MPSA56BK MPSA56BK IC = 500 mA hFE = 100 Tjmax = 150°C General Purpose PNP Transistors Universal-PNP-Transistoren VCEO = 80 V Ptot = 625 mW Version 2016-05-27 ±0.1 2 x 1.27 Dimensions - Maße [mm] Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Features General Purpose Straight Leads Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Universell anwendbar Gerade Anschlüsse Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1 RoHS Pb EE WE E BC min 12.5 4.6 ±0.1 4.6 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) EL V TO-92 (10D3) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in bulk 5000 Weight approx. 0.18 g Verpackt als Schüttgut Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MPSA56 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 80 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open - VCBO 80 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 4V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 2) Collector current – Kollektorstrom (dc) - IC 500 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - ICM 1A Peak Base current – Basis-Spitzenstrom - IBM 200 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. hFE hFE 100 100 – – – – - VCEsat – – 0.25 V - VBE – – 1.2 V - ICBO – – 100 nA 3 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) - IC = 10 mA, - VCE = 1 V - IC = 100 mA, - VCE = 1 V Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 3) - IC = 100 mA, - IB = 10 mA Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung 3) - IC = 100 mA, - VCE = 1 V Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom - VCB = 80 V, (E open) 1 2 3 MPSA56 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MPSA56BK Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. - IEB0 – – 100 nA fT 50 MHz – – Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom - VEB = 4 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - IC = 100 mA, - VCE = 1 V, f = 100 MHz Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 200 K/W 1) Recommended complementary NPN transistors Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren MPSA06 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG