テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 EasyPACKモジュール高速トレンチ/フィールドストップIGBT3andエミッターコントロール3diode内蔵and PressFIT/NTCサーミスタ EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC J VCES = 650V IC nom = 30A / ICRM = 60A 一般応用 • 3レベル アプリケーション • モーター駆動 • ソーラーアプリケーション • UPSシステム TypicalApplications • 3-Level-Applications • MotorDrives • SolarApplications • UPSSystems 電気的特性 • 高速IGBTH3 • 低スイッチング損失 • ElectricalFeatures • HighSpeedIGBTH3 • LowSwitchingLosses • thinQHSiCSchottkydiode650V 機械的特性 • 低熱インピーダンスのAl2O3 DCB • コンパクトデザイン • PressFIT接合技術 • 固定用クランプによる強固なマウンティング MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • Compactdesign • PressFITContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 IGBT- インバータ/IGBT,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 30 45 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 60 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 135 W VGES +/-20 V ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,50 1,70 1,80 1,90 V V V 5,8 6,5 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,30 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,65 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 33 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 33 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 33 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 33 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 33 Ω Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 5,0 0,042 0,044 0,044 µs µs µs 0,038 0,044 0,044 µs µs µs 0,26 0,28 0,285 µs µs µs 0,042 0,06 0,065 µs µs µs Eon 0,88 1,10 1,15 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 33 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,67 0,84 0,91 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 160 A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC 1,05 1,10 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,10 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions tP ≤ 5 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf Tvj op preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 2 -40 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 Diode、インバータ/Diode,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 650 V IF 30 A IFRM 60 A I²t 90,0 82,0 電気的特性/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,00 VF 1,60 1,55 1,50 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 15,5 20,5 22,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,10 1,90 2,20 µC µC µC IF = 30 A, - diF/dt = 800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,18 0,34 0,41 mJ mJ mJ 順電圧 Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V 逆回復電荷量 Recoveredcharge 逆回復損失 Reverserecoveryenergy V V V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 1,25 1,35 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,35 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 3 -40 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 IGBT、スリー・レーベル/IGBT,3-Level 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 30 50 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 60 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 135 W VGES +/-20 V ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,55 1,80 1,85 1,95 V V V 5,8 6,5 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,30 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,65 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 830 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 20 Ω Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 5,0 0,03 0,03 0,031 µs µs µs 0,035 0,036 0,05 µs µs µs 0,175 0,19 0,20 µs µs µs 0,019 0,038 0,043 µs µs µs Eon 0,38 0,40 0,41 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 5400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 20 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,42 0,64 0,71 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 160 A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC 1,05 1,10 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,10 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf Tvj op preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 4 -40 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 ダイオード、スリー・レーベル/Diode,3-Level 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 650 V IF 8 A IFRM 16 A I²t 8,00 A²s 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 1,50 1,65 1,70 順電圧 Forwardvoltage IF = 8 A, VGE = 0 V IF = 8 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 8 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 300 V VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C IRM 6,30 6,80 A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 8 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 300 V VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Qr 0,22 0,37 µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 8 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 300 V VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec 0,01 0,01 mJ mJ VF V V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 2,30 2,50 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 2,50 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω 損失 Powerdissipation TC = 25°C B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 5 kΩ 5 % 20,0 mW テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 沿面距離 Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex VISOL CTI min. 内部インダクタンス Strayinductancemodule LsCE 保存温度 Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 質量 Weight G Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 6 kV 2,5 typ. max. 45 39 nH 125 °C 80 N g テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 60 60 50 50 40 40 IC [A] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 VCE [V] 2,0 2,4 0 2,8 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 0,0 3,0 4,0 5,0 スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=33Ω,RGoff=33Ω,VCE=300V 60 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 2,5 40 2,0 E [mJ] IC [A] 2,0 VCE [V] 伝達特性IGBT- インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 30 1,0 10 0,5 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0,0 12 preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 7 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 1,5 20 0 1,0 0 10 20 30 IC [A] 40 50 60 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V 過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 8 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 7 ZthJH : IGBT 6 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 5 4 3 0,1 2 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0423 0,2043 0,4249 1,4785 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 1 0 0 40 80 120 160 200 RG [Ω] 240 280 320 0,01 0,001 360 順電圧特性Diode、インバータ（typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 0,01 0,1 t [s] 1 10 スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=33,VCE=300V 60 0,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 50 0,4 40 E [mJ] IF [A] 0,3 30 0,2 20 0,1 10 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 0,0 2,0 preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 8 0 10 20 30 IF [A] 40 50 60 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=300V 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0,5 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJH : Diode 0,4 E [mJ] ZthJH [K/W] 0,3 0,2 1 0,1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1999 0,4286 0,8282 1,1437 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,0 0 40 80 120 160 200 RG [Ω] 240 280 0,1 0,001 320 出力特性IGBT、スリー・レーベル(Typical) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 1 10 60 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 50 40 40 IC [A] IC [A] 0,1 t [s] 出力特性IGBT、スリー・レーベル(Typical) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 60 30 20 10 10 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 30 20 0 0,01 0,0 1,0 2,0 3,0 VCE [V] preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 9 4,0 5,0 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 伝達特性IGBT、スリー・レーベル(Typical) transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VGE) VCE=20V スイッチング損失IGBT、スリー・レーベル(Typical) switchinglossesIGBT,3-Level(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=20Ω,VCE=300V 60 1,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 50 1,0 E [mJ] IC [A] 40 30 20 0,5 10 0 5 6 7 8 9 10 0,0 11 0 10 20 VGE [V] スイッチング損失IGBT、スリー・レーベル(Typical) switchinglossesIGBT,3-Level(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V 30 IC [A] 40 50 60 過渡熱インピーダンスIGBT、スリー・レーベル transientthermalimpedanceIGBT,3-Level ZthJC=f(t) 6 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 5 ZthJC : IGBT 1 ZthJC [K/W] E [mJ] 4 3 0,1 2 0,01 1 0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0423 0,2043 0,4249 1,4785 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 20 40 60 0,001 0,001 80 100 120 140 160 180 200 RG [Ω] preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 10 0,01 0,1 t [s] 1 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 順電圧特性ダイオード、スリー・レーベル（typical) forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical) IF=f(VF) スイッチング損失ダイオード、スリー・レーベル(Typical) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(IF) RGon=20Ω,VCE=300V 16 0,015 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 14 Erec, Tvj = 125°C 12 0,010 E [mJ] IF [A] 10 8 6 0,005 4 2 0 0,0 0,4 0,8 1,2 VF [V] 1,6 2,0 スイッチング損失ダイオード、スリー・レーベル(Typical) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(RG) IF=8A,VCE=300V 0,000 2,4 0 2 4 6 8 IF [A] 10 12 14 16 過渡熱インピーダンスダイオード、スリー・レーベル transientthermalimpedanceDiode,3-Level ZthJH=f(t) 0,015 10 Erec, Tvj = 125°C ZthJH : Diode E [mJ] ZthJH [K/W] 0,010 1 0,005 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,796 1,328 1,813 0,863 τi[s]: 0,003 0,015 0,09 0,4 0,000 0 20 40 60 0,1 0,001 80 100 120 140 160 180 200 RG [Ω] preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 11 0,01 0,1 t [s] 1 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 12 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 回路図/circuit_diagram_headline J パッケージ概要/packageoutlines In fin e o n preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 13 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 14