1N4933 ... 1N4937 1N4933 ... 1N4937 IFAV = 1 A VF < 1.2 V Tjmax = 150°C Fast Recovery Rectifier Diodes Gleichrichterdioden mit schnellem Sperrverzug VRRM = 50...600 V IFSM = 30/33 A trr < 200 ns Version 2015-11-03 -0.1 5.1 Type +0.5 ±0.1 Ø 0.77±0.07 Features Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendung Gleichrichtung mittlerer Frequenzen Beschaltungs- oder Bootstrapdioden Standardausführung 1) Besonderheit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 62.5 -4.5 Ø 2.6 Typical Application Rectification of medium frequencies, Snubber or Bootstrap diodes Commercial grade 1) EL V ~DO-41 / ~DO-204AC Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 5000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL: N/A Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1N4933 50 50 1N4934 100 100 1N4935 200 200 1N4936 400 400 1N4937 600 600 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 1 A 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 30/33 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N4933 ... 1N4937 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.2 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 100 µA VR = 4 V Cj 15 pF trr < 200 ns Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W 2 10 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 10-2 0.4 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 30a-(1a-1.2v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG