RAL1A

RAL1A ... RAL1M
RAL1A ... RAL1M
IFAV = 1 A
VF < 1.3 V
Tjmax = 175°C
Controlled Avalanche Fast Recovery SMD Rectifier Diodes
Schnelle SMD-Gleichrichterdioden mit Controlled Avalanche
VRRM = 50...1000 V
ERSM = 20 mJ
trr
< 150...500 ns
Version 2015-10-19
Typical Applications
Rectification of medium frequencies,
Snubber or Bootstrap diodes
Commercial grade 1)
1.6
0.4
RoHS
Pb
EE
WE
Features
Package compatible to SOD-87
High power dissipation
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung mittlerer Frequenzen
Beschaltungs- oder Bootstrapdioden
Standardausführung 1)
EL
V
~ DO-213AA
Plastic MiniMELF
Besonderheiten
Gehäuse kompatibel zu SOD-87
Hohe Leistungsabgabe
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
3.5
Mechanical Data 1)
0.4
Taped and reeled
2500 / 7“
Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
Gegurtet auf Rolle
0.04 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Marking:
1. red ring denotes “cathode” and “fast switching rectifier family”
2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below)
Kennzeichnung:
1. roter Ring kennzeichnet “Kathode” und “schnelle Gleichrichter”
2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten)
Maximum ratings2)
Type
Typ
Grenzwerte 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Reverse avalanche breakdown voltage
Sperrspannung im Durchbruch
VRSM [V] 3)
2. Cathode ring
2. Kathodenring
RAL1A
50
> 75
grey / grau
RAL1B
100
> 150
red / rot
RAL1D
200
> 250
orange / orange
RAL1G
400
> 450
yellow / gelb
RAL1J
600
> 650
green / grün
RAL1K
800
> 850
blue / blau
RAL1M
1000
> 1100
violet / violett
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C
IFAV
1 A 4)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
22/25 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
2.5 A2s
Non-repetitive peak reverse avalanche energy
Einmalige Impulsenergie in Sperr-Richtung
IRSM = 1 mA
TA = 25°C
ERSM
20 mJ
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
4
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
IRSM = 1 mA, TA = 25°C
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
RAL1A ... RAL1M
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 1 A
VF
< 1.3 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 3 µA
< 50 µA
VR = 4 V
Cj
4 pF
RAL1A...G
RAL1J
RAL1K...M
trr
trr
trr
< 150 ns
< 250 ns
< 500 ns
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 75 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT
< 40 K/W
10
120
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
1
80
Tj = 25°C
60
10-1
40
10-2
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
10-3
0.4
[°C]
1
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
10a-(0.5a-1.2v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
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Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG