BC846 ... BC850 BC846 ... BC850 IC = 100 mA hFE = 180/290/520 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCEO = 30...65 V Ptot = 250 mW Version 2016-02-02 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1 +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 0.4+0.1 -0.05 Type Code 2 1.9 RoHS Pb Mechanische Daten 1) Taped and reeled 2=E Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1 Mechanical Data 1) ±0.1 1=B Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EE WE 1 1.3±0.1 2.4 ±0.2 3 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) EL V ~ SOT-23 (TO-236) 3=C Dimensions - Maße [mm] 3000 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BC846 BC847 BC850 BC848 BC849 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V 45 V 30 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V 50 V 50 V 30 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6V 5V 2 Power dissipation – Verlustleistung Ptot 250 mW ) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 1 2 VCE = 5 V, IC = 10 µA Group A Group B Group C hFE hFE hFE – – – 90 150 270 – – – VCE = 5 V, IC = 2 mA Group A Group B Group C hFE hFE hFE 110 200 420 180 290 520 220 450 800 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC846 ... BC850 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. VCEsat VCEsat – – 90 mV 200 mV 250 mV 600 mV VBEsat VBEsat – – 700 mV 900 mV – – VBE VBE 580 mV – 660 mV – 700 mV 720 mV ICBO ICBO – – – – 15 nA 5 µA IEBO – – 100 nA fT – 300 MHz – CCBO – 3.5 pF 6 pF CEBO – 9 pF – 1 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2) VCE = 5 V, IC = 2 mA VCE = 5 V, IC = 10 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 30 V, (E open) VCE = 30 V, Tj = 125°C, (E open) Emitter-Base cutoff current VEB = 5 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 420 K/W 2) Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren BC856 ... BC860 Marking of available current gain groups Stempelung der lieferbaren Stromverstärkungsgruppen BC846A = 1A BC846B = 1B BC846C = 1C BC847A = 1E BC847B = 1F BC847C = 1G BC848A = 1E BC848B = 1F BC848C = 1G BC850A = 1E BC850B = 1F BC850C = 1G BC849A = 1E BC849B = 1F BC849C = 1G Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG