MPSA56BK

MPSA56BK
MPSA56BK
IC
= 500 mA
hFE = 100
Tjmax = 150°C
General Purpose PNP Transistors
Universal-PNP-Transistoren
VCEO = 80 V
Ptot = 625 mW
Version 2016-05-27
±0.1
2 x 1.27
Dimensions - Maße [mm]
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Features
General Purpose
Straight Leads
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Gerade Anschlüsse
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1
RoHS
Pb
EE
WE
E BC
min 12.5
4.6
±0.1
4.6
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
EL
V
TO-92 (10D3)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Packed in bulk
5000
Weight approx.
0.18 g
Verpackt als Schüttgut
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA56
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
- VCEO
80 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
- VCBO
80 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
- VEBO
4V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
625 mW 2)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
- IC
500 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
- ICM
1A
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
- IBM
200 mA
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
hFE
hFE
100
100
–
–
–
–
- VCEsat
–
–
0.25 V
- VBE
–
–
1.2 V
- ICBO
–
–
100 nA
3
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis )
- IC = 10 mA, - VCE = 1 V
- IC = 100 mA, - VCE = 1 V
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 3)
- IC = 100 mA, - IB = 10 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung 3)
- IC = 100 mA, - VCE = 1 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
- VCB = 80 V, (E open)
1
2
3
MPSA56
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MPSA56BK
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
- IEB0
–
–
100 nA
fT
50 MHz
–
–
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
- VEB = 4 V, (C open)
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- IC = 100 mA, - VCE = 1 V, f = 100 MHz
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 200 K/W 1)
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
MPSA06
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
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Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG