TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L200R12W2H3_B11 EasyPACKModulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC VCES = 1200V IC nom = 100A / ICRM = 200A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme TypicalApplications • 3-Level-Applications • MotorDrives • SolarApplications • UPSSystems ElektrischeEigenschaften • HighSpeedIGBTH3 • NiedrigeSchaltverluste • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • HighSpeedIGBTH3 • LowSwitchingLosses • Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften • PressFITVerbindungstechnik • RoHSkonform MechanicalFeatures • PressFITContactTechnology • RoHScompliant ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L200R12W2H3_B11 IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES 1200 V ICN 200 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 100 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 400 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 600 W VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,55 1,70 1,75 1,75 V V V 5,80 6,45 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 1,60 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 3,8 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 11,5 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,70 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 3700 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 1,1 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,05 0,14 0,155 0,16 µs µs µs 0,025 0,03 0,03 µs µs µs 0,32 0,40 0,42 µs µs µs 0,03 0,055 0,06 µs µs µs Eon 1,20 2,00 2,25 mJ mJ mJ IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 1,1 Ω Tvj = 150°C Eoff 3,50 5,30 5,90 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 800 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 2 0,20 0,25 K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L200R12W2H3_B11 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op 0,20 -40 K/W 150 °C Diode,D2/D3/Diode,D2/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN 125 A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 100 A IFRM 250 A I²t 1450 1400 PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,70 VF 1,55 1,50 1,45 IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 400 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 90,0 100 100 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 400 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 3,25 5,90 6,40 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 400 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 0,95 1,55 1,65 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC 0,55 0,65 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,60 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 100 A, VGE = 0 V IF = 100 A, VGE = 0 V IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 3 -40 150 V V V °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L200R12W2H3_B11 IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 100 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 200 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 250 W VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,45 1,60 1,70 1,90 V V V 5,80 6,45 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 1,00 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 2,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,20 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,19 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 3800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 3,3 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 4,95 0,055 0,06 0,065 µs µs µs 0,025 0,03 0,03 µs µs µs 0,25 0,27 0,28 µs µs µs 0,035 0,05 0,06 µs µs µs Eon 1,85 2,80 3,30 mJ mJ mJ IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 3,3 Ω Tvj = 150°C Eoff 3,10 4,10 4,60 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 700 500 A A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,50 0,60 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,50 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 4 tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf -40 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L200R12W2H3_B11 Diode,D1/D4/Diode,D1/D4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200 V IF 75 A IFRM 150 A I²t 1050 985 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,15 VF 1,65 1,65 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 120 140 150 A A A IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 8,50 17,0 19,0 µC µC µC IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 2,85 5,70 6,30 mJ mJ mJ RthJC 0,55 0,60 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,50 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 75 A, VGE = 0 V IF = 75 A, VGE = 0 V IF = 75 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode -40 V V V 150 °C Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex VISOL CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 5 kV 2,5 typ. max. 14 36 nH 125 °C 80 N g TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L200R12W2H3_B11 NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 6 kΩ 5 % 20,0 mW TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L200R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 200 200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 160 160 140 140 120 120 100 80 60 60 40 40 20 20 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch) transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 11 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 180 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 10 9 160 8 140 7 E [mJ] 120 100 80 6 5 4 60 3 40 2 20 0 0,0 SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=400V 200 IC [A] 100 80 0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 180 IC [A] IC [A] 180 1 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 7 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 IC [A] TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L200R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=100A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4 ZthJH=f(t) 8 1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 7 ZthJH : IGBT 6 0,1 ZthJH [K/W] E [mJ] 5 4 3 0,01 2 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,012 0,044 0,032 0,312 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 1 0 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 0,001 0,001 10 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.1Ω,Tvj=150°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) 250 200 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 180 200 160 140 120 IF [A] IC [A] 150 100 100 80 60 50 40 20 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 8 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L200R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=1.1Ω,VCE=400V SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=100A,VCE=400V 2,6 2,0 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 2,4 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,8 2,2 1,6 1,8 1,4 1,6 1,2 1,4 E [mJ] E [mJ] 2,0 1,2 1,0 1,0 0,8 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 20 40 60 80 0,0 100 120 140 160 180 200 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJH=f(t) 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 10 AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 200 ZthJH : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 180 160 140 1 IC [A] ZthJH [K/W] 120 100 80 0,1 60 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,035 0,149 0,311 0,655 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 20 0 10 preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 9 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L200R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 200 200 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 180 160 140 140 120 120 IC [A] IC [A] 160 100 100 80 80 60 60 40 40 20 20 0 0,0 0,5 1,0 1,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 180 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=3.3Ω,RGoff=3.3Ω,VCE=400V 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=100A,VCE=400V 10 24 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 9 8 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 22 20 18 7 16 14 E [mJ] E [mJ] 6 5 12 10 4 8 3 6 2 4 1 0 2 0 20 40 60 80 0 100 120 140 160 180 200 IC [A] preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 10 0 3 6 9 12 15 18 RG [Ω] 21 24 27 30 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L200R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJH=f(t) SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=3.3Ω,Tvj=150°C 10 220 ZthJH : IGBT IC, Modul IC, Chip 200 180 160 1 IC [A] ZthJH [K/W] 140 120 100 80 0,1 60 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,03 0,11 0,08 0,78 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 20 0 10 DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) 300 400 500 VCE [V] 600 700 800 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 9 8 105 7 90 6 E [mJ] IF [A] 200 10 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 120 75 5 60 4 45 3 30 2 15 1 0 100 SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=3.3Ω,VCE=400V 150 135 0 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 11 0 15 30 45 60 75 90 IF [A] 105 120 135 150 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L200R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=75A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJH=f(t) 8 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 7 ZthJH : Diode 6 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 5 4 3 0,1 2 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,042 0,093 0,387 0,528 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 1 0 0 3 6 9 12 15 18 RG [Ω] 21 24 27 0,01 0,001 30 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 12 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L200R12W2H3_B11 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2014-12-04 approvedby:AKDA revision:3.0 13 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L200R12W2H3_B11 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. 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