KBPC5000FP ... KBPC5012FP KBPC5000FP ... KBPC5012FP Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2015-02-12 Nominal current Nennstrom 14.3 ±0.5 16.6 ±0.5 ±0.2 0.8 7.9 ~ ~ + 6.3 ~ + Ø 5.2 Alternating input voltage Eingangswechselspannung 7.3+0.7 - 0.1 ±0.5 16.6 Type 6.7 = 18.1±0.5 28.6±0.5 = 50 A 21.6±1 35...800 V Plastic case with alu bottom Plastikgehäuse mit Alu-Boden 28.6 x 28.6 x 7.3 [mm] Fast-on 1) Terminals Anschlüsse Weight approx. Gewicht ca. 17 g Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Dimensions - Maße [mm] Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 2) KBPC5000FP 35 50 KBPC5001FP 70 100 KBPC5002FP 140 200 KBPC5004FP 280 400 KBPC5006FP 420 600 KBPC5008FP 560 800 KBPC5010FP 700 1000 KBPC5012FP 800 1200 1 2 Solderable per MIL-STD-202, Method 208, terminal temperature not exceeding 260°C Lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208, Temperatur der Anschlussdrähte nicht höher als 260°C Valid per diode – Gültig pro Diode © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 KBPC5000FP ... KBPC5012FP Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 90 A 1) Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 400/450 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 800 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Characteristics Kennwerte Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 50 A 46 A Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 25 A VF < 1.1 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 1.2 K/W Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 120 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm 10 3 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 2 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10 400a-(25a-1,1v) -1 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird Valid per diode – Gültig pro Diode 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG