TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 EasyPACKModulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • SolarAnwendungen TypicalApplications • 3-Level-Applications • SolarApplications ElektrischeEigenschaften • HighSpeedIGBTH3 • NiedrigeSchaltverluste • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • HighSpeedIGBTH3 • LowSwitchingLosses • Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften • PressFITVerbindungstechnik • RoHSkonform MechanicalFeatures • PressFITContactTechnology • RoHScompliant ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES 1200 V ICN 100 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 50 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 200 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 375 W VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,55 1,70 1,75 1,75 V V V 5,80 6,45 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 3,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,80 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 7,5 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,15 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,345 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 2200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 1,1 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,05 0,13 0,14 0,145 µs µs µs 0,02 0,03 0,03 µs µs µs 0,30 0,38 0,40 µs µs µs 0,03 0,06 0,065 µs µs µs Eon 1,05 1,65 1,80 mJ mJ mJ IC = 50 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 1,1 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,60 2,60 2,95 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 400 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 2 0,30 0,40 K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op 0,35 -40 K/W 150 °C Diode,D2/D3/Diode,D2/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN 100 A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 50 A IFRM 200 A I²t 850 800 PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,60 VF 1,35 1,30 1,25 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 52,0 57,0 59,0 A A A IF = 50 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,90 3,60 4,10 µC µC µC IF = 50 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,45 0,75 0,85 mJ mJ mJ RthJC 0,55 0,70 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,65 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 50 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 3 -40 150 V V V °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 75°C, Tvj max = 175°C IC nom 50 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 175 W VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,45 1,60 1,70 1,90 V V V 5,80 6,50 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,10 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,095 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 8,2 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 4,90 0,025 0,025 0,025 µs µs µs 0,017 0,021 0,022 µs µs µs 0,19 0,22 0,25 µs µs µs 0,033 0,05 0,055 µs µs µs Eon 1,10 1,75 1,90 mJ mJ mJ IC = 50 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 8,2 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,50 2,05 2,20 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 350 250 A A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,75 0,85 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,70 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 4 tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf -40 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,D1/D4/Diode,D1/D4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200 V IF 35 A IFRM 150 A I²t 510 450 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,55 VF 2,00 1,70 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 70,0 85,0 90,0 A A A IF = 35 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 2,40 5,70 7,00 µC µC µC IF = 35 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,70 1,75 2,15 mJ mJ mJ RthJC 0,65 0,75 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,85 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 35 A, VGE = 0 V IF = 35 A, VGE = 0 V IF = 35 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 35 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode -40 V V V 150 °C Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex VISOL CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 5 kV 2,5 typ. max. 14 39 nH 125 °C 80 N g TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 6 kΩ 5 % 20,0 mW TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L100R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 100 100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 80 80 70 70 60 60 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 90 IC [A] IC [A] 90 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch) transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 80 90 100 SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=400V 100 6,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 5,0 80 70 4,0 E [mJ] IC [A] 60 50 3,0 40 2,0 30 20 1,0 10 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0,0 12 preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 7 0 10 20 30 40 50 60 IC [A] 70 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L100R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=50A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4 ZthJH=f(t) 4,0 1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 3,5 ZthJH : IGBT 3,0 ZthJH [K/W] E [mJ] 2,5 2,0 0,1 1,5 1,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0195 0,0715 0,052 0,507 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,5 0,0 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 0,01 0,001 10 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.1Ω,Tvj=150°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) 120 100 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 100 80 70 80 IF [A] IC [A] 60 60 50 40 40 30 20 20 10 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 8 0,0 0,3 0,6 0,9 VF [V] 1,2 1,5 1,8 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L100R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=1.1Ω,VCE=400V SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=50A,VCE=400V 1,2 1,0 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,1 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,9 1,0 0,8 0,9 0,7 0,8 0,6 E [mJ] E [mJ] 0,7 0,6 0,5 0,5 0,4 0,4 0,3 0,3 0,2 0,2 0,1 0,1 0,0 0 10 20 30 40 50 60 IF [A] 70 80 90 0,0 100 TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJH=f(t) 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 10 AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 100 ZthJH : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 80 70 1 IC [A] ZthJH [K/W] 60 50 40 0,1 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,072 0,12 0,348 0,66 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 9 2,0 2,5 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L100R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 100 100 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 90 80 70 70 60 60 IC [A] IC [A] 80 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=8.2Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=400V 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=50A,VCE=400V 5,0 12 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 4,5 4,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 11 10 9 3,5 8 7 E [mJ] E [mJ] 3,0 2,5 6 5 2,0 4 1,5 3 1,0 2 0,5 0,0 1 0 10 20 30 40 50 60 IC [A] 70 80 90 0 100 preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 10 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 80 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L100R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJH=f(t) SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=8.2Ω,Tvj=150°C 10 120 ZthJH = f (t) IC, Modul IC, Chip 110 100 90 1 80 IC [A] ZthJH [K/W] 70 60 50 0,1 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,084 0,195 0,587 0,584 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 700 50 60 70 SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=8.2Ω,VCE=400V 70 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 65 60 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 2,5 55 50 2,0 45 E [mJ] IF [A] 40 35 1,5 30 25 1,0 20 15 0,5 10 5 0 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 VF [V] 2,0 2,4 0,0 2,8 0 10 20 30 40 IF [A] preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 11 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L100R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=35A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJH=f(t) 3,0 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJH : Diode 2,5 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 2,0 1,5 1,0 0,1 0,5 0,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,036 0,156 0,324 0,684 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 80 140 160 0,01 0,001 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 12 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 13 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. 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