MPSA92 MPSA92 IC = - 500 mA hFE = 25 Tjmax = 150°C High Voltage PNP Transistors Hochspannungs-PNP-Transistoren VCEO = - 300 V Ptot = 625 mW Version 2016-01-04 2 x 2.54 Dimensions - Maße [mm] Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Features High blocking voltage High collector current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Hohe Sperrspannung Hoher Kollektorstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1 RoHS Pb EE WE 18 9 16 E BC Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) EL V TO-92 (10D3) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 4000 Weight approx. 0.18 g Gegurtet im Ammo-Pack Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MPSA92 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 300 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open - VCBO 300 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 5V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 2) Collector current – Kollektorstrom (dc) - IC 500 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, - VCB = 200 V MPSA92 - ICB0 – – 250 nA - IEB0 – – 100 nA - VCEsat – – 500 mV - VBEsat – – 0.9 V Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IB = 0, - VEB = 3 V 3 Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) - IC = 20 mA, - IB = 2 mA MPSA92 3 Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ) - IC = 20 mA, - IB = 2 mA 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MPSA92 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. hFE hFE hFE 25 40 25 – – fT – 70 MHz – CCB0 – – 7 pF 1 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) - VCE = 10 V, - IC = 1 mA - VCE = 10 V, - IC = 10 mA - VCE = 10 V, - IC = 30 mA Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - VCE = 20 V, - IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität - VCB = 20 V, - IE = ie = 0, f = 1 MHz MPSA92 Thermal resistance junction – ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 200 K/W 2) Recommended complementary NPN transistors Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren MPSA42, MPSA44 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature ) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) 1 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG