射频分立式器件 选型指南 Infrastructure CN S Bluetooth www.infineon.com/rf 目录 射频分立式器件简介3 射频晶体管5 射频晶体管 第七代6 射频晶体管 第八代7 中等功率放大器8 射频晶体管 产品组合9 PIN 二极管12 肖特基二极管14 射频二极管产品组合按封装分类16 英飞凌射频分立式器件支持17 交叉参考列表18 2 射频分立式器件简介 稳固、灵活、小巧、可靠的互补无线解决方案设备 随着社会移动化程度越来越高，全天候通用网络的可用性 和连接性将在我们的未来发挥重要作用。 移动系统和基础设施中的数据流量将继续大幅增加。 预计 到 2020 年，通过 5G 部署将会有 50.1 亿套预期连接设备 且数据速率将达到 1 Gbps，这是因为人们将继续扩大移 动数据在日常生活中的作用。 多个相互连接的设备将用于 发布、分享和流传输内容，其中视频占据大部分流量。 作为此持续增长的一部分，小蜂窝形式下访问点的增长 （例如，汽车行业的信息娱乐和导航辅助）将在未来的通 信中发挥重要作用。 在多个或特定频段提供稳定、可靠的 无线接收和传输功能将让用户能够通过配备无线网络接 口的设备访问网络，同时在固定访问点 (AP) 或公共蜂窝 范围内漫游。 ››产品供应安全：我们提供有竞争力的交付时间（不超过6 周） ，同时确保能够利用两个专FE 和 BE -> 前段 晶片 和 後段封裝来处理需求增长。 我们对客户的交付日期和产 品性能承诺始终超出行业标准 2 个百分点，即我们的承 诺是 97%，而行业标准为 95% ››质量和可靠性：我们的平均现场故障率小于 0.1 PPM， 提供英飞凌在半导体行业引以为豪的质量标准 ››设计导入和销售支持：我们通过全球现场应用工程和销 售团队为客户提供专业和灵活的设计导入服务支持。 最后，我们领导创新并且经过实践检验能够在细分和快速 发展的市场为客户提供灵活支持。 我们的产品 ››性能出众：我们的第八代射频晶体管提供市场一流的噪 声系数（在应用中测量时只有 0.6 dB） ，改进了系统灵敏 度和抗干扰能力，使信号接收和传输变得更加稳定、可靠 ››多功能性：我们的可用产品组合高于竞争对手 2 倍，同时 具有传统 SOT 或小型化 TSLP 等不同封装以及设备功 能的广泛选择，从而为我们的客户提供必要的设计导入 多功能性 英飞凌针对辅助无线应用提供 最广泛的射频分立式器件产品组合 98.3% 96.3% 97.2% 98.7% 98.7% 98.8% 98.1% 98.4% 95.0% 98.8% 97.2% 97.3% 100% 96.4% 客户交付日期 (CSD) 平均性能 ≥ 97% 160 95% Industry standard 140 120 Number of products count 124 100 80 90% 62 60 40 31 2016-04 2016-03 2016-02 2016-01 2015-12 2015-11 2015-10 2015-09 2015-08 2015-07 2015-06 2015-05 80% 2015-04 20 0 Infineon 21 10 Competitor N Competitor T Competitor R Competitor S 以下页面将指导如何针对特定应用选择合适的产品。 3 4 射频晶体管 十多年来，英飞凌科技一直在铺平所有射频区段的发展道 路，其射频晶体管提供出色的射频性能及一流的信号质量 和稳定性，同时价格都非常有吸引力。 保护功能、强大的设计稳定性以及可在相同混合信号 IC 上集成密集模拟电路和数字控制。 这不仅允许无线设备制 造商在空间有限的设备上添加更多功能，而且还能提供有 竞争力的价格，同时提供一流的品质和制造效率。 於硅鍺 (SiGe) 工藝的B9技術受益于内部流程构建和高容 量 SiGe:C 双极技术的多年经验，该技术自 2002 年起就已 实现大规模量产。 B9 提供不同機型 -> 系列型，但第七代和第八代都针对其 各自的特定应用领域进行过优化，是我们的主打系列。 Noise Figure (NFmin) High 基于 B9 的产品系统提供在线性度和噪声系数方面可媲美 GaAs 的射频性能；同时还提供更高的稳定性，具备 ESD General-purpose LNAs st 1 – 3rd Gen. fT (max) = 6–8 GHz NFmin = 1.4–2.1 dB1) 4th Gen. Noise 2) fT (max) = 25 GHz NFmin = 1.1 dB1) Very low noise th 5 Gen. 2) Low fT (max) = 29 GHz NFmin = 0.9 dB1) 6th Gen. fT (max) = 40 GHz NFmin = 0.7 dB1) 1) As measured in the application 2) Available with ESD for improved robustness Low Frequency (fT (max) in GHz) Ultra low noise 2) th 7 Gen. 2) fT (max) = 44 GHz NFmin = 0.6 dB1) 8th Gen. 2) fT (max) = 80 GHz NF min = 0.5 dB1) High 5 射频晶体管 第七代 易用于无线连接 英飞凌第七代射频晶体管家族是一系列易用的分立式异 质结双极晶体管 (HBT)，适合用作各种 WiFi 连接应用的单 波段和双波段低噪放大器 (LNA)。 高 AP 路由器和移动基站的射频链路预算和信噪比 (SNR) 。 它们可在 AP 和客户端都需要更严格信噪比 (SNR) 的地 方提供高吞吐量。 该系列器件融合了 44 GHz f T 硅锗碳 (SiGe:C) B7HF 工艺 与先进的设备几何工程，旨在减小寄生电容以增强高频性 能。 此外，当需要更大覆盖范围，以及在使用 256 正交振幅 调制 (QAM) 这样的高阶调制方法时，它们可让工程师提 关键性能 易用的射频晶体管 ››高截止頻率 f T = 45 GHz ››高增益 (19 dB) 和噪声系数水平 (0.65 dB) ››在 2.4 GHz 时拥有 OP1dB +8.5 dBm 和 OIP3 +19 dBm 的高线性度，同时电流消 耗低至 13 mA ››最大射频输入功率 ››提供1.5 kV HBM ESD稳健性 技术优势 客户获得的益处 450 MHz – 12 GHz ››低功耗 ››改為: 器件可承受過高輸入信號衝擊 ››节能，延长电池寿命 ››高输入功率下稳健性得以增强 ››宽频率范围： 2.4 f = 3.5 GHz f = 2.4 GHz f = 1.9 GHz f = 1.5 GHz f = 0.9 GHz f = 0.45 GHz f = 10 GHz 2.0 1.8 1.4 0.45 GHz 30 0.9 GHz 1.5 GHz 1.9 GHz 2.4 GHz 3.5 GHz 25 f = 5.5 GHz 1.2 0.15 GHz 35 Gmax [dB] NFmin [dB] 1.6 1.0 20 5.5 GHz 15 0.8 0.6 10 GHz 10 0.4 5 0.2 0 5 10 15 20 25 IC [mA] 英飞凌的第七代通用晶体管可为射频工程师提供杰出 的性能。 该晶体管系列在亚 GHz 频段中的噪声系数低至 0.45 dB，在 5.5 GHz 的噪声系数为 0.9 dB 时，可充当低 噪声放大器，让无线通信和广播系统拥有更高的系统灵敏 度。 6 于众多频段 40 2.2 0 ››无与伦比的通用型器件，可极为灵活地用 0 0 5 10 15 20 25 30 IC [mA] 35 40 45 50 55 由于在 10 GHz 的 Gmax 超过 10 dB，英飞凌的第七代产 品组合还可用作缓冲器或驱动放大器的增益模块，或者用 作 10 GHz 以上频段的混频器及压控振荡器 (VCO)。 射频晶体管 第八代 提供WiFi 一流的连接性能 BFx840x 是一个异质结双极性晶体管(HBT) 的分立式器 件产品系列 (HBT) 产品系列，为高性能 WiFi 连接应用提 供双频和固定频率低噪放大器 (LNA) 解决方案。 它结合 80GHz f T 硅锗:碳化物 (SiGe:C) B9HF 工艺并采用专用器 件几何结构，可降低基底和晶体管之间的寄生电容，能够 最终改善器件的高频特性。 当需要更大覆盖范围，以及是在使用高阶调制方案（例 如在 IEEE 802.11ac 中采用类似于 256 正交振幅调制 (QAM) 等新兴极高吞吐量无线规格）时，这对接入点和客 户端都提出了更严格的信噪比要求，这时，第八代射频晶 体管能够让工程师提高 AP 路由器和移动基站的射频链路 预算和信噪比(SNR)。 一流的第八代射频晶体管：SiGe 竞争产品的噪声系数和最大增益 Gmax 比较 0.8 Best in class 30 25 Gain [dB] NF [dB] 0.7 -15% Best in class 0.6 +17% 20 15 10 5 0.5 BPx740 series BPx840 series 0 Comp. N BPx740 series BPx840 series Comp. N 使用改进型一流的第八代射频晶体管，与上代产品以及最接近的 SiGe 同类竞争产品的噪声系数 (NF) 和最大功率增益 (Gmax)比较。 框图 SPDT switch Antenna 2.4 / 5 GHz 2.4 GHz LNA Rxg 2.4 GHz PA Power detector SPDT switch ESD diode SPDT switch 低噪放大器 (LNA) 是提高系统灵敏度和最大程度延长 WiFi 应用覆盖距离的主要器件。 较长的线路导致射频前端 损耗变得非常关键，譬如在具备 4X4 或 8X8 多入多出功能 的 WiFi 架构中，它对于实现出色系统性能至关重要。 WiFi Transceiver 5 GHz LNA Rxg 5 GHz PA Power detector Txg Txg 相比市场上现有的其他解决方案，英飞凌第八代射频 SiGe 双极晶体管作为LNA应用时，在频率为 5.5 GHz 下的 噪声系数(NF)最小为 0.6 dB，高截止頻率 (f T) 可带来高增 益，还具备出色的线性度。 这一优异性能不仅可以提高系 统灵敏度和抗干扰能力，还可以让工程师设计出价格具有 吸引力的高性能 WiFi 设备。 7 中等功率放大器 Infrastructure 英飞凌第一代产品 BFP780 和 BFQ790 是英飞凌最新推出的通用高增益驱动 放大器，它们采用英飞凌经济高效的硅锗 (SiGe) 工艺，经 专门优化，具有优良的功率增益，适用于各式各样的无线 应用，进一步完善了现有射频产品组合。 这些单级驱动放大器适用于商业和工业无线基础设施，如 3G/4G、机顶盒和 CATV 以及室内和室外无线访问点，它们 具有高线性度和高增益特性，适用频率高达 3.0 GHz，高线 40 IC 30 20 10 -10 -25 -20 -15 -10 -5 275 265 260 PAE 0 280 270 POut G 得益于发射极-基极二极管设计，哪怕在最大射频输入功 率很高的情况下，BFP780 和 BFQ790也能实现极高稳健 性，另一方面，硅基底的高导热性和低热阻封装为这些器 件带来了优良的散熱性，可在运行中实现出色的散热。 Gmax [dB] IP1dB IC [mA] POut [dBm], gain [dB], PAE [%] 50 性度是元件选择的决定性因素，因此为设计提供了很大的 灵活性。 255 0 5 10 15 250 PIn [dBm] 輸出功率 POut, 電流 IC, 功率轉換效益 PAE vs. 輸入功率 PIn (VCE=5 V), ICq = 250 mA, f = 2.6 GHz, ZI = ZOpt 32 30 28 26 24 22 20 18 16 14 12 0.45 GHz 0.90 GHz 1.80 GHz 2.60 GHz 3.50 GHz 0 20 40 60 80 100 120 IC [mA] 最大功率增益 Gmax vs. IC VCE = 5 V 时, f = 参数 框图 LNA Duplexer ESD diode PA Driver Transceiver BFP780 BFQ790 驱动放大器，亦称高线性增益模块，是射频收发系统中的 重要功能组件。 收发系统发射链的最后一级，功率放大器 (PA)，要求有一定的输入功率电平，才能才能輸出要求的 功率電平，而收发器 IC 通常无法直接实现这一点。 8 这种情况下，要求借助外接一级或二级驱动放大器。 驱动 放大器可在收发器 IC 与 PA 之间进行高增益线性信号放 大。 它们通常在线性 A 类模式下工作，以同时实现高线性 度和高增益，从而抑制 PA 产生的杂散信号。 射频晶体管 产品组合 第七代射频晶体管 产品名称 OPN NFmin (典型值) [dB] Gmax (典型值) [dB] OIP3 [dBm] OP1dB [dBm] 封装 BFP720 BFP720H6327XTSA1 20 BFP720F BFP720FH6327XTSA1 0.5 26.0 20.5 6.0 SOT343 20 0.5 26.0 20.5 6.0 TSFP-4-1 BFP720ESD BFP720ESDH6327XTSA1 25 0.6 27.0 22.0 6.5 SOT343 BFP720FESD BFP720FESDH6327XTSA1 25 0.6 27.0 22.0 7.0 TSFP-4-1 BFP740 BFP740H6327XTSA1 45 0.5 27.0 25.0 11.0 SOT343 BFP740F BFP740FH6327XTSA1 45 0.5 27.5 25.0 11.0 TSFP-4-1 BFP740ESD BFP740ESDH6327XTSA1 35 0.6 27.0 25.0 10.0 SOT343 BFP740FESD BFP840FESDH6327XTSA1 35 0.6 27.0 24.5 10.0 TSFP-4-1 BFR740L3RH BFR740L3RHE6327XTSA1 30 0.5 24.5 25.0 11.0 TSLP-3-9 BFP760 BFP760H6327XTSA1 70 0.5 25.0 31.5 14.5 SOT343 IC (最大值) [mA] 第八代射频晶体管 产品名称 OPN NFmin (典型值) [dB] Gmax (典型值) [dB] OIP3 [dBm] OP1dB [dBm] 封装 BFP843 BFP843H6327XTSA1 0.95 22.5 24.0 7.0 SOT343 BFP843F BFP843FH6327XTSA1 0.90 23.5 23.5 7.0 TSFP-4-1 BFR843EL3 BFR843EL3E6327XTSA1 0.95 24.0 21.0 7.0 TSLP-3-9 BFP840ESD BFP840ESDH6327XTSA1 0.60 27.0 21.0 4.5 SOT343 BFP840FESD BFP840FESDH6327XTSA1 0.55 27.5 21.0 4.5 TSFP-4-1 BFP842ESD BFP842ESDH6327XTSA1 0.40 23.5 24.5 8.0 SOT343 BFR840L3RHESD BFR840L3RHESDE6327XTSA1 0.50 26.5 17.0 4.0 TSLP-3-9 射频驱动器 Infrastructure 产品名称 OPN BFP780 BFP780H6327XTSA1 BFQ790 1) BFQ790H6327XTSA1 1.9 GHz 2.7 GHz 封装 增益 [dB] OIP3 [dBm] OP1dB [dBm] 增益 [dB] OIP3 [dBm] OP1dB [dBm] 18 35 23 14.4 35 23 SOT343 17 40 27 14.0 40 27 SOT89 1) 2016 年第四季度开始供货 9 射频晶体管 产品组合 Infrastructure 低噪聲硅晶体管，工作頻率高达 2.5 GHz 产品名称 SP No OPN 电气特性 VCEO (最 大值) [V] IC (最大 值) [mA] NFmin (典型值) [dB] Gmax (典型值) [dB] OIP3 [dBm] OP1dB f T (典型 Ptot (最 值) 大值) [dBm] [GHz] [mW] BFP181 SP000011013 BFP181E7764HTSA1 12 20 0.9 21.0 16.5 -2.0 8.0 175 SOT143-4-1 BFR181 SP000011047 BFR181E6327HTSA1 12 20 0.9 18.5 18.0 -1.0 8.0 175 SOT23 BFR181W SP000750418 BFR181WH6327XTSA1 12 20 0.9 19.0 18.0 -1.0 8.0 175 SOT323 BFP182R SP000011016 BFP182RE7764HTSA1 12 35 0.9 22.0 24.0 5.0 8.0 250 SOT143-4-1 BFP182W SP000745176 BFP182WH6327XTSA1 12 35 0.9 22.0 24.0 5.0 8.0 250 SOT343 BFR182 SP000011051 BFR182E6327HTSA1 12 35 0.9 18.0 24.5 5.0 8.0 250 SOT23 BFR182W SP000750420 BFR182WH6327XTSA1 12 35 0.9 19.0 25.0 5.0 8.0 250 SOT323 BFP183W SP000745244 BFP183WH6327XTSA1 12 65 0.9 22.0 26.5 8.5 8.0 450 SOT343 BFR183 SP000011054 BFR183E6327HTSA1 12 65 0.9 17.5 27.0 9.0 8.0 450 SOT23 BFR35AP SP000011060 BFR35APE6327HTSA1 15 45 1.4 16.0 24.0 9.0 5.0 280 SOT23 BFR92P SP000011062 BFR92PE6327HTSA1 15 45 1.4 16.0 24.0 9.0 5.0 280 SOT23 BFS17P SP000011073 BFS17PE6327HTSA1 15 25 3.5 12.7 21.5 10.0 1.4 280 SOT23 BFS17S SP000750448 BFS17SH6327XTSA1 15 25 3.0 12.7 22.5 11.0 1.4 280 SOT363 BFS17W SP000750450 BFS17WH6327XTSA1 15 25 3.5 12.7 22.5 11.0 1.4 280 SOT323 BFS481 SP000750462 BFS481H6327XTSA1 12 20 0.9 20.0 18.0 -1.0 8.0 175 SOT363 BFS483 SP000750464 BFS483H6327XTSA1 12 65 0.9 19.0 26.5 9.0 8.0 450 SOT363 BFR340F SP000750426 BFR340FH6327XTSA1 6 10 1.15 16.5 13.0 -1.0 14.0 60 TSFP-3-1 BFR340L3 SP000013558 BFR340L3E6327XTMA1 6 10 1.15 17.5 12.5 -1.0 14.0 60 TSLP-3-7 BFR360F SP000750428 BFR360FH6327XTSA1 6 35 1.0 15.5 24.0 9.0 14.0 210 TSFP-3-1 BFR360L3 SP000013561 BFR360L3E6765XTMA1 6 35 1.0 16.0 24.0 9.0 14.0 210 TSLP-3-1 BFP183 SP000011018 BFP183E7764HTSA1 12 65 0.9 22.0 26.5 8.5 8.0 250 SOT143 低噪聲硅晶体管，工作頻率高达 5 GHz 产品名称 10 封装 SP No OPN 电气特性 VCEO (最 IC (最大 大值) 值) [V] [mA] NFmin (典型值) [dB] Gmax (典型值) [dB] OIP3 [dBm] OP1dB f T (典型 Ptot (最 值) 大值) [dBm] [GHz] [mW] 封装 BFP405 SP000745254 BFP405H6327XTSA1 4.5 12 1.25 23.0 15.0 5.0 25 55 SOT343 BFP405F SP000745258 BFP405FH6327XTSA1 4.5 12 1.25 22.5 14.0 0.0 25 55 TSFP-4-1 BFP410 SP000762244 BFP410H6327XTSA1 4.5 40 1.2 21.5 23.5 10.5 25 150 SOT343 BFP420 SP000745260 BFP420H6327XTSA1 4.5 35 1.1 21.0 22.0 12.0 25 160 SOT343 BFP420F SP000745268 BFP420FH6327XTSA1 4.5 35 1.1 19.5 24.0 10.5 25 160 TSFP-4-1 BFP460 SP000745276 BFP460H6327XTSA1 4.5 50 1.1 17.5 27.5 11.5 22 200 SOT343 BFP520 SP000745280 BFP520H6327XTSA1 2.5 40 0.95 23.5 25.0 12.0 45 100 SOT343 BFP520F SP000745282 BFP520FH6327XTSA1 2.5 40 0.95 22.5 23.5 10.5 45 100 TSFP-4-1 BFP540 SP000745288 BFP540H6327XTSA1 4.5 80 0.9 21.5 24.5 11.0 30 250 SOT343 BFP540ESD SP000745298 BFP540ESDH6327XTSA1 4.5 80 0.9 21.5 24.5 11.0 30 250 SOT343 BFP540FESD SP000745300 BFP540FESDH6327XTSA1 4.5 80 0.9 20.0 24.5 11.0 30 250 TSFP-4-1 BFR460L3 SP000014238 BFR460L3E6327XTMA1 4.5 50 1.1 16.0 27.0 11.5 22 200 TSLP-3-1 超低噪聲硅锗:碳化物晶体管，工作頻率高达 12 GHz 产品名称 SP No BFP640ESD SP000785482 BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640FESD BFP620 OPN 电气特性 VCEO (最 IC (最大 大值) 值) [V] [mA] NFmin (典型值) [dB] Gmax (典型值) [dB] OIP3 4.1 50 0.65 25.0 27.0 12.0 46 200.0 SOT343 SP000890034 BFP640FESDH6327XTSA1 4.1 50 0.55 26.5 26.0 11.5 46 200.0 TSFP-4-1 SP000745302 BFP620H7764XTSA1 2.3 80 0.70 21.5 25.5 14.5 65 185.0 SOT343 BFP620F SP000745304 BFP620FH7764XTSA1 2.3 80 0.70 21.0 25.0 14.0 65 185.0 TSFP-4-1 BFP640 SP000745306 BFP640H6327XTSA1 4.0 50 0.65 24.0 26.5 13.0 40 200.0 SOT343 BFP640F SP000750404 BFP640FH6327XTSA1 4.0 50 0.65 23.0 27.5 13.5 40 200.0 TSFP-4-1 高线性度硅和硅锗:碳化物晶体管，工作頻率高达 6 GHz 产品名称 SP No BFQ19S SP000011042 BFR93A OPN OP1dB f T (典型 Ptot (最 值) 大值) [dBm] [dBm] [GHz] [mW] 封装 电气特性 OP1dB f T (典型 Ptot (最 值) 大值) [dBm] [dBm] [GHz] [mW] 封装 VCEO (最 IC (最大 大值) 值) [V] [mA] NFmin (典型值) [dB] Gmax (典型值) [dB] OIP3 BFQ19SE6327HTSA1 15.0 210 1.8 11.5 32.0 22.0 5.5 1 SOT89 SP000011066 BFR93AE6327HTSA1 12.0 90 1.5 14.5 30.0 15.0 6.0 300 SOT23 BFR93AW SP000734402 BFR93AWH6327XTSA1 12.0 90 1.5 15.5 30.0 15.0 6.0 300 SOT323 BFR106 SP000011044 BFR106E6327HTSA1 15.0 210 1.8 13.0 32.0 22.0 5.0 700 SOT23 BFP193 SP000011024 BFP193E6327HTSA1 12.0 80 1.0 18.0 29.5 15.0 8.0 580 SOT143-4-1 BFP193W SP000745248 BFP193WH6327XTSA1 12.0 80 1.0 20.5 29.5 15.0 8.0 580 SOT343 BFR193 SP000011056 BFR193E6327HTSA1 12.0 80 1.0 15.0 30.0 15.0 8.0 580 SOT23 BFR193F SP000750424 BFR193FH6327XTSA1 12.0 80 1.0 19.0 29.0 14.8 8.0 580 TSFP-3-1 BFR193W SP000734404 BFR193WH6327XTSA1 12.0 80 1.3 16.0 30.0 15.0 8.0 580 SOT323 BFR193L3 SP000013557 BFR193L3E6327XTMA1 12.0 80 1.0 19.0 29.0 15.0 8.0 580 TSLP-3-1 BFP196W SP000745250 BFP196WH6327XTSA1 12.0 150 1.3 19.0 32.0 19.0 7.5 700 SOT343 BFR380F SP000750444 BFR380FH6327XTSA1 6.0 80 1.1 13.5 29.0 17.0 14.0 380 TSFP-3-1 BFR380L3 SP000013562 BFR380L3E6327XTMA1 6.0 80 1.1 13.5 29.5 16.0 14.0 380 TSLP-3-1 BFP450 SP000745270 BFP450H6327XTSA1 4.5 100 1.25 15.5 29.0 19.0 24.0 450 SOT343 BFP650 SP000750406 BFP650H6327XTSA1 4.0 150 0.8 21.5 29.5 18.0 37.0 500 SOT343 BFP650F SP000750408 BFP650FH6327XTSA1 4.0 150 0.8 21.5 31.0 17.5 42.0 500 TSFP-4-1 BFP196 SP000011027 BFP196E6327HTSA1 12.0 150 1.3 19.0 32.0 19.0 7.5 700 SOT143-4-1 11 PIN 二极管 英飞凌科技 PIN 二极管的工作频率高达 3 GHz，拥有高电 压处理功能，非常适合范围广泛的移动通信和视频应用。 它们的低损耗和低失真水平能够延长蜂窝和无绳电话中 的电池寿命并提高质量。 与生俱来的品质主要来自于其一流的平面扩散工藝。 这些 产品提供包括 TSLP 和无引脚封装在内的广泛的高度紧凑 型封装选项，显著减小板载空间，帮助设计师创建更加小 巧、轻质的最终产品。 凭借极低的正向电阻、二极管电容和串联电感，这些二极 管不仅能提供出色的射频性能，还能简化设计导入。 这些 关键性能 技术优势 ››低插入损耗（低 rf） ››高隔离（低电容 Ct） ››低功耗（低 lf） ››较低高频失真 ››广泛的产品组合 ››小型化包装 客户获得的益处 ››单路和双路配置 ››高线性度 ››收发天线开关快速切换时间 ››收发天线开关的低插入损耗和低散热 ››关注需要的参数，提供灵活的电路设计 ››简单适用于不同应用/频率 ››在设计概念方面具有高度多功能性 ››提高系统效率 功能 ››改善整体射频性能 客户获得的益处 - 减小空间 SOT23 12 SC79 0.62 ±0.035 0.32 ±0.035 1.2 ±0.1 1.6 ±0.1 0.8 ±0.1 1.3 ±0.1 2.4 ±0.15 2.9 ±0.1 TSSLP-2-1, -2 ››小尺寸因素：70% 封装配置可提 高设计灵活性 ››寄生效应减少 90% ››提高插入时的射频性能 应用示例：单天线无绳电话 ››SPDT开关的核心设有两个单 PIN 二极管或一个双二 BPF LNA Rx Transceiver IC SPDT switch Tx ESD diode BPF Buffer amplifier BPF Buffer amplifier BFP450, BFP650, BFP750 Low-noise amplifier BFP640, BFP740, BFP840 ANT SW PIN diodes BAR64-xx, BAR63-xx, BAR90-xx TVS diode ESD108, ESD128, ESD129 Infrastructure PIN 二极管 – 产品组合 CT 系列 [pF] > 50 pF < 50 pF ≤ 25 pF 1) 不建议用于新设计 极管 ››根据偏置电压情况，其中一个二极管位于“短路”状态， 另一个位于“启动”状态，可有效连接天线的发送或接收 路径 ››英飞凌 PIN 二极管非常适合构建可无缝提供低插入损 耗和高度隔离的开关 产品名称 BA592 BAR14-1/15-1/16-1 BAR61 BAR64-03W, -02V BAR64-02EL BAR64-04/05/06/*07 BAR64-04W/05W/06W BAR65-03W, -02V BAR66 BAR67-02V BAR67-04 BA885, BA595 BA895-02V BAR88-02V BAR88-02LRH1) BAR89-02LRH1) BAR90-02EL, -02ELS BAR90-02LRH1) BAR90-081LS BAT18-04,-05 BAR50-03W, -02V BAR50-02L BAR63-03W, -02V BAR63-02L BAR63-04/05/06 BAR63-04W/05W/06W CT , 1 V 时 [pF] D D D D Q D D D 0.92 0.50 0.50 0.45 0.45 0.45 0.45 0.45 0.45 0.40 0.40 0.35 0.35 0.30 0.30 0.25 0.25 0.25 0.25 0.75 0.24 0.24 0.23 0.23 0.23 0.23 Rf , 10 mA 时 [Ω] 0.36 7.00 7.00 2.10 2.10 2.20 2.30 0.60 1.00 1.00 1.00 4.50 4.50 0.60 0.60 0.80 0.80 0.80 0.80 0.40 3.00 3.00 1.00 1.00 1.00 1.00 τrr 封装 120 ns 1.0 µs 1.0 µs 1.55 µs 1.55 µs 1.55 µs 1.55 µs 80 ns 700 ns 700 ns 700 ns 1.6 µs 1.6 µs 0.5 µs 0.5 ms 0.8 µs 0.75 µs 0.75 µs 0.75 µs 120 ns 1.1 µs 1.1 µs 75 ns 75 ns 75 ns 75 ns SOD323 SOT23 SOT143 SOD323, SC79 TSLP-2 SOT23, *SOT143 SOT323 SOD323, SC79 SOT23 SC79 SOT23 SOT23, SOD323 SC79 SC79 TSLP-2-RH TSLP-2-RH TSLP-2, TSSLP-2 TSLP-2-RH TSSLP-8 SOT23 SOD323, SC79 TSLP-2 SOD323, SC79 TSLP-2 SOT23 SOT323 D = 双配置 Q = 四配置 13 肖特基二极管 英飞凌射频肖特基二极管是硅基低势垒 N 型设备，不同于 市场上已有的其他解决方案，它们提供不同的结型二极管 配置，可用于高度敏感的功率检测器电路以及采样或混頻 电路。 关键性能 极低势垒高度和极小正向电压，加上低结电容，使得该器 件系列成为工作频率高达 24 GHz 的混頻器的绝佳之选。 技术优势 ››低漏电流（低 Rf） ››低信号失真水平 ››高效率/低损耗 ››低功耗 ››片上保护环保护 ››广泛的产品组合 ››小型化包装 ››快速切换 ››专门定制用于低功率/中等 功率检测电路 ››检测器应用的宽动态范围 ››相比集成混频器，拥有高线性度和电源 处理功能 客户获得的益处 ››关注需要的参数，提供灵活的电路设计 ››简单适用于不同应用/频率 ››由于带宽，提供简单的检测器/混音器 ››在设计概念方面具有高度多功能性 ››提高系统效率 应用示例：24GHz 雷达系统 Double-balanced mixer 24 GHz LNA Buffer amplifier Balun VCO to baseband Schottky diode BAT24-02ELS ››根据应用要求，提供非平衡、单平衡或双平衡混頻器拓扑 ››平衡的混頻器提供良好的射频隔离 ››双平衡混頻器还提供良好的 LO、射频和 IP 隔离 14 目标应用 ››无线網和 WiFi 路由器 ››移动设备 ››24 GHz 雷达系统首选分立式器件解决方案 肖特基二极管 - 产品组合 产品名称 BAT15-02EL/-02ELS BAT15-03W VR (最大值) [V] IF (最大值) [mA] CT [pF] VF (1 mA ) [mV] 封装 4 110 0.26 230 TSLP-2/TSSLP-2 4 110 0.26 230 SOD323 BAT15-04W D 4 110 0.26 230 SOT323 BAT15-05W D 4 110 0.26 230 SOT323 BAT15-04R D 4 110 0.26 230 SOT23 BAT15-099/-099LRH1) D 4 110 0.26 230 SOT143/TSLP-4 BAT15-099R Q 4 110 0.38 230 SOT143 4 130 0.55 340 SOT23 BAT17 BAT17-04/W D 4 130 0.55 340 SOT23/SOT323 BAT17-05 D 4 130 0.55 340 SOT23 BAT17-05W D 4 130 0.55 340 SOT323 BAT17-06W D 4 130 0.55 340 SOT323 BAT17-07 D 4 130 0.75 340 SOT143 BAT24-02LS 4 110 0.21 230 TSSLP BAT62 40 20 0.35 440 SOT143 BAT62-02L/-02LS 40 120 0.35 440 TSLP-2/TSSLP-2 BAT62-02V/-03W 40 20 0.35 440 SC79/SOD323 BAT62-07L4 D 40 20 0.35 440 TSLP-4 BAT62-07W D 40 20 0.35 440 SOT343 3 100 0.65 190 SC79 3 100 0.65 190 SOT343 8 130 0.75 318 SOT23 BAT63-02V BAT63-07W D BAT68 BAT68-04/W D 8 130 0.75 318 SOT23/SOT323 BAT68-06/W D 8 130 0.75 318 SOT23/SOT323 1) 不建议用于新设计 D = 双配置 Q = 四配置 15 射频二极管产品组合按封装分类 PIN 二极管 SOD323 BAR50-03W BAR63-03W BAR64-03W BAR65-03W SC79 BAR50-02V BAR63-02V BAR64-02V BAR65-02V BAR67-02V SOT23 BAR63-04 BAR63-05 BAR63-06 BAR64-04 BAR64-05 BAR64-06 BAR67-04 SOT143 BAR64-07 SOT323 TSLP-2 BAR63-04W BAR63-05W BAR63-06W BAR63-04W BAR63-05W BAR63-06W BAR88-02V BA595 BA885-02V BA885 BAR14-1 BAR15-1 BAR16-1 TSSLP-2 TSSLP-8 BAR50-02L BAR63-02L BAR64-02EL BAR90-02EL BAR90-02ELS BAR90-081LS BAR88-02LRH BAR89-02LRH BAR90-02LRH TSSLP-2 BAR61 建议用于新设计 不建议用于新设计 肖特基二极管 SOD323 SC79 BAT15-03W SOT23 SOT143 SOT323 TSLP-2 BAT15-04R BAT17 BAT17-04 BAT17-05 BAT15-099 BAT17-06W BAT15-04W BAT15-05W BAT17-04W BAT17-05W BAT17-06W BAT15-02EL BAT15-02ELS BAT15-099 BAT62-03W 建议用于新设计 不建议用于新设计 16 BAT62-02V BAT63-02V BAT68 BAT68-04 BAT68-06 BAT62 TSLP BAT24-02LS BAT15-099LRH BAT62-07W BAT63-07W BAT68-04W BAT68-06W BAT62-02L BAT62-02LS 英飞凌射频分离式器件支持 有用链接和信息 更多信息、数据表和文档 评估板 www.infineon.com/rftransistors www.infineon.com/rfevalboards 仿真模型 www.infineon.com/rfdiodes www.infineon.com/rfcomponentlibraries 视频 www.infineon.com/rf www.infineon.com/mediacenter Simulation 17 交叉参考列表 射频晶体管 产品名称 制造商产品 制造商 产品系列 产品名称 制造商产品 BFP182 BFU520X2) NXP BFP183 2SC40942)/2SC4957 BFP182R BFU520XR2) NXP 射频晶体管 BFP193 2SC40932)/2SC54552) BFP182W BFU520W NXP BFP193W 2SC4227 /2SC5011 BFP183 BFU530X NXP BFP196 2SC40931) 2)/2SC4227 BFP183W BFU530W NXP BFP196W 2SC40932) BFP193 BFG540/X NXP BFR35AP 2SA1977 BFP193W BFG540W/XR NXP BFR93AW 2SC4226 BFP196 BFG540/X NXP BFR181 2SC55081) BFP196W BFG540W/XR NXP BFR181W 2SC55081)/2SC50101) BFR35AP BFT25A NXP BFR182W 2SC50071) BFR93A BFT93A NXP BFR183W 2SC50071) BFR93AW BFT93W NXP BFR193F 2SC50061) BFR181 BFG505XN NXP BFQ19S 2SC3357/4095/4536/4703 BFR182 BFU520A NXP BFR340F 2SC56061) BFR182W BFS520W/PRF947 NXP BFR360F 2SC56061) BFR183 BFU530A NXP BFP420 2SC55082) BFR183W BFU530W/PRF947 NXP BFP450 2SC55092) BFR193 BFU550A NXP BFS481 2SC56061) 2) BFS483 2SC54551) 2) BFR750EL3 2SC5509(NE663M04) BFP183W 2SC5087 BFP193 2SC5087R BFP193W 2SC4842 BFP196W 2SC4842 BFR35AP MT3S19R BFR93AW MT3S16U BFR106 MT3S113/MT3S1112) BFR181W 2SC5090 BFR182 2SC5064 BFR182W 2SC5065 BFR183 2SC5084 BFR183W 2SC5085 BFR193 2SC5084 BFR193F 2SC50861) BFR193W 2SC5085 BFP405 MT4S34U BFP420 MT4S200U BFP450 MT4S24U1)/MT4S03BU BFP540ESD MT4S300U/MT4S301U BFP181 NXP BFS17P BFS17A NXP BFR340F BFG325XR1) NXP BFP405 BFG410W NXP BFP420 BFG425W NXP BFP450 BFG21W/BFG480W NXP BFP540 BFG480W1)/BFU660F NXP BFP540ESD BFG480W1)/BFU660F NXP BFP620 BFU610F NXP BFP640 BFU630F NXP BFP640ESD BFU630F NXP BFP650 BFU660F NXP BFP720 BFU710F NXP BFP720ESD BFU710F NXP BFP740 BFU725F/BFU730F NXP BFP740ESD BFU725F/BFU730F NXP BFP760 BFU760F NXP BFR740EL3 BFU730LX NXP BFP840ESD BFU710F NXP BFP843 BFU730F NXP BFR843EL3 BFU730LX NXP BGB707L7ESD BGU6102 NXP 1) 不同封装 2) 不同引脚 18 BFR505/T1) 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 BFP182W 2SC50122)/2SC50152) 2) 2) 制造商 产品系列 瑞萨 射频晶体管 瑞萨 射频晶体管 瑞萨 瑞萨 瑞萨 瑞萨 瑞萨 瑞萨 瑞萨 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 瑞萨 射频晶体管 瑞萨 射频晶体管 瑞萨 瑞萨 瑞萨 瑞萨 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 瑞萨 射频晶体管 瑞萨 射频晶体管 瑞萨 射频晶体管 瑞萨 瑞萨 瑞萨 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频晶体管 射频二极管 产品名称 制造商产品 制造商 产品系列 产品名称 制造商产品 制造商 产品系列 BAT15-02ELS HSMS286x BAP64-04 NXP HSMS286x 射频肖特基二极管 BAR64-04 BAT15-02LRH 安华高 BAR64-04W BAP64-04W NXP 射频 PIN 二极管 BAR64-05 BAP64-05 NXP BAR64-05W BAP64-05W NXP BAR64-06 BAP64-06 NXP BAR64-06W BAP64-06W NXP BAR65-02V BAP65-02 NXP BAR65-03W BAP65-03 NXP BAR67-02V BAP51-02 NXP BAR88-02LRH BAP65LX NXP BAR88-02V BAP65-02 NXP BAR89-02LRH BAP142LX NXP BAR14-1 1SV251 BAR64-04 1SV251 BAR64-04W 1SV264 BAR65-03W MMVL3401 BA885 BA779-G BAR14-1 S392D-G BAR64-05W BAR64V-05W BAT15-02EL HSMS286x BAT15-02LS HSMS286x BAT15-03W HSMS286x BAT15-04W HSMS286x 安华高 安华高 安华高 安华高 安华高 BAT15-03W 1PS76SB17 NXP BAT17 BAT17 NXP BAT17-04 PMBD353 NXP BAT62 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PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频肖特基二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 射频 PIN 二极管 19 购买渠道 英飞凌的经销合作伙伴和销售办事处： www.infineon.com/WhereToBuy 服务热线 英飞凌的免费服务热线号码为 0800/4001，并且全天候提供英语、 中文普通话和德语服务。 ››德国.......................... 0800 951 951 951（德语/英语） ››中国大陆 .................. 4001 200 951（中文普通话/英语） ››印度.......................... 000 800 4402 951（英语） ››美国.......................... 1 -866 951 9519（英语/德语） ››其他国家/地区.......... 00* 800 951 951 951（英语/德语） ››请直拨 ..................... +49 89 234-0（接续费，德语/英语） *请注意：在直拨该国际号码时，一些国家可能要求您输入“00”之外的其他代码。 请访问您所在国家的 www.infineon.com/service！ 移动产品目录 iOS和安卓版移动应用程序 www.infineon.com 发布方： 英飞凌科技股份公司 81726 Munich, Germany © 2016 Infineon Technologies AG。 保留所有权利。 订购编号：B132-I0320-V1-5D00-AP-EC-P 日期：06 / 2016 请注意！ 本文档仅用于提供信息，并且给出的任何信息均不可视为针对 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