NJU7364 単相DCブラシレスモータドライバIC ■ 概要 NJU7364 は、小型ファンモータ向けに開発した単相DC ブラシ レスモータドライブ IC で、CMOS プロセスの採用により、大電流 時においても低飽和出力電圧を実現しています。 また、出力波形をモータに最適化させるためのホールバイア ス回路とホール信号増幅回路を内蔵しており、モータ駆動時 の低騒音化が実現できます。速度検知出力としてのFG出力端子 サーマルシャットダウン回路を内蔵しています。 パッケージは TVSP および ESON を採用しており、小型、 薄型化を考慮したアプリケーションに最適です。 ■ 外形 NJU7364RB1 NJU7364KU1 ■ 特徴 ● 電源電圧範囲 VDD=2.0∼5.5V ● 低消費電流 IDD =１mA typ. ● 出力電圧 VOM =±0.30V typ.@ IO =±250mA ● ホールバイアス出力 ● FG出力 ● サーマルシャットダウン回路内蔵 ● CMOS構造 ● パッケージ TVSP8/ESON8-U1 ■ ブロック図 OUTB 1 8 GND 7 OUTA 6 VDD 5 FG + IN+ 2 HB 3 + Hall Bias TSD IN- 4 + -1- NJU7364 ■ 絶対最大定格 (Ta=25°C) 項 目 記 号 電源電圧 入力電圧 出力電流 （ピーク） FG 出力電流 FG 出力電圧 消費電力(TVSP8) 定 VDD VID IOPEAK IFG VFG PD 消費電力(ESON8-U1) 動作温度 接合部温度 保存温度 PD Topr Tjmax Tstg 格 単 位 +7 -0.3∼VDD 600 10 +7 単体 2 層基板実装時（注 1） 4 層基板実装時（注 2） -40∼+85 150 -50∼+150 V V mA mA V mW 400 450 1,200 mW ℃ ℃ ℃ (注 1): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 規格準拠による (注 2): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 規格準拠による(4 層基板内箔: 99.5×99.5mm) ■ 推奨動作範囲 (Ta=25°C) 項 目 動作電源電圧 同相入力電圧範囲 記 号 VDD VICM ■ 電気的特性 (VDD=5V, Ta=25℃) 項 目 記 号 ■全体 消費電流 IDD 過熱保護動作温度 TTSD 過熱保護ヒステリシス THYS ■ホールアンプ 入力オフセット電圧 VIO 閉ループゲイン AV ■出力部 VOH 出力電圧 VOL VFG FGL 出力電圧 IFG-LEAK FGH リーク電流 ■ホールバイアス部 ホールバイアス電圧 VHB 条 件 最小 2.0 0.4 標準 5.0 - 最大 5.5 4.0 単位 V V 件 最小 標準 最大 単位 - 1.0 180 50 2.0 - mA ℃ ℃ 無負荷 無負荷 -10 - 44 10 - mV dB IO=-250mA IO=250mA IFG=3mA VFG=5V 4.55 - 4.7 0.3 - 0.45 0.3 5.0 V V V uA IHB=-5mA 1.1 1.3 1.5 V - 条 IN+=4V, IN-=0.4V 無負荷 無負荷 ■ 真理値表 IN+ H L INL H ※Z: High-impedance -2- OUTA H L OUTB L H FG L (出力 FET：ON) Z (出力 FET：OFF) NJU7364 ■ 端子配列 ・VSP8/TVSP8 8 7 6 5 1： 2： 3： 4： 5： 6： 7： 8： 1 2 3 OUTB IN+ HB INFG VDD OUTA GND 4 表面 ・ESON8-U1 8 7 6 5 1 2 3 4 1： 2： 3： 4： 5： 6： 7： 8： 1 2 3 表面 4 8 7 6 OUTB IN+ HB INFG VDD OUTA GND 5 裏面 (注 3)： 裏面中央部の電極は、内部で VDD 電位に接続されている為、実装時はオープンまたは、VDD に接続してください。 -3- NJU7364 ■ アプリケーション回路例 FG IN- VDD HB OUTA IN+ GND OUTB Hall Element M ■ ディレーティングカーブ NJU7364 ディレーティングカーブ (Topr=-40∼+85℃,Tj=150℃) 1400 ESON8 : 4層 FR4 101.5×114.5×1.6mm基板実装時 消費電力 PD(mW) 1200 1000 800 600 ESON8 : 2層 FR4 101.5×114.5×1.6mm基板実装時 400 TVSP8 : IC単体 200 0 -50 -25 0 25 周囲温度 Ta(℃) -4- 50 75 100 NJU7364 ■ 特性例 IDD vs. VDD 2 VFG vs. Io 0.5 IN+=VDD IN+=VDD IN-=GND Ta=25degC IN-=GND Ta=25degC 0.4 0.3 VFG [V] IDD [mA] 1.5 1 0.2 0.5 0.1 0 0 1 2 3 4 5 6 7 VDD=2V VDD=5V 0 8 0 2 4 VDD [V] VOM vs. Io 1 6 8 10 Io [mA] VOM vs. Io 1 0.8 0.8 High-Side High-Side 0.6 VOM [V] VOM [V] 0.6 Low-Side 0.4 Low-Side 0.4 0.2 0.2 VDD=2V VDD=5V Ta=25degC 0 0 100 200 300 400 Io [mA] 500 600 700 800 Ta=25degC 0 0 100 200 300 400 500 600 Io [mA] -5- NJU7364 ■ 特性例 VHB vs. VDD 2 VHB vs. Io 1.8 IN+=VDD IN-=GND IHB=-5mA IN+=VDD IN-=GND Ta=25degC 1.7 Ta=25degC 1.6 1.5 VHB [V] VHB [V] 1.5 1 1.4 1.3 1.2 0.5 VDD=2V VDD=5V 1.1 1 0 0 1 2 3 4 5 6 7 0 8 20 40 VDD [V] VOM vs. TJ 0.5 60 80 100 Io [mA] VHB vs. TJ 1.6 1.5 0.4 High-Side 1.4 VDD=5V VHB [V] VOM [V] 0.3 Low-Side 0.2 VDD=2V 1.3 1.2 0.1 1.1 IN+=VDD VDD=5V Io=250mA 0 -50 0 50 TJ [degC] 100 150 200 IN-=GND 1 -50 0 50 100 150 200 TJ [degC] ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 -6-