射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 2011年12月15日修订 英飞凌科技股份公司发行 地址：德国慕尼黑，邮编：81726 ©英飞凌科技股份公司版权所有， 2012年，保留所有权力 免责声明 本文所包含的信息在任何情况下均不得被视为就相关条件和特性作出的保证。英飞凌在此声明， 未就本文中给出的任何例子或提示，以及本文中述明的器件的任何典型值和/或关于器件应用的 任何信息作出任何性质的保证，也不承担任何性质的责任，包括但不限于没有侵犯任何第三方 的知识产权的保证。 信息查询 若需获得关于技术、交付条款和价格的更多信息，敬请联系距离您最近的英飞凌办事处 （www.infineon.com） 警告 由于技术要求，组件可能包含有害物质。若需了解相关物质的类型，请联系距离您最近的英飞 凌办事处。 如果可以合理地预计英飞凌的某个组件可能会导致生命支持设备或系统失效，或者影响该等设 备或系统的安全性或有效性，那么在将该等组件用于生命支持设备或系统之前，必须获得英飞 凌的明确书面同意。生命支持设备或系统意指用于植入人体内部，或者支持和/或维持、维系和 /或保护人类生命的设备或系统。如果这些设备或系统失效，可以合理地假设其用户或其他人的 健康将受到威胁。 2 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 英飞凌科技 业界领先的射频与保护器件供应商 英飞凌科技专注于现代社会的三大科技挑战领域：高能效、移动性和安全性，为工业/消费类电 子产品、汽车电子产品、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。 英飞凌的产品凭借在射频、保护、模拟、混合信号、嵌入式控制和最高效功率解决方案等方面 的可靠性、卓越品质以及尖端的创新技术，在竞争中脱颖而出。 凭借技术和设计专长，英飞凌不容置疑地成为其重点细分市场的行业领袖。英飞凌在适合众多 应用的射频产品开发方面拥有30多年的丰富经验，并依靠产品的出色性能和经济高效性始终业 界领先。您可登录我们的网站www.infineon.com，了解英飞凌科技一揽子产品组合的更多信息。 近年来，英飞凌射频与保护器件（RPD）业务部，已从晶体管和二极管等分立式标准射频组件供 应商，发展成为更加先进的世界一流的创新差异化产品的供应商，其中包括专用MMIC、硅麦克 风和ESD防护组件。请登录我们的网站：www.infineon.com/rfandprotectiondevices，了解英 飞凌针对您的各种应用推出的最新射频与保护产品的更多信息。 包含四个手册的英飞凌应用指南，是一种主要面向工程师的用户友好型工具，指导工程师高效 选择自己理想的系统器件。本应用指南经常更新，以包含最新的应用和行业动态。每个手册分 别聚焦于我们所服务的一个细分市场： 1. 移动通信应用指南：www.infineon.com/rpd_appguide_mobile； 2. 消费类产品应用指南：www.infineon.com/rpd_appguide_consumer； 3. 工业应用指南：www.infineon.com/rpd_appguide_industrial； 4. 保护装置应用指南：www.infineon.com/rpd_appguide_protection。 我们遍布全球的应用专家，随时可利用我们的器件为您提供系统设计支持。请联系英飞凌的地 区办事处或您所在地区的英飞凌全球分销合作伙伴，获得您所需的各种支持。 此致 Heinrich Heiss博士 Dipl.-Ing. Alexander Glas 射频与保护器件业务 部技术营销与 应用工程总监 射频与保护器件业务 部技术营销与应用工 程及保护的团队负责 3 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 目录 英飞凌科技 ................................................................... 3 1 英飞凌 ESD 和 ESD/EMI 干扰保护器件 ............................................ 6 2 ESD 保护是确保产品可靠的关键要素 ............................................ 9 2.1 器件级 ESD 和系统级 ESD—— 一个问题的两个方面 ........................... 9 2.2 一般设计规则最大程度降低残余 ESD 应力 ................................... 11 3 高速数据接口保护 .......................................................... 3.1 USB 3.0 的 ESD 保护 ..................................................... 3.2 USB 2.0 的 ESD 保护 ..................................................... 3.3 双端口 USB 2.0 的 ESD 保护 ............................................... 3.4 第一代（1.5 Gb/秒）、第二代（3 Gb/秒）、第三代（Gb/秒）串行 ATA 与 e-SATA 3.5 HDMI 1.3a 和 HDMI 1.4 的 ESD 保护 ........................................ 3.6 DisplayPort 与 DVI 和 MHL 的 ESD 保护 ..................................... 3.7 高速数据接口转换的 ESD 保护 ............................................. 3.8 VDSL、ADSL 和其他宽带应用的 ESD 和瞬态保护 .............................. 13 16 17 18 20 21 23 24 26 4 通用接口保护 .............................................................. 4.1 低数据速率接口的 ESD 保护 ............................................... 4.2 双通道通用 AV I/F 接口的 ESD 保护 ........................................ 4.3 近场通信（NFC）的 ESD 保护 .............................................. 4.4 反极性保护（RPP）电路.................................................. 4.5 USB 充电器的反极性保护 ................................................. 4.6 配备肖特基二极管的整流器电路 ........................................... 4.7 削波与箝位 ............................................................. 27 28 30 31 32 33 33 35 5 ESD/浪涌保护 .............................................................. 5.1 ESD 要求: .............................................................. 5.2 浪涌要求:.............................................................. 5.3 千兆位以太网的 ESD 浪涌保护 ............................................. 36 38 39 41 4 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 6 利用集成式 ESD/EMI 保护器件保护接口 ......................................... 6.1 差分模式麦克风接口的 ESD/EMI 保护——BGF113 ............................. 6.2 SIM 卡接口的 ESD/EMI 保护——BGF106c .................................... 6.3 6 针 SIM 卡接口的 ESD/EMI 保护——BGF125 ................................. 6.4 8 针 SIM 卡接口的 ESD/EMI 保护——BGF124 ................................. 6.5 闪存的 ESD/EMI 保护：MicroSD/MiniSD/SD 卡——BGF117 ..................... 6.6 高速 MMC 卡（4 条数据线）的 ESD/EMI 保护——BGF104c ....................... 6.7 LCD/相机接口的 ESD/EMI 保护——BGF108c / BGF109c ....................... 43 45 46 47 48 49 50 51 缩写 ....................................................................... 52 按字母顺序排列的符号列表 .................................................... 53 封装信息.................................................................... 54 辅助资料.................................................................... 55 5 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 1 英飞凌 ESD 和 ESD/EMI 干扰保护器件 如今的电子设备速度更快、体积更小、智能化程度更高，以支持更新更好的应用，从而创造更 大的利润。各厂商竞相在更小的空间植入更多的高速功能，加速了设备的小型化步伐。不过， 半导体芯片尺寸的缩小和掺杂水平的提高，导致半导体芯片的薄栅极氧化层和pn结的宽度大幅 降低。与更多的电路结合在一起，这可提高半导体芯片的ESD敏感度。 电子设备出现硬件故障或临时故障当即就会被发现，而潜在的损害只有在日后的使用过程中才 能被发现。硬件故障最容易发现，通常需要更换故障设备。最理想的情况是，在设备出厂之前 检测出故障，客户永远不会收到存在硬件故障的产品。导致设备出现暂时失灵的故障或潜在故 障十分常见，但很难发现或追踪。临时故障可能不会被报告，但会给客户带来不良印象，因为 用户可能需要反复重启或重置设备。潜在的损害最终会导致设备的硬故障或不可靠的运行，在 现场会给客户留下最负面的印象，降低客户对公司的信心。因为ESD故障发生的产品更换或维修 召回，可能会使厂商和/或用户蒙受高于设备本身成本几倍的损失。 图 1 ESD电流干扰前的集成电路 ESD电流干扰后的集成电路 高效的系统设计通常包括一个屏蔽外壳，目的是最大程度降低ESD风险。不过，ESD电流始终会 对器件的可靠性造成威胁，因为释放的静电能够轻易地绕过屏蔽外壳，进入到易受损的IC和 ASIC。接触外部世界的所有连接器和天线都可能成为最终用户产生的静电或运动组件自身产生 的静电的输入点。IC和ASIC的几何结构经过不断缩小，已到达一定程度，要想在器件基底上配 备足够的ESD保护结构，已不具备可行性。如今，确保整个系统的稳定运行和最大可靠性的唯一 方式是，通过配备外置保护器件，提供足够的静电释放和瞬变保护。 6 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 在设计周期及早考虑到各种需求，有助于实现最经济有效的系统级保护。ESD已普遍成为正常的 工作条件，需要周密的考虑。让我们进一步探究这个课题。 英飞凌的价值主张 英飞凌的保护解决方案可改进系统级ESD抗扰度（高于IEC61000-4-2 4级标准）： 卓越的多次静电脉冲打击的电流吸收功能； 稳定安全的箝位电压从而保护最敏感的电子设备 完全符合高速信号质量要求的保护器件 用于空间受限应用的采用业界领先微型封装的单个易用器件 利用阵列解决方案节省电路板空间和减少部件数量 ESD释放通过封装引脚，简化PCB版图，最大程度降低串扰和寄生电感对信号品质的影响 极低漏电流，有助于进一步延长电池续航时间 如欲了解我们ESD二极管产品组合及其应用的详情，请参考我们的ESD保护手册 www.infineon.com/tvs.brochure。您也可登录我们的网站www.infineon.com/protection，查 寻保护器件。 此外，英飞凌还针对多种手机应用提供各种类型高性能分立式ESD保护器件，旨在保护我们客户 的手机免受ESD电流干扰。以下是手机各种接口的可用ESD保护器件的扼要汇总。 7 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 图2 英飞凌的接口ESD保护二极管的汇总 图3 英飞凌的集成式接口ESD/EMI保护器件的汇总 8 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 2 ESD 保护是确保产品可靠的关键要素 2.1 器件级 ESD 和系统级 ESD—— 一个问题的两个方面 系统级ESD保护需符合IEC 61000-4-2标准。在一般情况下，所有IC和ASIC都具备一定水平的ESD 保护，以便器件完好无损地通过制造工艺。集成式保护器件通常根据HBM（人体放电模式）规范 设计。根据HBM，ESD防护能力只满足在生产环境——需要出色地控制和最大程度降低ESD——的 安全器件处理以及系统装配。当出厂进入实际应用环境中，设备会随时随地面临ESD电流的威胁。 为确保在出厂后仍能正常运行，设备需要满足IEC 61000-4-2系统级ESD保护。最终的系统级保 护解决方案需要将系统本身的集成式保护装置与精选的外置保护装置有机结合在一起，从而确 保最终的保护解决方案的各个方面都能满足应用的保护要求。 半导体器件级保护的现行工业HBM防护能力标准为2 kV。除少数例外情况，2 kV HBM保护通常是 当前半导体器件的最高保护水平。只有为数不多的器件需要更高水平的保护，并且有越来越多 的器件采用更低的保护，甚至低至250V至350V。2 kV IEC 61000-4-2定义系统级ESD电流向被测 器件（DUT）释放的能量比2 kV HBM电流高出750%。不过，2 kV系统级ESD防护能力满足要求或 作为标准的时代已一去不复返。全新的系统级防护能力要求通常为8 kV，相对于2 kV HBM标准 提高12,000%。种种迹象表明，今后的系统级保护防护能力标准将达到15 kV，这向DUT释放的破 坏性能量比2 kV HBM电流高出41000%。 图4 残余ESD应用VS ESD模式 引起静电充电的物理背景是摩擦电效应或摩擦充电——电荷载流子与另一种不同材料接触后离 开某些材料。这种电荷载流子分离现象在日常生活中时常发生。当我们从椅子上站起或坐下时， 身体会产生15 kV的静电电压。在地毯上行走时可轻松产生30kV静电（两倍于15 kV静电）。在 冬季，由于空气湿度降低，静电放电的强度和发生频率都会进一步增大。 9 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 ESD保护——针对应用定制器件 每种应用对防护能力、信号完整度、电路板空间和价位都有自己的要求。依托于业界领先的ESD 保护器件产品组合，英飞凌可针对任何应用要求定制理想的ESD保护解决方案。我们一如既往地 采用某些通用规则，最大程度降低PCB及其组件的残余ESD破坏力。 10 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 2.2 一般设计规则最大程度降低残余 ESD 应力 为实现最周全的系统级ESD保护，几个基本注意事项必须要考虑，首先是整体系统概念：从工业 设计到PCB布局。工业设计应是首先考虑的一点。如果可能，应在设备外壳的暴露连接器和HID 接口周围安装金属屏蔽装置，防止ESD电流进入系统内部。 PCB布局对系统的整个系统级ESD性能有重大影响，是接下来要考虑的一点。 首先，保护器件应尽可能靠近ESD输入点如连接器和外置天线，或其他确定的ESD输入点安 装； 其次，外部信号生成馈点与内部信号馈点需保持一定的距离，以便最大程度防止高压ESD 电流由外部迹线跳至内部迹线——它们馈入的半导体几乎无什么保护。 第三，应避免ESD二极管出现任何串联电感。串联电感可由附近的PCB馈点和GND过孔引起。 即使电感不足1 nH也会对残余峰值过冲电压产生明显影响。这种峰值电压仅持续几纳秒，但如 果加上寄生串联电感，就会对射频级或高速数据电路的砷化镓器件等十分敏感的组件造成巨大 损害。在高速数据电路——通常具备很低的输入电容，串联电感引起的残余过冲电压，进入器 件输入端，会产生破坏性的后果。 图5 具备ESD 二极管寄生串联电感的PCB布局 简单的例子显示电感组件的残余峰值箝位电压水平：15 kV接触放电电流（IEC 61000-4-2）生 成约55 A的峰值电流。假如寄生电感和ESD电流的上升时间分别为1 nH和0.85纳秒（IEC61000-4-2 定义为10% / 90%），则电感过冲压电为50 V，还可能更高。 11 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 采用“V”形布局，使ESD二极管直接连接信号线，可大幅降低寄生串联电感。应根据PCB设计规 则的规定，尽可能使GND过孔靠近ESD二极管焊盘。 图6 优化的“V” 形选路降低寄生串联电感 “V”型PCB线路的长度已无关紧要，因为它们不再与ESD二极管串联。PCB电感由串联“V”型 PCB线路所取代。感应电压仅限于键合线。 12 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 3 高速数据接口保护 FireWire、MIPI、SATA、DVI、DisplayPort、HDMI 1.3/1.4a、USB 2.0/3.0及今后的Thunderbolt 接口等高速数据接口被广泛应用于现在的消费类电子产品。这些接口在日常使用当中通常会接 触到ESD电流。由于数据传输速率不断提高——譬如一个HDMI差分线对的最大传输速率为3.4Gb/ 秒及USB 3.0 SuperSpeed的传输速率为5Gb/秒，发射器和接收器的设计几何结构不断缩小，以 便支持不断提高的数据传输速率。不过，这使得IC对高大电流和高能量等级的ESD威胁更加敏感。 根据IEC 61000-4-2 4级标准规定，8 kV ESD放电会产生IC无法承受的高达30 A的峰值放电电流。 为有效处理这种高放电电流，需要在高速数据接口配备外置ESD保护器件。不过，外置ESD保护 器件产生的寄生电感会导致阻抗失配，并对信号完整度造成不利影响，从而导致BER（误码率） 提高。影响与数据链路速率成比例。 为达到有效保护，高速接口需要具备高ESD防护能力和低寄生电容。英飞凌科技推出采用单线和 多线阵列解决方案的基于硅工艺的ESD二极管产品组合，能够吸收更多的有害ESD能量（高于8kV 工业标准），同时保持信号的完整度，确保获得最优性能。 能够吸收有害ESD能量的关键要素是保护器件导通后的动态电阻。通常情况下，器件动态电阻的 降低会带来更高的寄生电容，因为晶片尺寸的增大可降低器件的通态电阻。如果供应商提供其 器件的动态电阻，可通过比对ESD二极管数据表，轻松确定电阻与电容之间的折中点。英飞凌业 界领先的独特保护技术可在吸收大量ESD能量和对信号完整度带来最低影响之间找到一个最佳 折衷点。英飞凌的超低电容ESD二极管在高ESD应力下具备十分低的动态电阻。这种低电阻可使 有害ESD脉冲远离高速数据接口IC，进入到保护二极管，从而以很低的电平有效钳住IC上的ESD 电压脉冲，避免对IC造成损害。其原理是，动态电阻越低，受保护的IC的箝位电压就越低。 准确测量保护器件的动态电阻的最优方法是传输线脉冲法或简称为TLP。AN210记录了完整的TLP 过程。作为一个例子，采用TLP测量方法提取ESD二极管ESD3V3U4ULC的动态电阻仅为0.19欧姆， 如下面的伏安曲线所示。基于ESD保护技术更多例子可在AN210找到。 13 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 图7 从I/O到GND的ESD3V3U4ULC的TLP测量 14 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 信号完整性是获得高速数据传输的低误码率（BER）的关键因素。利用眼图可轻松查看信号完整 性的测量结果。任何时候寄生电容进入高速数据通道，都会降低该通道的信号完整性。为确保 对信号完整性产生最低影响，英飞凌ESD二极管采用超低寄生电容，通常仅为0.4 pF（二极管对 地）。 要判断英飞凌ESD二极管在USB3.0 SuperSpeed链路中的作用，需在主机和客户机侧利用 ESD3V3U4ULC进行完整的系统模拟，包括数据线缆损耗。下面的眼图模拟结果将不带ESD二极管 保护（红色轮廓线）和带ESD二极管保护（蓝色轮廓线）的接收眼图开口进行比对。显然，英飞 凌ESD二极管的超低电容对眼图轮廓线的影响微乎其微，同时保持极高的USB 3.0规范掩码足够 安全余量。 图8 主机侧和器件侧配备ESD3V3U4ULC 和未配备ESD3V3U4ULC的眼图 英飞凌不断扩充的ESD二极管产品组合采用全球最小的封装和直通设计，能够保护多数空间受限 应用的高速数据接口，并对信号完整性产生最小影响。高速数据通道的差分对必须实现阻抗匹 配，并且各个信号通道需具备相同的延迟，同时必须避免来自其他信号通道的串扰。选用英飞 凌采用直通封装的保护二极管阵列，可轻松满足这些条件。差分数据对由封装的一侧进入，然 后从封装的另一侧出来，这样使每个通道的延迟保持相同，同时将复杂PCB布局引起的相邻信号 串扰降至最低。 15 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 3.1 USB 3.0的ESD保护 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines Package ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 4 TSLP-9-1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 2 +3.3 ±15 8@16 11@30 0.2 3 8.5 0.35 4 TSLP-9-1 +3.3 ±20 8@16 11@30 0.2 3 8.5 0.35 1 TSSLP-2-1 SC74 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3U4U-HDMI high speed Vcc +5.3 ESD5V3U1U high speed Vcc ESD5V3U2U high speed Vcc ESD3V3U4ULC ESD3V3XU1U high speed SuperSpeed high speed SuperSpeed 1) [kV] ESD5V5U5ULC USB2.0-HS, Vcc +5.5 ±25 8.9@16 11.5@30 0.2 6 10 0.45 5 ESD5V3L1B USB2.0-FS, Vcc +5.3 ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电 压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标 准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5 标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 16 TSLP-2-7 TSSLP-2-1 TSLP-3-7 TSFP-3 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 3.2 USB 2.0 的 ESD 保护 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 1 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 2 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3U1U high speed Vcc +5.3 ESD5V3U2U high speed Vcc +5.3 ESD5V3L1B USB2.0-FS, Vcc +5.3 1) [kV] ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP 测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微 秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型 电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备 选器件。 17 Package TSLP-2-7 TSSLP-2-1 TSLP-3-7 TSFP-3 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 3.3 双端口 USB 2.0 的 ESD 保护 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 2 USB2.0-HS, Vcc +5.5 ±25 8.9@16 11.5@30 0.2 6 10 0.45 4 USB2.0-FS, Vcc +5.3 ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3U1U high speed Vcc +5.3 ESD5V3U2U high speed Vcc ESD5V5U5ULC ESD5V3L1B 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电 压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标 准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5 标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 18 Package TSLP-2-7 TSSLP-2-1 TSLP-3-7 TSFP-3 SC74 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 采用SC74封装的ESD5V5U5ULC的过孔版图建议。适用于Vcc线的“V形”路由应用 19 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 3.4 第一代（1.5 Gb/秒）、第二代（3 Gb/秒）、第三代（Gb/秒）串行 ATA 与 e-SATA ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines ±20 29@16 38@30 1 3 16 0.23 1 ±20 15@16 23@30 0.4 3 - 0.2 1 Product Application VRWM [V] ESD ESD0P2RF high speed bidirection al ±5.3 ESD3V3XU1B on request high speed bidirection al ±3.3 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒 脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下 的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 20 Package TSLP-2-7 TSSLP-2-1 TSLP-2-7 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 3.5 HDMI 1.3a 和 HDMI 1.4 的 ESD 保护 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines Package ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 4 TSLP-9-1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 1 high speed Vcc +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 2 ESD3V3U4ULC high speed +3.3 ±15 8@16 11@30 0.2 3 8.5 0.35 4 TSLP-9-1 ESD3V3XU1U high speed +3.3 ±15 8@16 11@30 0.2 3 8.5 0.35 1 TSSLP-2-1 ESD5V5U5ULC high speed <2.0Gbps +5.5 ±25 8.9@16 11.5@30 0.2 6 10 0.45 4 SC74 ESD5V3L1B Control lines Vcc +5.3 ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3U4U-HDMI high speed +5.3 ESD5V3U1U high speed Vcc ESD5V3U2U 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电 压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标 准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5 标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 21 TSLP-2-7 TSSLP-2-1 TSLP-3-7 TSFP-3 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 使“ gap_(lane vs. lane)” 保持在高位以最大程度降低相邻通道的串扰 用于TSLP-9-1的HDMI过孔版图推荐 22 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 3.6 DisplayPort与DVI和MHL的ESD保护 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines Package ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 4 TSLP-9-1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 2 0.2 3 8.5 0.35 4 TSLP-9-1 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3U4U-HDMI high speed +5.3 ESD5V3U1U high speed Vcc ESD5V3U2U high speed Vcc 1) [kV] TSLP-2-7 TSSLP-2-1 TSLP-3-7 TSFP-3 ESD3V3U4ULC high speed +3.3 ±15 8@16 11@30 ESD3V3XU1U high speed +3.3 ±15 8@16 11@30 0.2 3 8.5 0.35 1 TSSLP-2-1 ESD5V5U5ULC high speed <2.0Gbps +5.5 ±25 8.9@16 11.5@30 0.2 6 10 0.45 4 SC74 ESD5V3L1B Control lines Vcc +5.3 ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导 通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 23 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 3.7 高速数据接口转换的 ESD 保护 随着手机外部接口数量的不断增加，空间限制问题已成为新一代手机需要客服的巨大障碍。要 想减少接口数量，必须实现各种功能端口的共享。下图为利用一个共用的Micro USB AB端口和 一个DPDT开关实现USB端口和全新移动高清连接（MHL）端口共享示例。 英飞凌针对SPDT和DPDT开关应用推出多种解决方案和封装选项，确保手机实现高速数字接口转 换。选用DPDT BGS22W器件，可使USB/MHL端口共享应用达到最高的集成度和最低的功耗。有关 该器件的其他信息可咨询您当地的英飞凌代表。SPDT BGS12A及其衍生型号作为一个集成式选件 也可用于该应用。对于分立式应用而言，BAR90 PIN二极管可采用几种封装。上文显示的 ESD5V3U1U是出色的Micro USB AB连接端口开关功能保护选件。 更多详细信息请登录我们的网站：www.infineon.com/rfswitches或 www.infineon.com/pindiodes。您也可联系英飞凌的地区办事处或您所在地区的英飞凌全球经 销合作伙伴之一，获得您可能需要的直接设计支持。 射频PIN二极管开关 Application Note 1) Product BAR90-02LS BAR90-098LRH D BAR90-081LS Q BAR90-02LRH TR1054 rF2) [ Ω] @IF [mA] rF2) [ Ω] @IF [mA] CT3) [pF] @VR [V] τL4) [ns] Package 1.3 3.0 0.8 10.0 0.25 1.0 750 TSSLP-2-1 1.3 3.0 0.8 10.0 0.25 1.0 750 TSLP-4-7 1.3 3.0 0.8 10.0 0.25 1.0 750 TSSLP-8-1 1.3 3.0 0.8 10.0 0.25 1.0 750 TSLP-2-7 注：1) D=双频；T=三频；Q=四频； 2) 在100 MHz下；3) 在1 MHz下； 4)正向偏压（IF = 10 mA）与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间； 5) 请登录我们的网站 http://www.infineon.com/pindiodes。 24 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 高速CMOS开关 Product Application Note BGS12A BGS12AL7-4 AN175 BGS12AL7-6 BGS22W On Request [V] Vctrl1) [V] IL2) [dB] 2.4„2.8 1.4„2.8 0.3/0.6 2.4„2.8 1.4„2.8 2.4„2.8 1.4„2.8 2.8„4.7 1.5„Vdd Supply Isolation 3 P-0.1dB4) [dBm] BW5) [GHz] Package 34/27 > 21 - FWLP-6-1 0.4/0.5 32/25 > 21 - TSLP-7-4 0.4/0.5 32/25 > 21 - TSLP-7-6 0.26/0.33 > 26 / > 20 > 30 4.5 TSNP-14 ) [dB] 注：1) 数控电压；2) IL =在1.0GHz/ 2.0 GHz下的插入损耗； 3)在1.0GHz/ 2.0 GHz下的隔离；4) 0.1dB 压缩点； 5) 在1dB IL下测量；6) 请登录我 们的网站 http://www.infineon.com/rfswitches，查寻备选器件。 25 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 3.8 VDSL、ADSL 和其他宽带应用的 ESD 和瞬态保护 图注： DSL line driver: DSL线驱动器；primary protection: 主保护 ESD二极管 1) Product Application VRWM [V] ESD DSL70 Broadband +50 ±15 [kV] VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines Package 2.7@16 4.0@30 0.1 27 6 2.5 2 SOT143 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导 通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 26 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 4 通用接口保护 英飞凌的通用ESD二极管可处理高峰值瞬变电流——远高于现行标准，同时即使多次完成ESD电 流保护后，保护性能依然不变。这些器件尤其适用于键盘、按钮、触摸屏和音频线等通常采用 的低速HID数据的ESD保护和瞬变保护。这些器件可为电源线和电池线——ESD进入设备核心部位 的输入点——提供经济高效的出色保护。电池线——通常只有现场维修人员可接触——也经常 需要保护，以确保设备在维修和升级时的安全。 麦克风、扬声器和耳机等手机音频接口在日常使用过程中极易接触ESD环境。如下面的音频电路 图所示，音频耳机可将ESD电流自陷和路由至敏感的系统组件。ESD电流还可通过音频插孔直接 进手手机。如今的手机系统的音频放大器的低输出阻抗构成了一个特殊挑战，因为要想防止放 大器受损，ESD保护解决方案需具备极低的箝位电压。这使低动态电阻成为实现牢靠保护的必备 要求。紧邻的射频放大器也提出了多种挑战。要想防止射频输出级的音频整流——可进入音频 电路，影响音质，需要克服这些挑战。 图9 典型的耳机驱动级的应用示例 为将牢靠的ESD保护与EMI抑制结合在一起，英飞凌科技推出针对各种音频接口定制的采用多种 封装的基于硅的ESD二极管。这些ESD二极管具备很低的动态电阻，因此也就具备保护压敏音频 驱动IC和其他组件所需的很低的箝位电压。英飞凌的保护技术自身还具备超低的漏电流，可使 电池供电的设备具备更长的运行时间或待机时间，即使是实现多点保护。这些因素与业界最小 的单线封装和多线过孔阵列解决方案有机结合在一起，简化PCB布局，为实现非凡的性能和高可 靠性创造条件。 27 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 4.1 低数据速率接口的 ESD 保护 便携式设备或移动设备的小键盘、按键、轨迹球和大键盘等的低数据速率接口常常成为有害ESD 电流的输入点。这些电路通常采用不足5V的直流电源供电。 ESD5V3L1B器件可直接有效地保护 这些接口免受ESD电流影响。ESD8V0R1B的ESD5V0S5US也可有效地保护这些应用。 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines ±18 +28/-27@±16 +35/-35@±30 0.5/0. 6 ±1 +23/ -17 4 1 ±5.3 ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 +5.0 ±30 10@16 14@±30 0.25 10 10.5 70 5 Product Application VRWM [V] ESD8V0R1B General purpose +14/8 ESD5V3L1B General purpose ESD5V0S5US General purpose ESD 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导 通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 28 Package TSLP-2-17 TSSLP-2-1 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 SOT363 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 采用SOT363封装的ESD5V0S5US的直通版图推荐 29 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 4.2 双通道通用 AV I/F 接口的 ESD 保护 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 ±18 +28/-27@±16 +35/-35@±30 0.5/0. 6 ±1 +23/ -17 4 1 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3L1B General purpose +5.3 ESD8V0R1B General purpose +14/8 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导 通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 30 Package TSLP-2-17 TSSLP-2-1 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 4.3 近场通信（NFC）的 ESD 保护 应用 1: 单端天线 应用 2: 差分天线 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines ±15 26@16 35@30 0.6 2 10 0.6 1 ±24 ±20 55@16 72@30 1.3 1 40 2 1 TSSLP-2-1 TSLP-2-17 +3.3 ±15 8@16 11@30 0.2 3 8.5 0.35 1 TSSLP-2-1 Product Application VRWM [V] ESD18VU1B on request NFC ±18. 5 ESD24VL1B NFC / charger protection ESD3V3XU1U SWP interface ESD 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导 通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 31 Package TSSLP-2-1 TSLP-2-17 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 4.4 反极性保护（RPP）电路 用于反极性保护的AF肖特基二极管 Product Application Note CT2) [pF] @VR [V] VF [mV] @IF [mA] VF [mV] @IF [mA] IR [μA] @VR [V] Package BAS3005A-02V - 10 5 260 10 450 500 < 300 30 SC79 BAS3005A-02LRH - 10 5 260 10 450 500 15 5 TSLP-2-17 BAS3010A-03W - 28 5 220 10 450 1000 < 200 30 SOD323 BAS3010S-02LRH - 10 5 340 100 570 1000 30 10 TSLP-2-17 BAS3020B - 30 5 350 1000 530 2000 40 30 SOT363 BAS4002S-02LRH - 7 5 330 10 470 200 0.5 5 TSLP-2-17 1) 注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下； 3)请登录我们的网站 http://www.infineon.com/schottkydiodes，查寻备选器件。 用于高级反极性保护的AF肖特基二极管（系统还采用反极性工作原理） 1) Product Application Note CT2) [pF] @VR [V] VF [mV] @IF [mA] VF [mV] @IF [mA] IR [μA] @VR [V] Package BAS4002A-RPP Q - 2.2 5 390 10 550 100 < 2 30 SOT143 BAS3007A-RPP Q - 10 5 350 100 550 700 < 100 24 SOT143 注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下； 3)请登录我们的网站 http://www.infineon.com/schottkydiodes，查寻备选器件。 32 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 4.5 USB充电器的反极性保护 用于反极性保护的AF肖特基二极管 CT2) [pF] @VR [V] VF [mV] @IF [mA] VF [mV] @IF [mA] IR [μA] @VR [V] Package - 7 5 330 10 470 200 0.5 5 TSLP-2-17 - 10 5 260 10 450 500 15 5 TSLP-2-17 - 10 5 340 100 570 1000 30 10 TSLP-2-17 Product Application Note BAS4002A-02LRH BAS3005A-02LRH BAS3010S-02LRH 1) 注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下； 3)请登录我们的网站 http://www.infineon.com/schottkydiodes，查寻备选器件。 4.6 配备肖特基二极管的整流器电路 33 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 整流器电路的AF肖特基二极管 1) Product BGX50A D Application Note VR,max2) [V] IF,max3) [mA] VBR [V] IR [μA] @VR [V] VF [V] @IF [mA] τrr [ns] Package - 50 140 50 < 0.2 50 < 1.3 100 < 6.0 SOT143 < 2 - SOT143 < 100 - SOT143 BAS4002A-RPP D - 40 200 40 < 10 40 < 0.62 BAS3007A-RPP D - 30 350 30 < 350 30 < 0.4 注：1) D=双频；T=三频；Q=四频； 2) 最大反向电压额定值；3) 最大正向电流额定值；3)请登录我们的网站 http://www.infineon.com/schottkydiodes， 查寻备选器件。 34 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 4.7削波与箝位 用于削波和箝位的射频肖特基二极管 1) Product Application Note CT2) [pF] @VR [V] VF [mV] @IF [mA] VF [mV] @IF [mA] IR [μA] @VR [V] Package SOT23 BAT54 series - < 10 1 < 320 1 < 800 100 < 2 25 SOT323 TSLP-2-7 SC79 SOT23 BAT64 series - 4 1 320 1 570 100 < 2 25 SOT323 SCD80 SOT23 BAT68 series - 0.7 0 318 1 390 10 < 10 8 SOT323 SOT343 SOT363 SOT23 SOT143 BAS40 series - 3 0 310 1 720 40 < 10 40 SOT323 SOT343 TSLP-2-1 SOT23 SOT143 SOT323 BAS70 series - 1,5 0 375 1 705 10 < 10 70 SOT343 SOT363 SCD80 TSLP-2-1 注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下； 3)请登录我们的网站 http://www.infineon.com/schottkydiodes，查寻备选器件。 35 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 5 ESD/浪涌保护 对于采用交流市电的系统而言，实现半导体IC浪涌保护或瞬变电压保护十分关键。其中以太网 就是一个例子。 以太网是从骨干网到服务器和台式机进行直接网络通信最常用的系统。以太网 的数据速率已由10 Mbps发展至1000 Mbps（千兆位以太网，1000base-T）。10 Gbps以太网 （10GBase-T）可通过后台应用查看。以下是一个简化的以太网示意图。如图所示，ESD电流和 浪涌直接或间接影响网络中的设备的ESD敏感器件，造成破获性后果，从而降低服务品质。 交流市电故障、电容器开关或照明可产生浪涌。浪涌可直接进入RJ45接口，或通过电磁场被引 导至线缆。除交流市电浪涌，系统还需要实现其他原因引起的ESD电流保护，例如人在安装、维 修或正常操作时接触系统释放静电。中国等新兴国家由于交流市电波动较大，因此针对以太网 系统的浪涌保护出台了严格的规定。这是因为中国及其他国家的配电网相对不稳定。 ESD电流和浪涌电流都可通过RJ45接口进入设备。在RJ45接口，电流必须通过标准以太网四相变 压器，然后再进入收发器IC。 图10 以太网架构 千兆位以太网线缆具备称为“通道”的四股差分双绞线——每股双绞线都可传输全双工数据。 每个通道都能以250 Mbps的速率传输数据。由于存在PAM（脉冲幅度调制），传输的每个符号都 需要2位。 36 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 因此，基本传输频率为62.5 MHz——需要一根CAT5e线缆或规格更高的线缆（fT = 100 MHz（最 低））。高数据速率对高信号品质提出了挑战，旨在维护PAM波形的完整性，尤其是长距离传输。 采取下述两种方式，有助于获得出色的系统ESD防护能力和浪涌防护能力： 1. 一次侧保护：由RJ45接口、变压器和PCB构成的一次侧可利用陶瓷气体放电管——在一定电 压电平下被触发，以便将电能传输至地面——实现极高压电流保护。 2. 二次侧保护：通常连接以太网PHY等敏感半导体IC的二次侧需要一个精确的ESD和浪涌保护 网，以确保二次侧感应浪涌脉冲不会造成任何损害。 要维持一次侧和二次侧的最大信号完整度，保护器件必须具备很低的电容。 37 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 5.1 ESD 要求: 根据标准要求，IEC61000-4-2 4级ESD保护电路应能处理高达8 kV接触放电和15 kV空气放电的 ESD电流。不过，英飞凌越来越多的客户要求获得15kV接触放电ESD防护能力，旨在满足服务质 量要求，降低维修成本和拥有成本，以及全面提高客户对设备的满意度。 38 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 5.2 浪涌要求: 根据IEC 61000-4-5标准，短路时的浪涌波形被定义为8/20微秒或5/320微秒。对于一个作为开 路的DUT （被测设备）而言，IEC 61000-4-5标准定义的相关波形特性为1.2/50微秒或10/700 微秒。按照预定的测试类别，需要调整测试电流峰值。如下文所述，本文重点介绍中国的浪涌 保护要求。 5.2.1 线到线（L/L）情况 在这种情况下，系统被浪涌源视为短路。系统必须实现二次侧感应浪涌电流和浪涌电压保护。 根据IEC61000-4-5标准，在25 A（1 kV测试浪涌）和50 A（2kV测试浪涌）条件下，浪涌波形被 定义为5/320微秒电流脉冲。在这里，测试浪涌被直接注入系统一次侧（RJ45接口侧）。信号通 道和电流浪涌的回传通道属于同一通道。该浪涌采用差分模式，因此可被传输至磁性变压器的 二次侧（基于L*dIsurge/dt法则）。这种感应电压取决于主L/L浪涌脉冲的上升时间、频率响应 和磁性变压器的大电流饱和度。 图11 以太网的线到线测试配置 对于5/320微秒一次侧浪涌电流而言，二次侧的感应浪涌脉冲被强烈压缩，时长远低于20微秒。 二次侧生成的短路峰值电流不足20A，即使一次侧L/L浪涌大幅超过50 A（50A与2 kV测试浪涌要 求有关）。 一次侧注入的浪涌脉冲形状和幅度与二次侧的感应浪涌脉冲完全不同。对于L/L系统级浪涌测试 而言，二次侧可配备一个ESD二极管，因为二次侧的浪涌处理功能要求低于一次侧注入浪涌脉冲 保护要求。 在系统级浪涌事件情况下，ESD二极管的箝位电压对于以太网PHY的保护至关重要。ESD二极管箝 位电压越低，以太网PHY所承受的浪涌应力就越小。 39 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 5.2.2 线至地（L/GND）情况 在这种情况下，系统被浪涌源视为一个开路。系统需要在信号线和GND之间实现高压电平保护。 根据IEC6100-4-5，所需的浪涌波形为10/700 μs，峰值电压为4 kV或6 kV。该浪通必须在一次 侧得到有效处理，以确保破坏性的寄生空气放电不会进入二次侧。常用解决方案是在一次侧配 备一个陶瓷气体放电管，以便将一次侧浪涌电压降至安全水平，同时消除对二次侧的空气放电 损害。如果陶瓷气体放电管被触发，系统就会变成一个短路——将浪涌波形转换成5/300微秒电 流脉冲（100 A或150 A，分别对于4 kV和6 kV浪涌电流）。 图12 以太网线至地测试配置 如果只对系统实施ESD电流保护，英飞凌推荐使用ESD5V5ULC器件，如下表所示。如果根据中国 政府的相关规定，对系统实施ESD和浪涌保护，则TVS3V3L4U是理想之选。 40 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 5.3 千兆位以太网的 ESD 浪涌保护 ESD ESD二极管 1) Product Application VRWM [V] ESD TVS3V3L4U on request GBit Ethernet +3.3 ±25 [kV] VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines Package 5.8@16 7.1@30 0.1 20 8 2.0 4 SC74 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导 通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 41 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 采用SC74封装的TVS3V3U4ULC的直通版图推荐 42 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 6 利用集成式 ESD/EMI 保护器件保护接口 随着越来越多的无线功能集成至便携式移动设备，要确保这些设备实现可靠的最大功能，不但 要具备牢靠的ESD保护性能，还要具备出色的抗电磁干扰性。英飞凌针对各种手机应用推出多种 高性能集成式保护器件——在一个小型封装内集成了ESD防护功能和电磁干扰保护功能。下图扼 要概述了英飞凌面向各种接口推出的可用ESD/EMI保护器件。 图注： Headset：耳机; SIM card：SIM卡; µSD/SD Card：µSD/SD卡; HSMM Card：HSMM卡; Charger： 充电器; analog baseband IC：模拟基带IC; digital Baseband IC:数字基带IC 英飞凌的集成式ESD/EMI接口保护器件汇总 43 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 另外，分立式ESD二极管还可用于普通接口保护。下图为各种接口的ESD二极管的汇总。 英飞凌的接口保护ESD二极管的汇总 如欲了解有关英飞凌ESD二极管产品组合及其应用的详细信息，请参考我们的ESD保护手册 www.infineon.com/tvs.brochure。您也可登录我们的网站www.infineon.com/protection，查 寻保护器件。 44 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 6.1差分模式麦克风接口的ESD/EMI保护——BGF113 图注 VMIC (A2 or A3) dep. On application: VMIC（A2或A3）取决于应用；baseband IC: 基带IC HiPAC —— 集成式ESD/EMI保护器件 1) 2) Product Application VRWM [V] ESD [kV] [dB] Protected Lines Package BGF113 Audio Line Interface ±4 ±15 40 2 WLP-8-6 Stop Band Attenuation 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2) 在50欧姆电阻和1 GHz频率下测量； 3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes， 查寻备选器件。 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines Package ±20 ±15@±16 ±19@±30 0.4 ±5. 5 ±11 17.5 1 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 ±5.3 ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 +14/8 ±18 +28/-27@±16 +35/-35@±30 0.5/0. 6 ±1 +23/ -17 4 1 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3S1B General purpose ±5.3 ESD5V3L1B General purpose ESD8V0R1B General purpose 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导 通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 45 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 6.2 SIM 卡接口的 ESD/EMI 保护——BGF106c SIM Card connector：SIM卡接口；Low pass: 低通；Flash controller IC: 闪存控制器IC HiPAC——集成式ESD/EMI保护器件 Product BGF106c Application SIM Card Interface Line capacitance of all lines to GND 1) VRWM [V] ESD +5.5 ±15 [kV] [pF] 16.5 Protected Lines Package 4 WLP-8-11 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2) 请登录我们的网站 http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines Package ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 4 TSLP-9-1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 2 +5.5 ±25 8.9@16 11.5@30 0.2 6 10 0.45 4 ±5.3 ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3U4U-HDMI high speed low cap. +5.3 ESD5V3U1U high speed low cap. ESD5V3U2U high speed low cap. ESD5V5U5ULC high speed low cap. ESD5V3L1B General purpose 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电 压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标 准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5 标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 46 TSLP-2-7 TSSLP-2-1 TSLP-3-7 TSFP-3 SC74 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 6.3 6 针 SIM 卡接口的 ESD/EMI 保护——BGF125 图注： SIM Card connector(6-pin): SIM卡接口（6针）；Low pass: 低通；Flash controller IC: 闪 存控制器IC HiPAC——集成式ESD/EMI保护器件 Product BGF125 Application SIM Card Interface Line capacitance of all lines to GND 1) VRWM [V] ESD ±5.0 ±15 [kV] [pF] 10 Protected Lines Package 4 WLP-8-10 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2) 请登录我们的网站 http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines Package ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 4 TSLP-9-1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 1 high speed low cap. +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 2 ESD5V5U5ULC high speed low cap. +5.5 ±25 8.9@16 11.5@30 0.2 6 10 0.45 4 ESD5V3L1B General purpose ±5.3 ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3U4U-HDMI high speed low cap. +5.3 ESD5V3U1U high speed low cap. ESD5V3U2U 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导 通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 47 TSLP-2-7 TSSLP-2-1 TSLP-3-7 TSFP-3 SC74 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 6.4 8针SIM卡接口的ESD/EMI保护——BGF124 SIM Card connector(6-pin): SIM卡接口（6针）；Low pass: 低通；Flash controller IC: 闪 存控制器IC HiPAC —— 集成式ESD/EMI保护器件 Product BGF124 Application Sim Card Interface Line capacitance of all lines to GND 1) VRWM [V] ESD ±5.0 ±15 [kV] [pF] 10 Protected Lines Package 4 WLP-11-4 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2) 请登录我们的网站 http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines Package ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 4 TSLP-9-1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 1 high speed low cap. +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 2 ESD5V5U5ULC high speed low cap. +5.5 ±25 8.9@16 11.5@30 0.2 6 10 0.45 4 ESD5V3L1B General purpose ±5.3 ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3U4U-HDMI high speed low cap. +5.3 ESD5V3U1U high speed low cap. ESD5V3U2U 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导 通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 48 TSLP-2-7 TSSLP-2-1 TSLP-3-7 TSFP-3 SC74 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 6.5 闪存的ESD/EMI保护：MicroSD/MiniSD/SD卡——BGF117 图注： µSD Card: µSD卡；µSD card controller: µSD卡控制器；not applicable for CLK line: 不 适用于时钟线；Flash controller IC: 闪存控制器IC HiPAC——集成式ESD/EMI保护器件 Product BGF117 Application SD Card Interface Line capacitance of all lines to GND 1) VRWM [V] ESD ±5.5 ±15 [kV] [pF] 8 Protected Lines Package 7 WLP-16-4 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2) 请登录我们的网站 http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines Package ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 4 TSLP-9-1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 1 high speed low cap. +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 2 ESD5V5U5ULC high speed low cap. +5.5 ±25 8.9@16 11.5@30 0.2 6 10 0.45 4 ESD5V3L1B General purpose ±5.3 ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3U4U-HDMI high speed low cap. +5.3 ESD5V3U1U high speed low cap. ESD5V3U2U 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导 通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 49 TSLP-2-7 TSSLP-2-1 TSLP-3-7 TSFP-3 SC74 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 6.6 高速 MMC 卡（4 条数据线）的 ESD/EMI 保护——BGF104c HiPAC——集成式ESD/EMI保护器件 Product BGF104c Application SD Card Interface Line capacitance of all lines to GND 1) VRWM [V] ESD +14 ±15 [kV] [pF] 16 Protected Lines Package 7 WLP-16-3 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2) 请登录我们的网站 http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines Package ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 4 TSLP-9-1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 1 high speed low cap. +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 2 ESD5V5U5ULC high speed low cap. +5.5 ±25 8.9@16 11.5@30 0.2 6 10 0.45 4 ESD5V3L1B General purpose +5.3 ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3U4U-HDMI high speed low cap. +5.3 ESD5V3U1U high speed low cap. ESD5V3U2U 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导 通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 50 TSLP-2-7 TSSLP-2-1 TSLP-3-7 TSFP-3 SC74 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 6.7 LCD/相机接口的 ESD/EMI 保护——BGF108c / BGF109c HiPAC ——集成式ESD/EMI保护器件 Product Application VRWM [V] ESD Line capacitance of all lines to GND 1) [kV] BGF108c LCD Interface 0„5 ±15 BGF109c LCD Interface -7„7 ±15 [pF] 27 @ VR = 0V 17 @ VR = 3V 28 @ VR = 0V 17 @ VR = 3V Protected Lines Package 7 WLP-18-4 9 WLP-24-9 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电； 2) 请登录我们的网站 http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 ESD二极管 VCL2) [VCL]@[A] Rdyn3) [Ω] IPP4) [A] VCL5) [V] CT6) [pF] Protected Lines Package ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 4 TSLP-9-1 +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 1 high speed low cap. +5.3 ±15 19@16 28@30 0.65 3 12 0.4 2 ESD5V5U5ULC high speed low cap. +5.5 ±25 8.9@16 11.5@30 0.2 6 10 0.45 4 ESD5V3L1B General purpose ±5.3 ±20 +10/-13@±16 +12/-17@±30 0.2 0.35 ±2. 5 ±10 5 1 Product Application VRWM [V] ESD ESD5V3U4U-HDMI high speed low cap. +5.3 ESD5V3U1U high speed low cap. ESD5V3U2U 1) [kV] 注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导 通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。 51 TSLP-2-7 TSSLP-2-1 TSLP-3-7 TSFP-3 SC74 TSLP-2-17 TSSLP-2-1 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 缩写 缩写 全称 缩写 全称 ADSL 非对称数字用户线 应用笔记 专用集成电路 辅助装置 音视频中频接口 MICP 麦克风正极 移动行业处理器接口 多媒体卡 单片微波集成电路 近场通信（13.56 MHz） 基带 误码率 带通滤波器 消费类电子设备控制装置 时钟 命令 数据 直流 双刀双掷 数字用户线 被测设备 数字视频接口 电磁干扰 静电释放 调频（76 MHz至108 MHz） 地 全球定位系统（1575.42 MHz） 人体放电模式 高清多媒体接口 人机接口设备 高速（480 Mb/秒）/ 全速（12 Mb/秒）/ 低速（1.5 Mb/秒） 高速多媒体 水平同步 集成电路 国际电工技术委员会 输入/输出 液晶显示器 线至地 线至线 低噪放大器 低通滤波器 移动高清连接技术 PAM AN ASIC AUX AV I/F Interface BB BER BPF CEC CLK CMD DAT DC DPDT DSL DUT DVI EMI ESD FM GND GPS HBM HDMI HID HS / FS / LS HSMM HSYNC IC IEC I/O LCD L/GND L/L LNA LPF MHL MIPI MM Card MMIC NFC PCB PD PHY RF RoHS RPD RPP RST Rx SATA SC SCL SDA (µ)SD Card SIM Card SOT SPDT SWP TLP TMDS TR TRX TSFP TSSLP TV TVS Tx USB VDSL VSYNC VMIC 52 脉冲幅度调制 印刷电路板 编程数据 物理层 射频 有害物资限用指令 射频与保护器件 反极性保护 重置 接收 串行高级技术附件 半导体封装 串行时钟线 串行数据线 （微型）安全数码卡 用户识别卡 小外形晶体管封装 单刀双掷 单线协议 传输线脉冲 最小化传输差分信号 技术报告 收发器 薄小扁平封装 薄（超级）小型无引脚封装 电视 瞬态电压抑制 发射 通用串行总线 甚高速数字用户线 垂直同步 电压麦克风 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 按字母顺序排列的符号列表 符号 术语 单位 BW CT IF IPP IR IL P-0.1dB Rdyn rF VBR VCL Vctrl Vdd VF VR VRWM τL τrr 带宽 总二极管电容 正向电流 最大峰值脉冲电流 反向电流 插入损耗 0.1dB压缩点 动态电阻 差分正向电阻 击穿电压 箝位电压 数控电压 直流电源电压 正向电压 反向电压 反向工作电压 存放时间 反向恢复时间 [GHz] [pF] [mA] [A] [uA] [dB] [dBm] [Ω] [Ω] [V] [V] [V] [V] [mV] [V] [V] [ns] [ns] 53 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 封装信息 封装（JEITA 代码） X 长X宽X高 引脚数 比例 1:1 ：所有尺寸的单位为毫 所有产品都采用绿色封装（符合RoHS标准）。 54 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 辅助资料 数据表/应用笔记/ 技术报告 www.infineon.com/rfandprotectiondevices 产品： 射频CMOS开关 www.infineon.com/rfswitches 射频MMIC www.infineon.com/rfmmics 射频晶体管 www.infineon.com/rftransistors 射频二极管 www.infineon.com/rfdiodes PIN二极管 www.infineon.com/pindiodes 肖特基二极管 www.infineon.com/schottkydiodes 变容二极管 www.infineon.com/varactordiodes ESD/EMI保护器件 www.infineon.com/tvsdiodes 手册： 《选型指南》 www.infineon.com/rpd_selectionguide 《移动通信应用指南》 www.infineon.com/rpd_appguide_mobile 《消费类电子产品应用指南》 www.infineon.com/rpd_appguide_consumer 《工业产品应用指南》 www.infineon.com/rpd_appguide_industrial 《保护应用指南》 www.infineon.com/rpd_appguide_protection 《ESD防护解决方案——消费类电子产品和 无线通信》 www.infineon.com/gps 《用于移动和无线应用的GPS前端组件》 www.infineon.com/rpdkits 样品套件 www.infineon.com/rpdkits 评估板 更多信息请联系当地英飞凌销售代表。 55 射频与保护器件应用指南 第四部分: 保护装置应用指南 致电英飞凌——随时随地获得所需服务 英飞凌已开通0800免费服务热线，作为总机号码，采用英语和德语提供全天候服务。 除标准转接服务外，我们的全球客服中心还可通过话机为您提供优质支持。敬请致电！ 德国 ......................... ...0800 951 951 951 美国............................. 1866 951 9519 国际 ............................ 00 800 951 951 951 直拨 ........................... +49 89 234 - 0（需支付互联费） 购买地点 英飞凌销售合作伙伴和销售办事处 请使用我们的位置查找器，与离您最近的英飞凌经销商或销售办事处取得联系。 www.infineon.com/WhereToBuy 英飞凌科技——针对高能效、移动性和安全性提供创新半导体解决方案 英飞凌科技股份公 司印制 85579 Neubiberg, Germany ©英飞凌科技股份 公司版权所有， 2011。保留所有权 利。 请登录我们的网 站： www.infineon.com 免责声明 本文所包含的信息在任何情况下均不 得被视为就相关条件和特性作出的保 证。英飞凌在此声明，未就本文中给出 的任何例子或提示，以及本文中述明的 器件的任何典型值和/或关于器件应用 的任何信息作出任何性质的保证，也不 承担任何性质的责任，包括但不限于没 有侵犯任何第三方的知识产权的保证。 信息查询 若需获得关于技术、交付条款和价格的 更多信息，敬请联系距离您最近的英飞 凌办事处（www.infineon.com） 56 警告 由于技术要求，组件可能包含有害物质。 若需了解相关物质的类型，请联系距离 您最近的英飞凌办事处。如果可以合理 地预计英飞凌的某个组件可能会导致生 命支持设备或系统失效，或者影响该等 设备或系统的安全性或有效性，那么在 将该等组件用于生命支持设备或系统之 前，必须获得英飞凌的明确书面同意。 生命支持设备或系统意指用于植入人体 内部，或者支持和/或维持、维系和/或 保护人类生命的设备或系统。如果这些 设备或系统失效，可以合理地假设其用 户或其他人的健康将受到威胁。