S-8206Aシリーズ 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) www.sii-ic.com Rev.1.2_00 © SII Semiconductor Corporation, 2015-2016 S-8206Aシリーズは、高精度電圧検出回路と遅延回路を内蔵したリチウムイオン / リチウムポリマー二次電池セカンドプ ロテクト用ICです。 特長 ・高精度電圧検出回路 過充電検出電圧 3.50 V ~ 5.00 V (5 mVステップ) 精度±20 mV 過充電解除電圧 3.10 V ~ 4.95 V *1 精度±50 mV ・検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要) ・出力論理を選択可能 : アクティブ "H"、アクティブ "L" ・出力形態を選択可能 : CMOS出力、Nchオープンドレイン出力 ・広動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C ・低消費電流 動作時 : 1.5 μA typ., 3.0 μA max. (Ta = +25°C) ・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー *1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧 (過充電ヒステリシス電圧は、0.05 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能) 用途 ・リチウムイオン二次電池パック ・リチウムポリマー二次電池パック パッケージ ・SNT-6A ・HSNT-6 (1212) 1 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ Rev.1.2_00 ブロック図 1. CMOS出力、アクティブ "H" VDD DO 過充電検出 コンパレータ 制御ロジック 遅延回路 VSS 発振回路 CO VM 図1 2 Rev.1.2_00 2. 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ CMOS出力、アクティブ "L" VDD DO 過充電検出 コンパレータ 制御ロジック 遅延回路 VSS 発振回路 CO VM 図2 3 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ 3. Rev.1.2_00 Nchオープンドレイン出力 VDD DO 過充電検出 コンパレータ 制御ロジック 遅延回路 VSS 発振回路 CO VM 図3 4 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ Rev.1.2_00 品目コードの構成 1. 製品名 S-8206A xx - xxxx U 環境コード U : 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー パッケージ略号とICの梱包仕様*1 I6T1 : SNT-6A、テープ品 A6T2 : HSNT-6 (1212)、テープ品 追番*2 AA ~ ZZまで順次設定 *1. *2. 2. テープ図面を参照してください。 "3. 製品名リスト" を参照してください。 パッケージ 表1 パッケージ名 パッケージ図面コード 外形寸法図面 テープ図面 リール図面 ランド図面 SNT-6A PG006-A-P-SD PG006-A-C-SD PG006-A-R-SD PG006-A-L-SD HSNT-6 (1212) PM006-A-P-SD PM006-A-C-SD PM006-A-R-SD PM006-A-L-SD 5 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ 3. Rev.1.2_00 製品名リスト 3. 1 SNT-6A 表2 製品名 過充電検出電圧 過充電解除電圧 過充電検出遅延時間*1 出力論理*2 出力形態*3 [VCU] [VCL] [tCU] S-8206AAA-I6T1U 4.500 V 4.150 V 2s アクティブ "H" CMOS出力 S-8206AAB-I6T1U 4.550 V 4.200 V 2s アクティブ "H" CMOS出力 S-8206AAC-I6T1U 4.150 V 4.000 V 2s アクティブ "L" CMOS出力 S-8206AAD-I6T1U 4.250 V 4.100 V 2s アクティブ "L" CMOS出力 S-8206AAE-I6T1U 4.150 V 4.000 V 2s アクティブ "H" Nchオープンドレイン出力 S-8206AAF-I6T1U 4.250 V 4.100 V 2s アクティブ "H" Nchオープンドレイン出力 S-8206AAG-I6T1U 4.450 V 4.150 V 2s アクティブ "H" CMOS出力 S-8206AAH-I6T1U 4.400 V 4.100 V 2s アクティブ "H" CMOS出力 S-8206AAI-I6T1U 4.350 V 4.050 V 2s アクティブ "H" CMOS出力 *1. *2. 過充電検出遅延時間を1 s, 2 s, 4 sから選択可能 出力論理をアクティブ "H"、アクティブ "L" から選択可能 *3. 出力形態をCMOS出力、Nchオープンドレイン出力から選択可能 備考 上記検出電圧値以外の製品をご希望の場合は、弊社営業部までお問い合わせください。 3. 2 HSNT-6 (1212) 表3 製品名 過充電検出電圧 過充電解除電圧 過充電検出遅延時間*1 出力論理*2 出力形態*3 [VCU] [VCL] [tCU] S-8206AAA-A6T2U 4.500 V 4.150 V 2s アクティブ "H" CMOS出力 S-8206AAB-A6T2U 4.550 V 4.200 V 2s アクティブ "H" CMOS出力 *1. *2. 過充電検出遅延時間を1 s, 2 s, 4 sから選択可能 出力論理をアクティブ "H"、アクティブ "L" から選択可能 *3. 出力形態をCMOS出力、Nchオープンドレイン出力から選択可能 備考 6 上記検出電圧値以外の製品をご希望の場合は、弊社営業部までお問い合わせください。 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ Rev.1.2_00 ピン配置図 1. SNT-6A 表4 端子番号 Top view 1 2 3 6 5 4 図4 端子記号 *1 1 NC 2 CO 3 DO 端子内容 無接続 充電制御用FETゲート接続端子 (CMOS出力) テスト信号入力端子 4 VSS 負電源入力端子 5 VDD 正電源入力端子 6 VM CO端子側負極電源端子 *1. NCは電気的にオープンを示します。 そのため、VDD端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。 2. HSNT-6 (1212) 表5 Top view 1 2 3 6 5 4 Bottom view 6 5 4 1 2 3 端子番号 端子記号 *2 端子内容 1 NC 2 CO 3 DO テスト信号入力端子 4 VSS 負電源入力端子 5 VDD 正電源入力端子 6 VM CO端子側負極電源端子 無接続 充電制御用FETゲート接続端子 (CMOS出力) *1 図5 *1. 網掛け部分の裏面放熱板は、基板に接続し電位をオープンまたはVDDとしてください。ただし、電極としての機能 には使用しないでください。 *2. NCは電気的にオープンを示します。 そのため、VDD端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。 7 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ Rev.1.2_00 絶対最大定格 表6 (特記なき場合 : Ta = +25°C) 項目 記号 適用端子 絶対最大定格 単位 VSS − 0.3 ~ VSS + 6 V VDD端子 − VSS端子間入力電圧 VDS VDD VM入力端子電圧 VVM VM VDD − 28 ~ VDD + 0.3 V DO入力端子電圧 VDO DO VSS − 0.3 ~ VDD + 0.3 V VCO CO VVM − 0.3 ~ VDD + 0.3 V CO出力端子電圧 許容損失 CMOS出力 Nchオープンドレイン出力 SNT-6A PD HSNT-6 (1212) VVM − 0.3 ~ VVM + 28 V − 400*1 mW − 480*1 mW 動作周囲温度 Topr − −40 ~ +85 °C 保存温度 Tstg − −55 ~ +125 °C *1. 基板実装時 [実装基板] (1) 基板サイズ : 114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm (2) 名称 注意 : JEDEC STANDARD51-7 絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の劣 化などの物理的な損傷を与える可能性があります。 700 許容損失 (PD) [mW] 600 HSNT-6 (1212) 500 SNT-6A 400 300 200 100 0 0 50 100 150 周囲温度 (Ta) [°C] 図6 8 パッケージ許容損失 (基板実装時) 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ Rev.1.2_00 電気的特性 1. Ta = +25°C 表7 項目 記号 条件 (特記なき場合 : Ta = +25°C) 測定 Max. 単位 回路 Min. Typ. VCU − 0.020 VCU − 0.025 VCU VCU VCU + 0.020 VCU + 0.025 V V 1 1 VCL − 0.050 VCL VCL + 0.050 V 1 VCL − 0.025 VCL VCL + 0.020 V 1 1.5 − 6.0 V − 検出電圧 過充電検出電圧 VCU 過充電解除電圧 VCL 入力電圧 VDD端子 − VSS端子間 動作電圧 入力電流 動作時消費電流 出力抵抗 CO端子抵抗 "H" 1 CO端子抵抗 "L" 1 DO端子抵抗 "H" DO端子抵抗 "L" − Ta = −10°C ~ +60°C VCL ≠ VCU *1 VCL = VCU − VDSOP IOPE VDD = 3.4 V, VVM = 0 V − 1.5 3.0 μA 2 RCOH1 RCOL1 RDOH CMOS出力 − − 5 5 5 10 10 10 20 20 20 kΩ kΩ kΩ 3 3 3 3 RDOL − 5 10 20 CO端子抵抗 "H" 2 CO端子抵抗 "L" 2 出力電流 端子リーク電流 "L" 遅延時間 RCOH2 RCOL2 CMOS出力、アクティブ "L" CMOS出力、アクティブ "H" 1 1 4 4 − − kΩ MΩ MΩ ICOLL Ncnオープンドレイン出力 − − 0.1 μA 3 過充電検出遅延時間 tCU tCU × 0.7 tCU tCU × 1.3 − 4 *1. − 3 3 高温および低温での選別はしておりませんので、この温度範囲での規格は設計保証とします。 9 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ Rev.1.2_00 測定回路 注意 1. 特に記述していない場合のCO端子の出力電圧 (V CO ) の "H", "L" の判定は、Nch FETのしきい値電圧 (1.0 V) とします。このとき、CO端子はVVM基準で判定してください。 2. Nchオープンドレイン出力はSWをON、CMOS出力はOFFに設定してください。 1. 過充電検出電圧、過充電解除電圧 (測定回路1) 1. 1 アクティブ "H" V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を徐々に上げ、VCO = "L" → "H" となるV1の電圧を過充電検出電圧 (VCU) と します。その後、V1を徐々に下げ、VCO = "H" → "L" となるV1の電圧を過充電解除電圧 (VCL) とします。VCU とVCLとの差を過充電ヒステリシス電圧 (VHC) とします。 1. 2 アクティブ "L" V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を徐々に上げ、VCO = "H" → "L" となるV1の電圧を過充電検出電圧 (VCU) と します。その後、V1を徐々に下げ、VCO = "L" → "H" となるV1の電圧を過充電解除電圧 (VCL) とします。VCU とVCLとの差を過充電ヒステリシス電圧 (VHC) とします。 2. 動作時消費電流 (測定回路2) V1 = 3.4 Vに設定した状態において、VDD端子に流れる電流 (IDD) を動作時消費電流 (IOPE) とします。 3. CO端子抵抗 "H" 1 (CMOS出力) (測定回路3) 3. 1 アクティブ "H" V1 = 5.1 V, V2 = 4.7 Vに設定した状態において、VDD端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "H" 1 (RCOH1) とし ます。 3. 2 アクティブ "L" V1 = 3.4 V, V2 = 3.0 Vに設定した状態において、VDD端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "H" 1 (RCOH1) とし ます。 4. CO端子抵抗 "L" 1 (測定回路3) 4. 1 アクティブ "H" V1 = 3.4 V, V2 = 0.4 Vに設定した状態において、VM端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "L" 1 (RCOL1) とし ます。 4. 2 アクティブ "L" V1 = 5.1 V, V2 = 0.4 Vに設定した状態において、VM端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "L" 1 (RCOL1) とし ます。 5. DO端子抵抗 "H" (測定回路3) V1 = 3.4 V, V3 = 3.0 Vに設定した状態において、VDD端子 − DO端子間抵抗をDO端子抵抗 "H" (RDOH) とします。 10 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ Rev.1.2_00 6. DO端子抵抗 "L" (測定回路3) V1 = 1.8 V, V3 = 0.4 Vに設定した状態において、VSS端子 − DO端子間抵抗をDO端子抵抗 "L" (RDOL) とします。 7. CO端子抵抗 "H" 2 (CMOS出力、アクティブ "L") (測定回路3) V1 = 5.1 V, V2 = 0 Vに設定した状態において、VDD端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "H" 2 (RCOH2) とします。 8. CO端子抵抗 "L" 2 (CMOS出力、アクティブ "H") (測定回路3) V1 = 5.1 V, V2 = 5.1 Vに設定した状態において、VM端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "L" 2 (RCOL2) とします。 9. CO端子リーク電流 "L" (Nchオープンドレイン出力) (測定回路3) 9. 1 アクティブ "H" V1 = 5.1 V, V2 = 28 Vに設定した状態において、CO端子に流れる電流 (ICO) をCO端子リーク電流 "L" (ICOLL) とします。 9. 2 アクティブ "L" V1 = 3.4 V, V2 = 28 Vに設定した状態において、CO端子に流れる電流 (ICO) をCO端子リーク電流 "L" (ICOLL) とします。 10. 過充電検出遅延時間 (測定回路4) 10. 1 アクティブ "H" V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を上昇させ、V1がVCUを上回ってからVCO = "H" となるまでの時間を過 充電検出遅延時間 (tCU) とします。 10. 2 アクティブ "L" V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を上昇させ、V1がVCUを上回ってからVCO = "L" となるまでの時間を過充 電検出遅延時間 (tCU) とします。 11 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ R1 = 330 Ω IDD A VDD S-8206Aシリーズ V1 C1 = 0.1 μF Rev.1.2_00 VDD V1 S-8206Aシリーズ VSS VSS VM DO DO CO V VDO 図7 V VCO SW 測定回路1 図8 VDD 測定回路2 VDD V1 S-8206Aシリーズ VSS VM DO S-8206Aシリーズ VSS CO VM A IDO A ICO V3 V2 COM DO オシロスコープ CO SW オシロスコープ COM 図9 12 CO COM COM V1 VM 測定回路3 図10 測定回路4 Rev.1.2_00 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ 動作説明 備考 " バッテリー保護ICの接続例" を参照してください。 1. 過充電検出状態 S-8206Aシリーズは、VDD端子 − VSS端子間に接続された電池電圧を監視し、過充電を検出します。通常状態の電 池電圧が充電中に過充電検出電圧 (VCU) を越え、その状態を過充電検出遅延時間 (tCU) 以上保持した場合、CO端子 から過充電検出信号を出力します。この状態を過充電状態と言います。CO端子にFETを接続することにより、充電 制御およびセカンドプロテクトが可能です。 2. テストモード S-8206Aシリーズは、DO端子を外部から強制的にVSS電位にすることでtCUを短縮できます。DO端子を外部から強制 的にVSS電位にした場合、tCUが約1/64になります。 13 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ Rev.1.2_00 タイミングチャート 1. 過充電検出 VCU VCL (VCU − VHC) 電池電圧 VDD CO端子電圧 CMOS出力 アクティブ "H" VVM VDD CO端子電圧 CMOS出力 アクティブ "L" VVM VDD CO端子電圧 Nchオープンドレイン出力 アクティブ "H" High-Z VVM VDD CO端子電圧 Nchオープンドレイン出力 アクティブ "L" High-Z High-Z VVM 過充電検出遅延時間 (tCU) 状態 *1 (2) (1) *1. (1) : 通常状態 (2) : 過充電状態 図11 14 (1) 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ Rev.1.2_00 バッテリー保護ICの接続例 CMOS出力、アクティブ "H" の製品を使用した場合の接続例を図12に示します。 プロテクタヒューズ EB+ R1 VDD C1 電池 DO S-8206Aシリーズ FET VSS VM CO EB− 図12 表8 記号 FET 部品 Nch MOS FET R1 抵抗 C1 容量 注意 1. 2. 目的 充電制御 ESD対策、 電源変動対策 電源変動対策 外付け部品定数 Min. Typ. Max. 備考 − − − − 150 Ω 330 Ω 1 kΩ − 0.068 μF 0.1 μF 1.0 μF − 上記定数は予告なく変更することがあります。 上記接続例以外の回路においては、動作確認されていません。また、上記接続例および定数は、動作を保証する ものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。 15 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ 【SC PROTECTOR に関するお問い合わせ先】 デクセリアルズ株式会社 アドバンストプロセスデバイス事業部 〒141-0032 東京都品川区大崎 1-11-2 ゲートシティ大崎イーストタワー8 階 TEL 03-5435-3946 お問い合わせ http://www.dexerials.jp/ Rev.1.2_00 デバイス営業部 注意事項 ・IC内での損失がパッケージの許容損失を越えないように、入出力電圧、負荷電流の使用条件に注意してください。 ・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されないよう にしてください。 ・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様また、出荷先の国などによって当IC を含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。 16 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ Rev.1.2_00 諸特性データ (Typicalデータ) 1. 消費電流 1. 1 IOPE − Ta 4.0 IOPE [A] 3.0 2.0 1.0 0.0 2. 40 25 0 25 Ta [C] 50 75 85 検出電圧 2. 1 VCU − Ta 2. 2 4.53 VCL [V] VCU [V] 4.51 4.49 4.47 4.45 0 25 Ta [C] 50 75 85 0 25 Ta [C] 50 75 85 4.21 4.19 4.17 4.15 4.13 4.11 4.09 4.07 40 25 0 25 Ta [C] 50 75 85 遅延時間 3. 1 tCU − Ta 5.0 4.0 tCU [s] 3. 40 25 VCL − Ta 3.0 2.0 1.0 40 25 17 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ 4. Rev.1.2_00 出力抵抗 4. 1 RCOH1 − VCO 4. 2 30 RCOL1 [k] RCOH1 [k] 30 RCOL1 − VCO 20 10 0 20 10 0 0 1 2 3 4 0 1 2 VCO [V] 3 4 1 2 VDO [V] 3 4 VCO [V] RDOH − VDO 4. 4 30 20 20 10 0 10 0 0 1 2 VDO [V] 18 RDOL − VDO 30 RDOL [k] RDOH [k] 4. 3 3 4 0 1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用) S-8206Aシリーズ Rev.1.2_00 マーキング仕様 1. SNT-6A Top view 6 5 4 (1) ~ (3) : 製品略号 (製品名と製品略号の対照表を参照) (4) ~ (6) : ロットナンバー (1) (2) (3) (4) (5) (6) 1 2 3 製品名と製品略号の対照表 (1) 製品略号 (2) (3) S-8206AAA-I6T1U J N A S-8206AAB-I6T1U J N B S-8206AAC-I6T1U J N C S-8206AAD-I6T1U J N D S-8206AAE-I6T1U J N E 製品名 2. S-8206AAF-I6T1U J N F S-8206AAG-I6T1U J N G S-8206AAH-I6T1U J N H S-8206AAI-I6T1U J N I HSNT-6 (1212) Top view 6 5 4 (1) ~ (3) : 製品略号 (製品名と製品略号の対照表を参照) (4), (5) : ロットナンバー (1) (2) (3) (4) (5) 1 2 3 製品名と製品略号の対照表 (1) 製品略号 (2) (3) S-8206AAA-A6T2U J N A S-8206AAB-A6T2U J N B 製品名 19 1.57±0.03 6 1 5 4 2 3 +0.05 0.08 -0.02 0.5 0.48±0.02 0.2±0.05 No. PG006-A-P-SD-2.1 TITLE SNT-6A-A-PKG Dimensions No. PG006-A-P-SD-2.1 ANGLE UNIT mm SII Semiconductor Corporation +0.1 ø1.5 -0 4.0±0.1 2.0±0.05 0.25±0.05 +0.1 1.85±0.05 5° ø0.5 -0 4.0±0.1 0.65±0.05 3 2 1 4 5 6 Feed direction No. PG006-A-C-SD-1.0 TITLE SNT-6A-A-Carrier Tape No. PG006-A-C-SD-1.0 ANGLE UNIT mm SII Semiconductor Corporation 12.5max. 9.0±0.3 Enlarged drawing in the central part ø13±0.2 (60°) (60°) No. PG006-A-R-SD-1.0 SNT-6A-A-Reel TITLE No. PG006-A-R-SD-1.0 ANGLE QTY. UNIT 5,000 mm SII Semiconductor Corporation 0.52 1.36 2 0.52 0.2 0.3 1. 2. 1 (0.25 mm min. / 0.30 mm typ.) (1.30 mm ~ 1.40 mm) 0.03 mm SNT 1. Pay attention to the land pattern width (0.25 mm min. / 0.30 mm typ.). 2. Do not widen the land pattern to the center of the package ( 1.30 mm ~ 1.40 mm ). Caution 1. Do not do silkscreen printing and solder printing under the mold resin of the package. 2. The thickness of the solder resist on the wire pattern under the package should be 0.03 mm or less from the land pattern surface. 3. Match the mask aperture size and aperture position with the land pattern. 4. Refer to "SNT Package User's Guide" for details. 1. 2. (0.25 mm min. / 0.30 mm typ.) (1.30 mm ~ 1.40 mm) No. PG006-A-L-SD-4.1 TITLE SNT-6A-A -Land Recommendation No. PG006-A-L-SD-4.1 ANGLE UNIT mm SII Semiconductor Corporation 0.40 1.00±0.05 0.38±0.02 0.40 4 6 3 1 +0.05 0.08 -0.02 1.20±0.04 The heat sink of back side has different electric potential depending on the product. Confirm specifications of each product. Do not use it as the function of electrode. 0.20±0.05 No. PM006-A-P-SD-1.1 TITLE HSNT-6-B-PKG Dimensions No. PM006-A-P-SD-1.1 ANGLE UNIT mm SII Semiconductor Corporation 2.0±0.05 +0.1 ø1.5 -0 4.0±0.1 0.25±0.05 +0.1 ø0.5 -0 0.50±0.05 4.0±0.1 1.32±0.05 5° 3 1 4 6 Feed direction No. PM006-A-C-SD-1.0 TITLE HSNT-6-B-C a r r i e r Tape No. PM006-A-C-SD-1.0 ANGLE UNIT mm SII Semiconductor Corporation +1.0 9.0 - 0.0 11.4±1.0 Enlarged drawing in the central part ø13±0.2 (60°) (60°) No. PM006-A-R-SD-1.0 TITLE HSNT-6-B-Reel No. PM006-A-R-SD-1.0 ANGLE QTY. UNIT 5,000 mm SII Semiconductor Corporation 1.04min. Land Pattern 0.24min. 1.02 0.40±0.02 0.40±0.02 (1.22) Caution It is recommended to solder the heat sink to a board in order to ensure the heat radiation. PKG Metal Mask Pattern Aperture ratio Aperture ratio Caution Mask aperture ratio of the lead mounting part is 100%. Mask aperture ratio of the heat sink mounting part is 40%. Mask thickness: t0.10mm to 0.12 mm 100% 40% t0.10mm ~ 0.12 mm TITLE HSNT-6-B -Land Recommendation PM006-A-L-SD-2.0 No. ANGLE No. PM006-A-L-SD-2.0 UNIT mm SII Semiconductor Corporation 免責事項 (取り扱い上の注意) 1. 本資料に記載のすべての情報 (製品データ、仕様、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等) は本資料発 行時点のものであり、予告なく変更することがあります。 2. 本資料に記載の回路例、使用方法は参考情報であり、量産設計を保証するものではありません。 本資料に記載の情報を使用したことによる、製品に起因しない損害や第三者の知的財産権等の権利に対する侵害に関 し、弊社はその責任を負いません。 3. 本資料に記載の内容に記述の誤りがあり、それに起因する損害が生じた場合において、弊社はその責任を負いません。 4. 本資料に記載の範囲内の条件、特に絶対最大定格、動作電圧範囲、電気的特性等に注意して製品を使用してください。 本資料に記載の範囲外の条件での使用による故障や事故等に関する損害等について、弊社はその責任を負いません。 5. 本資料に記載の製品の使用にあたっては、用途および使用する地域、国に対応する法規制、および用途への適合性、 安全性等を確認、試験してください。 6. 本資料に記載の製品を輸出する場合は、外国為替および外国貿易法、その他輸出関連法令を遵守し、関連する必要な 手続きを行ってください。 7. 本資料に記載の製品を大量破壊兵器の開発や軍事利用の目的で使用および、提供 (輸出) することは固くお断りしま す。核兵器、生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的 とする者へ提供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。 8. 本資料に記載の製品は、身体、生命および財産に損害を及ぼすおそれのある機器または装置の部品 (医療機器、防災 機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、および 原子力機器等) として設計されたものではありません。ただし、弊社が車載用等の用途を指定する場合を除きます。 弊社の書面による許可なくして使用しないでください。 特に、生命維持装置、人体に埋め込んで使用する機器等、直接人命に影響を与える機器には使用できません。 これらの用途への利用を検討の際には、必ず事前に弊社営業部にご相談ください。 また、弊社指定の用途以外に使用されたことにより発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。 9. 半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。 弊社製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、社会的損害等発生しないように、お客様の責任において 冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてください。 また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。 10. 本資料に記載の製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対 策を行ってください。 11. 本資料に記載の製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口 中には入れないようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際 は怪我等に注意してください。 12. 本資料に記載の製品を廃棄する場合には、使用する地域、国に対応する法令を遵守し、適切に処理してください。 13. 本資料は、弊社の著作権、ノウハウに係わる内容も含まれております。 本資料中の記載内容について、弊社または第三者の知的財産権、その他の権利の実施、使用を許諾または保証するも のではありません。これら著作物の一部を弊社の許可なく転載、複製し、第三者に開示することは固くお断りします。 14. 本資料の内容の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。 1.0-2016.01 www.sii-ic.com