特集 エネルギーマネジメントに 貢献するパワー半導体 第 2 世代 LLC 電流共振制御 IC「FA6A00N シリーズ」 2nd Generation LLC Current Resonant Control IC, “FA6A00N Series” 陳 建 CHEN Jian 山田谷 政幸 YAMADAYA Masayuki 城山 博伸 SHIROYAMA Hironobu LLC 電流共振電源は，ソフトスイッチング，デューティ比 50 % の共振制御，リーケージトランス構造という特徴があ り，スイッチング電源の高効率化，低ノイズ化，薄型化に適している。富士電機は，第 1 世代の LLC 電流共振制御 IC 「FA5760N」の特徴を継承しながら，さらなる低待機電力化や保護機能を充実した第 2 世代の「FA6A00N シリーズ」を開 発した。待機電力を従来よりもさらに約 2 割削減しながら，世界で初めて高精度の二次側過負荷保護機能を内蔵した。過電 LLC current resonant power supply, which is characterized by soft switching, resonance control with a duty ratio of 50 % and leakage transformer structure, is suitable for efficiency improvement, noise reduction and profile lowering in switching power supply. Fuji Electric has developed the 2nd generation“FA6A00N Series,”which inherits the characteristics of the 1st generation LLC current resonant control IC,“FA5760N,”and is enhanced with lower standby power and improved protective functions. It integrates the world’s first high-precision secondary side over-load protection function while further reducing the standby power by approximately 20 %. For the over-current protection function, the delay time can be externally adjusted.. 第 2 世代 LLC 電流共振制御 IC「FA6A00N シリーズ」を まえがき 開発した。 スイッチング電源は，各種電子機器に用いられ，省電力 化や省スペース化の要求に応えるため，高効率化，低ノイ 製品の概要 ズ化，薄型化が急速に進んでいる。LLC 電流共振電源は， FA6A00N シリーズの外観を図 高効率，低ノイズのソフトスイッチング技術と，薄型の リーケージトランス構造を使用しているという特徴がある。 に示す。また，主要定格を表 に，ブロック図を図 に，主な機能を表 に，製 この特徴により，電源の高効率化，低ノイズ化および薄型 化に適しているため，スイッチング電源としては中間容量 の 100 〜 500 W の電源に使われている。しかし，LLC 電 流共振電源は，起動時や重負荷時および低入力電圧時に 〈注〉 スイッチング貫通現象が発生しやすい。この現象によるパ ワー MOSFET の破壊や励磁電流による軽負荷時の効率低 下などの課題を抱えており，用途は限定的であった。 そ こ で， こ れ ら の 課 題 を 解 決 す る た め， 富 士 電 機 は 独 自 の 新 制 御 方 式 を 採 用 し た LLC 電 流 共 振 制 御 IC ⑴,⑵ 「FA5760N」を製品化した。FA5760N は PFC コンバータ と専用待機コンバータを不用とした LLC 共振コンバータ であり，高効率，低待機電力かつ小型の電源システムの 構成が可能である。これにより，PFC コンバータなしの 50 W 程度の電源にも採用されるようになり，適用範囲が 広がった。 今 回， 富 士 電 機 は 第 1 世 代 LLC 電 流 共 振 制 御 IC 図 「FA6A00N シリーズ」 表 主要定格 項目名 「FA5760N」の特徴を継承しながら，さらなる低待機電力 化，保護機能の充実，高品質化，低システムコストを実現 ハイサイド電源対地電圧 し，かつ設計自由度の高い LLC 電流共振電源を実現する ハイサイド電源電圧（V BS） ローサイド電源電圧（V CC） 〈注〉スイッチング貫通現象：ブリッジスイッチ回路において，一方 VH端子入力電圧 のパワー MOSFET のボディダイオードに電流が流れていると 最大許容オフセット電源電圧 dv /dt きに，対向のパワー MOSFET がターンオンし，瞬間的に大電 全損失 流が発生する現象である。 動作ジャンクション温度 定格値 −0.3 ∼＋630 V −0.3 ∼＋30 V −0.3 ∼＋30 V −0.3 ∼＋600 V ±50 kV/µs（max.） 0.83 W −40 ∼＋150 ℃ 富士電機技報 2013 vol.86 no.4 267（37） 特集 エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体 流保護機能は遅延時間を外部で調整することが可能である。 第 2 世代 LLC 電流共振制御 IC「FA6A00N シリーズ」 VCC VH Intemal Supply レギュ レータ X-CAP 放電 起動回路 VH 電圧 検出 回路 VCC_UVLO BO /PGS BO + - BOPINP UVLO + STB MODE スタンバイ制御回路 状態制御回路 Msstb Mstb Smode VHOVP BOP VB UVLO DTadj FB CS Pulse by pulse protection ハイサイド 制御回路 on_trg 発振器 HO ハイサイド ドライバ HO control off_trg Continuous protection FB FB VS VCC LO control ローサイド ドライバ 制御回路 OLP OCP CS Continuous Protection VHOVP 特集 エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体 UVLO CS ソフト スタート 制御回路 FTO CS 制御ターンオフ VCC スタンバイ Smode 制御回路 Mstb Msstb 図 「FA6A00N シリーズ」のブロック図 表 主な機能と端子 起動回路 低電圧誤動作防止回路 状態設定機能 デッドタイム 自動調整 パルスバイ パルス 保護回路 VW OLP 検出回路 Smode GND VW 製品系列 端子（No.） 製品名 3番端子 過負荷保護 過電流保護 VH(1)，VCC（10） FA6A00N PGS端子 自動復帰 ラッチ停止 VCC（10） ，VB（16） FA6A01N PGS端子 自動復帰 自動復帰 MODE（7） FA6A10N BO端子 自動復帰 自動復帰 FA6A11N BO端子 ラッチ停止 ラッチ停止 X-CAP放電機能 VH（1） VH（1） 可変ブラウンイン・ブラウンアウト BO（3） 過電圧保護 VH（1） ，VCC（10） 遅延時間可変の過電流保護 IS（8） ，MODE（7） VW（9） ，FB（4） 過熱保護 内 蔵 外部ラッチ信号入力 MODE（7） 強制ターンオフ機能 VW（9） ，IS（8） デッドタイム自動調整機能 VW（9） 高精度過負荷保護機能 VW（9） ソフトスタート機能 CS（5） 低待機動作モード Pulse-bypulse Protection VW_OLP 表 固定ブラウンイン・ブラウンアウト 過負荷保護 Dadj Mstb IS 機 能 保護回路 BOP BOPINP Mstb Msstb LO VCC（10） ，CS（5） ，VH（1） パワーグッド信号 PGS（3） 子内蔵 ⒟ JEDEC 準 拠 の 16 ピ ン SOP（Small Outline Pack age） ハイサイドとローサイドの両出力は，高精度 50 % デュー ティ比で交互に動作し，動作周波数範囲は 38 k〜350 kHz である。 特 徴 . 低損失バースト制御 第 1 世 代 の FA5760N は，VCC 端 子 と CS 端 子 で ヒ ス テリシスバースト制御を行い，待機コンバータなしで世 界 ト ッ プ レ ベ ル の 低 待 機 電 力 を 実 現 し た。 第 2 世 代 の 品系列を 表 に示す。FA6A00N シリーズの LLC 電流共 振制御 IC の概要は次のとおりである。 ⒜ LLC 電 流 共 振 回 路 を 制 御 す る 3.3 V，5 V お よ び 30 V の耐圧制御回路 ⒝ ハーフブリッジ回路のハイサイドおよびローサイド FA6A00N シリーズは，加えてバースト制御の最適化を行 い，FA5760N より待機電力をさらに約 2 割削減した。 LLC 電流共振制御は，ハイサイドとローサイドのデュー ティ比を 50 % とし，スイッチング 周波数 でゲインを制御 している。図 に電流共振ゲイン図を示す。周波数の変動 スイッチ素子を直接駆動できる 630 V 耐圧ドライバ回 範囲は，通常動作時は原理的に狭く，バースト動作時は広 路 くなる。 ⒞ 低消費電力で IC 起動を実現する 600 V 耐圧起動素 富士電機技報 2013 vol.86 no.4 268（38） バースト動作時の周波数を図 に示す。周波数が高い領 第 2 世代 LLC 電流共振制御 IC「FA6A00N シリーズ」 3 Aux 通常動作時の 周波数変動範囲 R1 バースト動作時の 周波数変動範囲 R2 ゲイン 2 VW + 2 Volpvw 遅延回路 Tolpdly = 76.8 ms S 遅延回路 Tolpoff = 550 ms R Q Stop switching 1 図 0 0 50 100 150 200 周波数（kHz） 高精度過負荷保護機能の回路構成 がら，この補助巻線を使用して高精度の過負荷保護機能を 世界で初めて内蔵した。 図 電流共振ゲイン図 過負荷保護機能とは，電源システムを保護するため，負 にスイッチングを停止する機能である。この機能の精度が 高 無効領域 変換効率が高い領域 変換効率が低い領域 悪化すると，出力電力が不足したり，出力電力に制限がか からなくなったりするため，過負荷保護として満足に使え 周波数 なくなる。さらに，過負荷保護レベルは入力電圧が広範囲 ① に変化しても，過負荷レベルは一定の範囲（±20 % 程度） に抑えなければならない。 ② FA6A00N シリーズの高精度過負荷保護機能の回路構成 ③ を図 低 FA5760N FA6A00N シリーズ に示す。補助巻線電圧は抵抗分圧の VW 電圧で検出 する。この分圧抵抗の推奨精度は±1 % である。VW 電圧 はしきい値電圧 Volpvw を超えると過負荷状態と認識し，過 図 バースト動作時の周波数 負荷状態が 76.8 ms 継続すると，スイッチングを停止する。 検出精度を高めるため，Volpvw のばらつきは高精度の±3 % 域①はゲインが低く，スイッチングを行ってもエネルギー 以内に設定した。製品化したものは，スイッチング停止時 の転送ができない無効領域である。周波数が低い領域③は 間が 550 ms になるとリスタートする自動復帰版と，リス ゲインが高く，励起電流が大きいため，エネルギー転送 タートしないラッチ停止版である。 の効率が悪く，変換効率が低い領域である。FA6A00N シ に示す。過負荷保護の動 過負荷保護動作時の波形を図 リーズは無効領域と変換効率が低い領域を削減し，変換効 作になると，スイッチングが停止してエネルギーの転送が 率の高い領域②を広げることで低待機電力化を実現した。 なくなり，出力電圧が下がる。 また，音鳴りも同時に抑制している。 図 に，過負荷保護動作電力の入力電圧に対する依存性 を示す。FA5760N では，一般的な共振電流の検出で過負 . 高精度の過負荷保護機能 荷保護を行っているが，入力電圧の範囲が広い場合には， 第 1 世代の FA5760N は，一次側の補助巻線 P2（図 ） を利用して VCC 端子に電源を供給するとともに，ハード スイッチング防止および貫通電流防止を実現した。第 2 世 代の FA6A00N シリーズは，FA5760N の機能を継承しな 出力電圧 + o W 電圧のピーク値：2.8 V W 電圧の基準値：0 V 1 HO 1 + 2 i VS Aux W LO 2 図 電流共振の簡易回路図 図 電圧 過負荷保護時の動作波形 富士電機技報 2013 vol.86 no.4 269（39） 特集 エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体 荷が定格負荷の約 1.5 倍になった場合，一定の遅延時間後 第 2 世代 LLC 電流共振制御 IC「FA6A00N シリーズ」 過負荷保護レベル（W） 400 共振電流 300 FA5760N 200 IS 電圧 FA6A00N シリーズ MODE 電圧 100 VS 電圧 0 50 100 150 200 250 300 入力電圧（V） 図 入力電圧と過負荷保護動作電力 特集 エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体 図 過電流保護動作時の波形 過負荷保護レベルの入力電圧依存性が大きく，専用の過負 荷保護回路を追加する必要があった。FA6A00N シリーズ FA6A00N シ リ ー ズ は，Tocp の 調 整 を 状 態 設 定 用 の は，入力電圧が変動しても，過負荷保護レベルの変動が小 MODE 端子と兼用し，端子数を増加することなく遅延時 さく，専用の過負荷保護回路がなくても高精度の過負荷保 間可変の過電流保護機能を実現した。図 に実測波形を示 護機能を構築することができる。結果的に電源システムの す。共振電流が急に伸びるときに IS 端子で過電流状態と 部品点数を削減でき，電源システムのコストダウンが可能 検出される。MODE 端子電圧は状態設定後に 0.5 V にクラ である。 ンプされており，過負荷状態が検出されると 0.6 V と 0.8 V の間で発振する。発振回数が 36 回になるとスイッチング . を停止して過電流から保護する。なお，一回の発振時間は 遅延時間可変の過電流保護機能 負荷短絡状態になったとき，一定時間 Tocp の間，過電流 MODE 端子に接続したコンデンサで調整することができ る。 状態が継続するとスイッチングを停止する。この機能を過 電流保護機能という。Tocp の設定が長すぎるとパワーデバ イスが破壊する可能性がある。Tocp の設定が短すぎると起 電源回路への適用効果 動時に過電流状態になり，負荷短絡状態と検出されて起動 できない可能性がある。最適な Tocp は電源によって異なる . ため，Tocp を外付け部品で調整できれば，電源設計の自由 待機電力の削減効果 にアプリケーション回路例を，表 図 ，表 に アプ リケーション回路例の仕様と主な半導体部品を示す。また， 度が高まる。 YG865C10R （100 V/20 A） + FA6A00Nシリーズ 出力1 24 V/3 A 1 入力 AC 85∼ 264 V 16 1 + ＧＮＤ VB VH HO 15 6 STB 5 CS 3 VS 14 BO/PGS FMV23N50E （500 V/23 A /0.245 Ω） 1 2 YG862C06R （60 V/10 A） + 10 VCC 7 PC1 FMV23N50E （500 V/23 A /0.245 Ω） MODE LO 11 4 FB 9 VW GND IS 12 8 出力2 12 V/2 A 3 ＧＮＤ 4 + 2 PC2 出力3 5 V/1 A ＧＮＤ + 8 7 6 2 3 4 アプリケーション回路例 富士電機技報 2013 vol.86 no.4 270（40） PC2 オンオフ 信号入力 ＧＮＤ FA7764 1 図 PC1 5 + 第 2 世代 LLC 電流共振制御 IC「FA6A00N シリーズ」 表 アプリケーション回路例の仕様 200 項目 特性など 出力電圧 / 電流 24 V/3 A, 12 V/2 A, 5 V/1 A 出力電力 表 FA5760N AC85∼264 V 待機電力（mW） 入力電圧 100 W（max.） アプリケーション回路例の主な半導体部品 部品名 150 100 制御IC FA6A00N シリーズ 50 型式名 FA6A00Nシリーズ ブリッジ部MOSFET FMV23N50E（500 V/23 A/0.245 Ω） ダイオード（24 V） YG865C10R（100 V/20 A） ダイオード（12 V） YG862C06R（60 V/10 A） 5 V DC/DCコンバータ 0 50 100 150 200 250 300 入力電圧（V） 図 FA7764AN 負荷35 mW 時の待機電力 般 的 な LLC 電 流 共 振 電 源 は EMI（Electromagnetic Interference）ノイズ除去用のフィルタ，力率改善用の るため，待機電力の要求仕様が厳しい場合でも待機コン PFC コンバータ，待機コンバータおよび LLC コンバータ バータをなくすことが可能である。 で構成されている。FA6A00N シリーズの採用により，部 品点数を 大幅 に削減することができるため，低コストの . LLC 電流共振電源を構築することが可能になる（表 ） 。 回路部品点数の削減効果 図 に一般的な LLC 電流共振電源の構成を示す。一 フィルタ PFC コンバータ LLC コンバータ + 出力 1 ac 1 1 i PFC 制御 IC 2 + VS DC-DC 回路 LLC 制御 IC OLP 回路 + CC + 出力 2 PWM 制御 IC 待機コンバータ 図 表 一般的な LLC 電流共振電源の構成 部品点数（概数）の比較 フィルタ FA5760N FA6A00N シリーズ PFC コンバータ LLCコンバータ 待機コンバータ 部品点数合計 メイン DC-DC 高精度OLP 10 30 40 60 不要 10 150 75 W以上 10 30 不要 60 20 不要 120 75 W未満 10 不要 不要 60 20 不要 90 富士電機技報 2013 vol.86 no.4 271（41） 特集 エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体 に負荷 35 mW 時の実測待機電力を示す。FA6A00N シリーズは FA5760N に比べて待機電力を約 2 割削減でき 図 第 2 世代 LLC 電流共振制御 IC「FA6A00N シリーズ」 あとがき 陳 建 第 2 世代 LLC 電流共振制御 IC「FA6A00N シリーズ 」 電子デバイス事業本部事業統括部ディスクリート･ 電源 IC の開発に従事。現在，富士電機株式会社 について述べた。この IC は第 1 世代の「FA5760N」の特 IC 技術部。 徴を継承しながら，高精度の過負荷保護機能などで電流共 振制御のさらなる進化を成し遂げた。 今後もさらなる高効率化と低ノイズ化を実現する新技術 山田谷 政幸 の確立を図り，電源の小型化，薄型化に寄与する電源制御 電源 IC の開発に従事。現在，富士電機株式会社 IC の開発を進めていく所存である。 電子デバイス事業本部事業統括部ディスクリート･ IC 技術部。工学博士。電気学会会員。 参考文献 ⑴ 山田谷政幸ほか. LLC電流共振制御IC「FA5760N」. 富士電 特集 エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体 機技報. 2012, vol.85, no.6, p.445-451. ⑵ 陳建. PFC及び待機用コンバータ無しで広入力電圧範囲に 対応したLLC共振コンバータ. 第27回スイッチング電源技術 シンポジウム. 2012, D2-2. 富士電機技報 2013 vol.86 no.4 272（42） 城山 博伸 パワー半導体のフィールドアプリケーションエン ジニアに従事。現在，富士電機株式会社営業本部 半導体営業統括部応用技術部課長。工学博士。電 気学会会員，電子情報通信学会会員。 ＊本誌に記載されている会社名および製品名は，それぞれの会社が所有する 商標または登録商標である場合があります。