テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules F3L50R06W1E3_B11 EasyPACKモジュール高速トレンチ/フィールドストップIGBT3andエミッターコントロール3diode内蔵and PressFIT/NTCサーミスタ EasyPACKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC J VCES = 600V IC nom = 50A / ICRM = 100A 一般応用 • 3レベル アプリケーション • ソーラーアプリケーション • UPSシステム TypicalApplications • 3-Level-Applications • SolarApplications • UPSSystems 電気的特性 • 低インダクタンスデザイン • 低スイッチング損失 • 低VCEsat飽和電圧 ElectricalFeatures • Lowinductivedesign • LowSwitchingLosses • LowVCEsat 機械的特性 • 低熱インピーダンスのAl2O3 DCB • コンパクトデザイン • PressFIT接合技術 • 固定用クランプによる強固なマウンティング MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • Compactdesign • PressFITContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2014-03-13 approvedby:AKDA revision:3.1 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules F3L50R06W1E3_B11 IGBT- インバータ/IGBT,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 600 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 50 75 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 175 W VGES +/-20 V ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,45 1,60 1,70 1,90 V V V 5,8 6,5 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,10 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,095 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA VGEth ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 8,2 Ω Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 4,9 0,025 0,025 0,025 µs µs µs 0,013 0,016 0,017 µs µs µs 0,18 0,20 0,21 µs µs µs 0,06 0,075 0,085 µs µs µs Eon 0,20 0,35 0,40 mJ mJ mJ IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 8,2 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,20 1,50 1,60 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 350 250 A A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC 0,75 0,85 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,70 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2014-03-13 approvedby:AKDA revision:3.1 2 -40 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules F3L50R06W1E3_B11 Diode、インバータ/Diode,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 600 V IF 50 A IFRM 100 A I²t 370 330 電気的特性/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,95 VF 1,55 1,50 1,45 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 74,0 87,0 91,0 A A A IF = 50 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 2,30 4,70 5,10 µC µC µC IF = 50 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,70 1,30 1,50 mJ mJ mJ 順電圧 Forwardvoltage IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 50 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V 逆回復電荷量 Recoveredcharge 逆回復損失 Reverserecoveryenergy V V V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 1,00 1,10 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,85 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2014-03-13 approvedby:AKDA revision:3.1 3 -40 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules F3L50R06W1E3_B11 ダイオード、D5-D6/Diode,D5-D6 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 600 V IF 50 A IFRM 100 A I²t 560 500 電気的特性/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,90 VF 1,50 1,45 1,40 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 74,0 87,0 91,0 A A A IF = 50 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 2,30 4,70 5,10 µC µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 50 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,70 1,30 1,50 mJ mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 0,80 0,90 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,70 K/W 順電圧 Forwardvoltage IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 50 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V 逆回復電荷量 Recoveredcharge 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 V V V °C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω 損失 Powerdissipation TC = 25°C B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2014-03-13 approvedby:AKDA revision:3.1 4 kΩ 5 % 20,0 mW テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules F3L50R06W1E3_B11 モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 沿面距離 Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex VISOL CTI min. 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch 保存温度 Storagetemperature nH RCC'+EE' 2,00 mΩ Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 20 質量 Weight G dateofpublication:2014-03-13 approvedby:AKDA revision:3.1 5 max. 15 -40 preparedby:CM typ. LsCE Tstg Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. kV 2,5 24 125 °C 50 N g テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules F3L50R06W1E3_B11 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 100 100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 80 80 70 70 60 60 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 90 IC [A] IC [A] 90 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 伝達特性IGBT- インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 80 90 100 スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=8.2Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=300V 100 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 2,5 80 70 2,0 E [mJ] IC [A] 60 50 1,5 40 1,0 30 20 0,5 10 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0,0 12 preparedby:CM dateofpublication:2014-03-13 approvedby:AKDA revision:3.1 6 0 10 20 30 40 50 60 IC [A] 70 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules F3L50R06W1E3_B11 スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=50A,VCE=300V 過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 6,0 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 5,0 ZthJH : IGBT 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 4,0 3,0 2,0 0,1 1,0 0,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,083 0,193 0,586 0,588 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 10 20 30 40 50 RG [Ω] 60 70 80 0,01 0,0001 90 0,1 1 10 順電圧特性Diode、インバータ（typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 110 100 IC, Modul IC, Chip 100 90 90 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 80 80 70 70 60 60 IF [A] IC [A] 0,01 t [s] 逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=8.2Ω,Tvj=150°C 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,001 0 100 200 300 400 500 VCE [V] 600 700 0 800 preparedby:CM dateofpublication:2014-03-13 approvedby:AKDA revision:3.1 7 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V] テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules F3L50R06W1E3_B11 スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=8.2Ω,VCE=300V スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=50A,VCE=300V 2,8 2,4 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 2,4 2,0 2,0 1,6 E [mJ] E [mJ] 1,6 1,2 1,2 0,8 0,8 0,4 0,4 0,0 0 10 20 30 40 50 60 IF [A] 70 80 90 0,0 100 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0 10 20 30 40 50 RG [Ω] 60 70 80 90 順電圧特性ダイオード、D5-D6（typical) forwardcharacteristicofDiode,D5-D6(typical) IF=f(VF) 10 100 ZthJH : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 80 70 IF [A] ZthJH [K/W] 60 1 50 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,157 0,337 0,758 0,598 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 preparedby:CM dateofpublication:2014-03-13 approvedby:AKDA revision:3.1 8 0,0 0,4 0,8 1,2 VF [V] 1,6 2,0 2,4 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules F3L50R06W1E3_B11 スイッチング損失ダイオード、D5-D6(Typical) switchinglossesDiode,D5-D6(typical) Erec=f(IF) RGon=8.2Ω,VCE=300V スイッチング損失ダイオード、D5-D6(Typical) switchinglossesDiode,D5-D6(typical) Erec=f(RG) IF=50A,VCE=300V 2,8 2,4 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 2,4 2,0 2,0 1,6 E [mJ] E [mJ] 1,6 1,2 1,2 0,8 0,8 0,4 0,4 0,0 0 10 20 30 40 50 60 IF [A] 70 80 90 0,0 100 過渡熱インピーダンスダイオード、D5-D6 transientthermalimpedanceDiode,D5-D6 ZthJH=f(t) 0 10 20 30 40 50 RG [Ω] 60 70 80 90 140 160 NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 10 100000 ZthJH : Diode Rtyp R[Ω] ZthJH [K/W] 10000 1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,118 0,26 0,617 0,505 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 10 preparedby:CM dateofpublication:2014-03-13 approvedby:AKDA revision:3.1 9 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules F3L50R06W1E3_B11 回路図/circuit_diagram_headline J パッケージ概要/packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2014-03-13 approvedby:AKDA revision:3.1 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules F3L50R06W1E3_B11 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CM dateofpublication:2014-03-13 approvedby:AKDA revision:3.1 11