BI6-8 … BI6-12, DBI6-8 … DBI6-12 BI6-8 … BI6-12, DBI6-8 … DBI6-12 Single/Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers Ein-/Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter Version 2013-10-02 ±0.2 40 10 _ ~ ~ + 20 ~ 11 Type Typ 20±0.2 Ø 4.5 Ø 0.8 Nominal current Nennstrom 6A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 560, 800 V Metal case Metallgehäuse 40 x 20 x 10 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 35 g Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert 4x7.5 'BI' version without center lead 'BI'-Version ohne mittleren Anschluss Dimensions - Maße [mm] Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ 1) Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 2) BI6-8 1~ 560 800 DBI6-8 3~ 560 800 BI6-12 1~ 800 1200 DBI6-12 3~ 800 1200 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 30 A 3) Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 125 A Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 135 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 78 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 'BI' designates the single phase version, 'DBI' the three phase version 'BI' bezeichnet die Einphasen-Version, 'DBI' die Dreiphasen-Version Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BI6-8 … BI6-12, DBI6-8 … DBI6-12 Characteristics Kennwerte Max. current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech TA = 50°C IFAV 2.0 A Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C IFAV 6A Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 3 A VF < 1.05 V 4) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 4 K/W Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M4 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm 120 10 2 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 10 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 4 2 125a-(3a-1.05v) -2 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid for one diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG