2009年3月期 第2四半期累計期間 決算説明会 新日本無線株式会社 Ⅰ．2009年3月期 第2四半期連結累計期間 決算について 2008/11/20 1 決算サマリー • 売上高が減少（前年同期間比 △8.9％） 半導体 マイクロ波デバイス及び光半導体デバイス堅調 オペアンプ、電源用IC、受託生産等の売上減少 マイクロ波関係 マイクロ波管・周辺機器は、官需・民需とも売上減少 マイクロ波応用製品は、衛星通信用・地上通信用売上減少 • 会計基準の変更に伴う減益（△853百万円） 「棚卸資産の評価に関する会計基準」の適用に伴うもの 2008/11/20 2 連結売上高の推移（第２四半期累計） 30,129 (百万円) 30,000 1,591 2,238 2,680 △6.7% △9.0% ＋9.2% 18,263 △10.0% 27,444 1,485 2,033 2,927 16,441 マイクロ波管・周辺機器 マイクロ波応用製品 半導体デバイス バイポーラ 10,000 26,299 半導体 半導体 20,000 △8.9% 23,926 5,355 △14.9% 4,556 MOS 0 2007年度 2008/11/20 2008年度 3 営業利益（連結）の分析（第２四半期累計） 2007年度 (単位：百万円) 営業利益 + 772 2008年度 0 営業損失 － △1,200 減 収 △ 2,684 為替レート差 数量減他 △ 1,280 △ 1,404 + 471 + 205 棚卸資産評価変更 製造固定費減 △ 853 + 889 2008/11/20 販管費減 製造変動費減 4 連結損益の推移（第２四半期累計） (百万円) 営業損益 経常損益 当期純損益 785 772 ＋ 342 ０ － △782 △1,132 △1,200 2007年度 2008/11/20 2008年度 2007年度 2008年度 2007年度 2008年度 5 Ⅱ．2009年3月期 通期計画について 2008/11/20 6 通期計画サマリー ・売上高が減少の見込（前年度比 △9.8％） 半導体 マイクロ波デバイス及び光半導体デバイス売上増加 オペアンプ、電源用IC、モータ用IC、DSP売上減少 マイクロ波関係 マイクロ波管・周辺機器は、官需電子管の売上減少 マイクロ波応用製品は、衛星通信用コンポーネント製品の 売上減少 ・下期計画の為替レート ¥100＝US$１ 2008/11/20 7 連結売上計画（通期） 60,443 (百万円) 60,000 4,578 4,731 5,892 50,000 △9.8% △10.2% △11.9% ＋6.6% 40,000 34,880 △10.5% 4,110 4,170 6,280 31,220 マイクロ波管・周辺機器 マイクロ波応用製品 半導体デバイス バイポーラ 20,000 51,132 半導体 半導体 30,000 54,500 46,220 10,000 10,359 △15.8% 8,720 MOS 0 2007年度 2008/11/20 2008年度 （計画） 8 営業利益（連結）計画の分析（通期） 2007年度 (単位：百万円) 営業利益 + 2008年度 +1,542 （計画） 0 営業損失 － 減 収 △1,300 △ 5,943 為替レート差 数量減他 △ 2,100 △ 3,843 + 867 販管費減 + 1,335 製造固定費減 棚卸資産評価変更 2008/11/20 △ 853 + 1,752 製造変動費減 9 連結損益計画（通期） 営業損益 1,541 (百万円) 経常損益 当期純損益 1,042 434 △900 △1,300 2007年度 2008/11/20 2008年度 （計画） △1,300 2007年度 2008年度 （計画） 2007年度 2008年度 （計画） 10 連結設備投資・研究開発費（通期） 〈設備投資〉 (百万円) 4,500 4,173 〈研究開発費〉 7,000 6,098 4,000 6,000 6,030 3,250 3,500 5,000 3,000 2,582 下期 2,500 1,323 (計画) 2,000 4,000 3,011 下期 2,971 (計画) 3,000 1,500 2,000 1,000 1,591 上期 1,000 500 0 2007年度 2008/11/20 3,087 上期 3,059 1,927 2008年度 （計画） 0 2007年度 2008年度 （計画） 11 半導体 新製品・販売分野別の状況 <個別> 新製品販売比率 販売分野別状況 (2008年4月-9月累計） 70% 60% 半導体デバイス 50% その他 27% 40% MOS 30% 半導体合計 20% PC・周辺 7% AV関連 50% 16% 通信 10% 0% <個別> バイポーラ 2005年度 2006年度 2007年度 2008年度 (計画) 2008/11/20 12 Ⅲ．当面の課題と 対応について 2008/11/20 13 売上高の伸長 • 販売力の強化 特別販売戦略チーム活動 製品別活動 ・組織横断的な営業体制の構築 ・電源用ICを中心とした集中的拡販活動 地域別活動 ・中国地域拡販活動 ＮＪＲ上海直販開始 技術支援の強化 2008/11/20 14 重点開発・拡販製品 オペアンプ 高性能（高精度・高速）オペアンプの開発 電源用IC パワーマネジメント ・ 高耐圧、大電流製品の開発 ・ MCP(Multi-chip Package)による高精度システム 電源用ICの開発 （子会社 佐賀エレクトロニックス㈱による短TAT） GaAs MMIC 低歪、低雑音、高ESD耐性という強みを活かした アプリケーションの拡大 2008/11/20 15 重点開発・拡販製品 オペアンプの拡販方策 操舵系 １．車載用 車室内 SAS/EPS/トルクセンサ 高信頼度製品の拡大 パワーウィンドウ インパネ ライト周辺 HIDレベライザ HIDインバータ ２．産業機器用 高精度・高安定オペアンプ HEV 吸気/排気系 バッテリー電圧監視 バイアス電源生成 EFI・O2センサ ECUエアフロセンサ (億円) ３．PKGの超小型化 <従来品> ＜オペアンプ販売計画＞ 120 TVSP-8 /10 2.9 x 4.0 mm t=1.0 mm(max) 110 超小型PKG ESON-8 2.3X2.3mm t=0.4 mm 実装面積（従来品比） ESON-8 ５０％以下実現！ 2.0X2.0mm t=0.4 mm 100 (年度) 90 2008/11/20 2008 2009 2010 2011 16 重点開発・拡販製品 GaAs MMICの拡販方策 国内携帯ビジネスに集中 国内主力メーカに成長 <現状> ＜データ通信カード用コアICメーカの リファレンスデザイン例＞ 海外ビジネス展開 各種リファレンス デザインに採用 <今後> GSM 送受信 アンテナ SW UMTS 送受信 海外ビジネスでの販売増 データ通信向け中心の リファレンスデザインでの採用を 背景に大きな成長を期待 3年後販売金額 70～100億円！ 2008/11/20 コアIC アンテナ SW RF IC BB IC UMTS 受信 これらのブロック部分に当社 GaAs MMIC（SW、LNA）採用 17 Ⅳ．成長に向けた 中長期的な研究開発活動 2008/11/20 18 新デバイスの研究開発 微弱無線トランシーバIC （300MHz帯） ・応用分野 (百万円) 販売計画 2,000 携帯電話やパソコンの盗難・紛失や 不正使用を防御 1,500 ・開発体制 大手モジュールメーカーとの共同研究開発 （無線性能、システム性能の相互検証） ・開発目標 2009年 サンプル出荷 2010年 量産開始 2008/11/20 1,000 500 ＜製品イメージ＞ 0 2009 2010 2011 2012 2013 (年度) 19 新デバイスの研究開発 デジタル電源制御IC ・デジタル電源のメリット 高速スイッチング制御 回路の簡素化 電圧と電流の同時制御 高速通信機能付加 等 デジタル電源制御ICの 市場規模予測 2007年度 2010年度 140 ・開発状況 08年度 基礎開発 09年度 量産立上げ 400 百万US$ ・販売計画 （年度） 当社販売見込 2008/11/20 百万US$ ＜単位：百万円＞ 2009 0 2010 300 2011 3,000 2012 4,000 20 新デバイスの研究開発 デジタルビデオデコーダ デジタル化対応検討開始 （アナログとデジタルの設計技術の融合） 応用分野：主にカーナビゲーション機器向け 開発目標：2009年 サンプル出荷 2010年 量産開始 （シェア） 40% （百万円） 80 8,000 60 6,000 カーナビ市場 当社アナログ製品 当社デジタル製品 当社シェア 40 4,000 20% 20 2,000 10% 0 0% 2005 2008/11/20 ３0% 2006 2007 2008 2009 2010 2011 （年度） 21 新デバイスの研究開発 MEMS （Micro Electro Mechanical Systems） 電子スイッチ 開発中の デバイス 誤動作のないスイッチ Siマイクロフォン より高性能を目指した マイクロフォン ビデオカメラ・デジカメ・ 携帯電話機・パソコン・ 応 用 分 野 ゲーム機等 ICレコーダ等 製品開発予定 2010年度 2011年度 ＜試作品（MEMSマイク）＞ 2008/11/20 22 新デバイスの研究開発 デジタルマイク マイクの小型化と性能アップ FET CMOS（1chip） リニアリティ･ノイズ特性 ゲイン設定簡易化 ノイズ特性最適化のため、 ECとのマッチングが不要 1bitΔシグマ技術 音響評価技術 要素技術開発 (百万個) マ イ ク 出 荷 個 数 MEMS（1chip） Ｗ.Ｗ.マイク市場規模と当社販売見込 MEMS-IC (百万個) 2,000 100 1,500 80 60 1,000 40 500 20 当 社 出 荷 計 画 個 数 0 0 2008 2009 2010 2011 2012 2013 ECM 2008/11/20 MEMS JRC 23 新デバイスの研究開発 ワイドバンドギャップ半導体デバイスの開発 SiCデバイス GaNデバイス • 研究から開発・実用化フェーズへ展開 • 当社独自のデバイス構造とプロセスが強み • 高耐圧、大電力、高周波の特徴をいかしてゆく • 当社の実績豊富な船舶 • 電力分野への応用可能 レーダ向けの試作品完 性を共同研究開発着手 成済み • ２０１３年頃には２０億円程度の売上を狙う 2008/11/20 24 新デバイスの研究開発 SiCデバイスの研究開発 電子管から固体化モジュールへ 固体化RFモジュールの特徴 ・小型化 ・長寿命 ・電源の小型化 ・パルス信号の容易な変調可 （船舶レーダーへの適用イメージ） 2008/11/20 25 新デバイスの研究開発 当社独自構造の窒化ガリウムデバイス （低温成長・窒化ガリウム・キャップ層） ＜電力用・高耐圧HFETの構造＞ ソース ゲート ドレイン 窒化珪素 低温成長・窒化ガリウム・キャップ層 窒化アルミニウムガリウム 電流コラプス抑制 リーク電流低減 ゲート絶縁膜 表面保護 窒化ガリウム バッファ層 シリコン基板 2008/11/20 低コスト 大口径化可能 加工容易 26 新デバイスの研究開発 開発案件の販売見込額合計（計画） (百万円) 16,000 12,000 SiC/GaN マイクアンプ 微弱無線トランシーバIC デジタルビデオデコーダ デジタル電源制御用ＤＳＰ 8,000 4,000 0 2009年度 2008/11/20 2010年度 2011年度 2012年度 2013年度 27 Ⅴ．当社グループの 継続的な取組み 2008/11/20 28 品質経営・環境経営 品質経営 ＜トヨタ自動車㈱様より＞ トヨタ自動車㈱広瀬工場様より品質優秀賞を受賞 （2008年4月） 当社オペアンプ、電源用ICが対象で、2007年度納 入製品の不良がゼロであったことが評価された。 三菱電機㈱名古屋製作所様より品質優秀賞を受賞 （2008年10月） 不良率を１桁ｐｐｍで維持したことと、不具合品 の解析期間の短縮が評価された。 ＜三菱電機㈱様より＞ 環境経営 海外子会社も含めグループ全体へ展開 環境配慮製品の開発 製品設計の初期段階から環境保全に配慮 当社保有の全パッケージをハロゲンフリー化推進 （2009年度 完了予定） 2008/11/20 29 企業理念と企業像 2008/11/20 30 本資料ご使用に当たり • この資料に記載されている業績予想数値は、現時点で入 手可能な情報をもとにした当社における推測・予測に基 づくものであり、確約や保証を与えるものではありませ ん。実際の業績は、様々な要因により、これらの予想数 値とは大きく異なる場合があります。予めご承知の上、 ご利用下さいますようお願い申し上げます。 本日は、ご清聴ありがとうございました。 新日本無線株式会社 2008/11/20 31