 : These dimensions do not include resin protrusion.
Note 3) Pins width and pins thickness include plating thickness.
Note 4) Pins width do not include tie bar cutting remainder.
+.010
+0.03
*1 5.05 –0.20 .199 –.008
0.22 –0.07
+.001
.009 –.003
8
5
*2 3.90±0.30 6.00±0.20
(.154±.012) (.236±.008)
Details of "A" part
45°
1.55±0.20
(Mounting height)
(.061±.008)
0.25(.010)
0.40(.016)
1
"A"
4
1.27(.050)
0.44±0.08
(.017±.003)
0.13(.005)
0~8°
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.15±0.10
(.006±.004)
(Stand off)
0.10(.004)
C
2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10
Dimensions in mm (inches).
Note: The values in parentheses are reference values.
请在以下 URL 核对最新的封装尺寸。
http://edevice.fujitsu.com/package/en-search/
DS405-00008-0v01-Z
23
MB39C601
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
Nomura Fudosan Shin-yokohama Bldg. 10-23, Shin-yokohama 2-Chome,
Kohoku-ku Yokohama Kanagawa 222-0033, Japan
Tel: +81-45-415-5858
http://jp.fujitsu.com/fsl/en/
联系我们 :
North and South America
FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA, INC.
1250 E. Arques Avenue, M/S 333
Sunnyvale, CA 94085-5401, U.S.A.
Tel: +1-408-737-5600 Fax: +1-408-737-5999
http://us.fujitsu.com/micro/
Asia Pacific
FUJITSU SEMICONDUCTOR ASIA PTE. LTD.
151 Lorong Chuan,
#05-08 New Tech Park 556741 Singapore
Tel : +65-6281-0770 Fax : +65-6281-0220
http://sg.fujitsu.com/semiconductor/
Europe
FUJITSU SEMICONDUCTOR EUROPE GmbH
Pittlerstrasse 47, 63225 Langen, Germany
Tel: +49-6103-690-0 Fax: +49-6103-690-122
http://emea.fujitsu.com/semiconductor/
FUJITSU SEMICONDUCTOR SHANGHAI CO., LTD.
30F, Kerry Parkside, 1155 Fang Dian Road, Pudong District,
Shanghai 201204, China
Tel : +86-21-6146-3688 Fax : +86-21-6146-3660
http://cn.fujitsu.com/fss/
Korea
FUJITSU SEMICONDUCTOR KOREA LTD.
902 Kosmo Tower Building, 1002 Daechi-Dong,
Gangnam-Gu, Seoul 135-280, Republic of Korea
Tel: +82-2-3484-7100 Fax: +82-2-3484-7111
http://kr.fujitsu.com/fsk/
FUJITSU SEMICONDUCTOR PACIFIC ASIA LTD.
2/F, Green 18 Building, Hong Kong Science Park,
Shatin, N.T., Hong Kong
Tel : +852-2736-3232 Fax : +852-2314-4207
http://cn.fujitsu.com/fsp/
规格若有变动，恕不另行通知。欲了解详细信息，请联系各地的分支机构。
版权所有
本手册的记载内容如有变动，恕不另行通知。
建议用户订购前先咨询销售代表。
本手册记载的信息，诸如功能概要和应用电路示例，仅作参考。旨在说明 FUJITSU SEMICONDUCTOR 半导体器件的使
用方法和操作示例，对于其使用或性能， FUJITSU SEMICONDUCTOR 不做任何保证。 FUJITSU SEMICONDUCTOR
不保证使用本手册所载信息所获的性能和结果，不就任何事项做出保证、条件、陈述或条款，用户自行对使用该信息承
担全部风险和责任，对基于上述信息的使用引起的任何责任或损失， FUJITSU SEMICONDUCTOR 概不承担。
本手册内的任何技术信息，包括功能介绍和电路图，不应被理解为是对用户使用或行使 FUJITSU SEMICONDUCTOR 或
其他任何第三方的专利权、著作权等任何知识产权以及其他权利的许可，用户对上述权利不享有任何产权和利益。
FUJITSU SEMICONDUCTOR 也不保证使用该信息不存在侵犯任何第三方的知识产权或其他权利的可能。因用户使用该
信息引起的有关侵犯第三方的知识产权或其他权利的索赔或诉讼， FUJITSU SEMICONDUCTOR 不承担任何责任。
本手册介绍的产品旨在为一般用途而设计、开发和制造，包括一般的工业使用、通常办公使用、个人使用和家庭使用；
而非用于以下领域的设计、开发和制造 (1) 使用中伴随着致命风险或危险，若不加以特殊高度安全保障，有可能导致对公
众产生危害，甚至直接造成死亡、人身伤害、严重物质损失或其他损失 ( 即核设施的核反应控制、航空飞行控制、空中交
通控制、公共交通控制、医用维系生命系统、核武器系统的导弹发射控制 )，(2) 需要极高可靠性的应用领域 ( 比如海底中
转器和人造卫星 )。
属于在上述领域内使用该产品而引起的用户和 / 或第三方的任何索赔或损失， FUJITSU SEMICONDUCTOR 不承担任何
责任。
半导体器件存在一定的故障发生概率。请用户对器件和设备采取冗余设计、消防设计、过流防护，其他异常操作防护措
施等安全设计，保证即使在 FUJITSU SEMICONDUCTOR 半导体器件发生故障的情况下，也不会造成人身伤害、社会损
害或重大损失。
本手册内记载的任何产品的出口 / 发布可能需要根据日本外汇及外贸管理法和 / 或美国出口管理法条例办理必要的手续。
本手册内记载的公司名称和商标名称是各个公司的商标或注册商标。
编辑 : 销售促进部