English/Japanese

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
EasyPACKモジュールandPressFIT/NTCサーミスタ
EasyPACKmoduleandPressFIT/NTC
暫定データ/PreliminaryData
J
VCES = 650V
IC nom = 50A / ICRM = 100A
一般応用
• 3レベル　アプリケーション
• モーター駆動
• ソーラーアプリケーション
• UPSシステム
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• MotorDrives
• SolarApplications
• UPSSystems
電気的特性
• 高速IGBTH3
ElectricalFeatures
• HighSpeedIGBTH3
機械的特性
• 低熱インピーダンスのAl2O3　DCB
• コンパクトデザイン
• PressFIT接合技術
• 固定用クランプによる強固なマウンティング
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 95°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
50
75
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
100
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
215
W
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,45
1,60
1,70
1,80
V
V
V
5,80
6,45
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,50
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
3,10
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,095
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 16 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 16 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 16 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 16 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1100 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 16 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
5,05
0,037
0,037
0,037
µs
µs
µs
0,042
0,044
0,047
µs
µs
µs
0,255
0,28
0,28
µs
µs
µs
0,058
0,064
0,066
µs
µs
µs
Eon
0,96
1,20
1,25
mJ
mJ
mJ
IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 16 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,20
1,60
1,70
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
330
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
0,65
0,70 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,75
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
tP ≤ 5 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
Tvj op
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
2
-40
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 650
V
IF
30
A
IFRM
60
A
I²t
90,0
82,0
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,00
VF
1,60
1,55
1,50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
20,0
26,0
28,0
A
A
A
IF = 30 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,20
2,10
2,50
µC
µC
µC
IF = 30 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,22
0,45
0,53
mJ
mJ
mJ
順電圧
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
逆回復電荷量
Recoveredcharge
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
V
V
V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
1,25
1,35 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,35
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
3
-40
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
IGBT、スリー・レーベル/IGBT,3-Level
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
50
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
135
W
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,80
1,85
1,95
V
V
V
5,80
6,45
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,65
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,051
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
0,02
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 700 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 20 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
5,05
0,045
0,045
0,045
µs
µs
µs
0,041
0,042
0,043
µs
µs
µs
0,175
0,19
0,20
µs
µs
µs
0,019
0,037
0,04
µs
µs
µs
Eon
0,66
0,79
0,83
mJ
mJ
mJ
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 5200 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 20 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,42
0,63
0,69
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
160
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
1,05
1,10 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,10
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
Tvj op
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
4
-40
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
ダイオード、スリー・レーベル/Diode,3-Level
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 650
V
IF
25
A
IFRM
50
A
I²t
50,0
48,0
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,15
VF
1,65
1,60
1,55
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
12,5
16,5
17,5
A
A
A
IF = 25 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,80
1,40
1,55
µC
µC
µC
IF = 25 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,14
0,25
0,28
mJ
mJ
mJ
順電圧
Forwardvoltage
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 25 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
逆回復電荷量
Recoveredcharge
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
V
V
V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
1,90
2,15 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,30
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
5
kΩ
5
%
20,0
mW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
VISOL CTI
min.
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
LsCE
保存温度
Storagetemperature
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
質量
Weight
G
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
6
kV
2,5
typ.
max.
45
39
nH
125
°C
80
N
g
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
100
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
80
80
70
70
60
60
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0,0
0,4
0,8
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
90
IC [A]
IC [A]
90
1,2
1,6
VCE [V]
2,0
2,4
0
2,8
伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
1,0
2,0
VCE [V]
3,0
4,0
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=16Ω,RGoff=16Ω,VCE=300V
100
4
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
90
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
80
3
70
E [mJ]
IC [A]
60
50
2
40
30
1
20
10
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
7
0
10
20
30
40
50 60
IC [A]
70
80
90
100
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=50A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
10
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
9
8
ZthJH : IGBT
7
1
ZthJH [K/W]
E [mJ]
6
5
4
0,1
3
2
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,028 0,133 0,277 0,962
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
1
0
0
20
40
60
80
100
RG [Ω]
120
140
0,01
0,001
160
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
0,01
0,1
t [s]
1
10
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=16Ω,VCE=300V
60
0,8
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
50
0,6
E [mJ]
IF [A]
40
30
0,4
20
0,2
10
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
0,0
2,0
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
8
0
10
20
30
IF [A]
40
50
60
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0,7
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJH : Diode
0,6
0,5
E [mJ]
ZthJH [K/W]
0,4
0,3
1
0,2
0,1
0,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,2
0,429 0,828 1,143
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0
20
40
60
80
100
RG [Ω]
120
140
0,1
0,001
160
出力特性IGBT、スリー・レーベル(Typical)
outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
0,01
10
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
50
40
40
IC [A]
IC [A]
1
出力特性IGBT、スリー・レーベル(Typical)
outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
60
30
20
10
10
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
9
VGE = 19 V
VGE = 17 V
VGE = 15 V
VGE = 13 V
VGE = 11 V
VGE = 9 V
30
20
0
0,1
t [s]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
伝達特性IGBT、スリー・レーベル(Typical)
transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
スイッチング損失IGBT、スリー・レーベル(Typical)
switchinglossesIGBT,3-Level(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=20Ω,VCE=300V
60
2,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
2,0
40
E [mJ]
IC [A]
1,5
30
1,0
20
0,5
10
0
5
6
7
8
9
10
0,0
11
0
10
20
VGE [V]
スイッチング損失IGBT、スリー・レーベル(Typical)
switchinglossesIGBT,3-Level(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V
40
50
60
過渡熱インピーダンスIGBT、スリー・レーベル
transientthermalimpedanceIGBT,3-Level
ZthJC=f(t)
7
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
6
ZthJC : IGBT
1
5
E [mJ]
ZthJC [K/W]
4
3
2
0,1
0,01
1
0
30
IC [A]
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0423 0,2043 0,4249 1,4785
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
0
20
40
60
80
0,001
0,001
100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
10
0,01
0,1
t [s]
1
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
順電圧特性ダイオード、スリー・レーベル（typical)
forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical)
IF=f(VF)
スイッチング損失ダイオード、スリー・レーベル(Typical)
switchinglossesDiode,3-Level(typical)
Erec=f(IF)
RGon=20Ω,VCE=300V
50
0,400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,350
40
0,300
35
0,250
E [mJ]
IF [A]
30
25
20
0,200
0,150
15
0,100
10
0,050
5
0
0,000
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
スイッチング損失ダイオード、スリー・レーベル(Typical)
switchinglossesDiode,3-Level(typical)
Erec=f(RG)
IF=25A,VCE=300V
0
5
10
15
20
25 30
IF [A]
35
40
45
50
過渡熱インピーダンスダイオード、スリー・レーベル
transientthermalimpedanceDiode,3-Level
ZthJH=f(t)
0,350
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJH : Diode
0,300
0,250
E [mJ]
ZthJH [K/W]
0,200
0,150
1
0,100
0,050
0,000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,109 0,653 1,654 0,784
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0
20
40
60
80
0,1
0,001
100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
11
0,01
0,1
t [s]
1
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
12
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
J
パッケージ概要/packageoutlines
In fin e o n
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
13
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー　リスク　及び　品質の評価
ー　品質契約
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interestedwemayprovideapplicationnotes.
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CE
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
14