BAS31, BAS35 BAS31, BAS35 Surface Mount Small Signal Dual Diodes Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2015-05-12 2.9 0.4+0.1 -0.05 +0.1 1.1 -0.2 ±0.1 Type Code 1 1.3±0.1 2.4 ±0.2 3 350 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 120 V Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 2 1.9 Power dissipation – Verlustleistung 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert ±0.1 Dimensions - Maße [mm] Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode BAS31, BAS35 Power dissipation – Verlustleistung 1) Ptot 350 mW 2) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom IFAV 200 mA 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 600 mA 2) IFSM IFSM 1A 2A VRRM 120 V Tj TS -55...+150°C -55...+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) 3 Forward voltage ) Durchlass-Spannung 3) Leakage current Sperrstrom 1 2 3 IF IF IF IF IF = = = = = 10 mA 50 mA 100 mA 200 mA 400 mA VF VF VF VF VF < 750 mV < 840 mV < 900 mV < 1.00 V < 1.25 V Tj = 25°C VR = 90 V IR < 100 nA Tj = 150°C VR = 90 V IR < 100 µA Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS31, BAS35 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 35 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 50 ns RthA < 400 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Outline – Gehäuse Pinning – Anschlussbelegung 3 1 Marking – Stempelung Dual diode, series connection Doppeldiode, Reihenschaltung 1 = A1 2 2 = K2 BAS31 = L21 3 = K1/A2 3 Dual diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode 1 1 = K1 2 120 2 = K2 BAS35 = L22 3 = A1/A2 10 [%] [A] 100 1 80 Tj = 125°C 60 -1 10 40 Tj = 25°C 10-2 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-3 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 1 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG