SBCT2020

SBCT2020 ... SBCT20100
SBCT2020 ... SBCT20100
Schottky Barrier Rectifier Diodes – Common Cathode
Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Gemeinsame Kathode
Version 2013-05-07
14.9±0.7
±0.2
4.5
Ø 3.8
4
2.8±0.3
10.1±0.3
±0.2
Type
Typ
±0.1
0.42
4
3.9±0.3
2.67
13.9±0.3
1 2 3
±0.2
Nominal Current
Nennstrom
8.7±0.3
1.2
±0.2
1.3±0.1
1 2 3
±0.2
0.8
20 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
20...100 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse
TO-220AB
Weight approx.
Gewicht ca.
2.2g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
2.54±0.1
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Grenz- und Kennwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1) 2)
IF = 5 A
IF = 10 A
SBCT2020
20
20
< 0.52
< 0.55
SBCT2030
30
30
< 0.52
< 0.55
SBCT2040
40
40
< 0.52
< 0.55
SBCT2045
45
45
< 0.52
< 0.55
SBCT2050
50
50
< 0.63
< 0.70
SBCT2060
60
60
< 0.63
< 0.70
SBCT2090
90
90
< 0.77
< 0.85
SBCT20100
100
100
< 0.77
< 0.85
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
IFAV
IFAV
10 A 1)
20 A 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
30 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBCT2020... TA = 25°C
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBCT2060
IFSM
130/150 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBCT2080... TA = 25°C
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBCT20100
IFSM
110/125 A 2)
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
i2t
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
1
1
2
TA = 25°C
80 A2s 2)
Tj
Tj
-50...+150°C
≤ 200°C
Tj = 25°C
Per diode − Pro Diode
Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SBCT2020 ... SBCT20100
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
IR
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
< 300 µA
< 7 mA
RthC
120
< 1.5 K/W 1)
10 2
[%]
[A]
100
SBCT2020...SBCT2045
10
80
SBCT2050, SBCT2060
1
60
40
SBCT2080, SBCT20100
10 -1
20
IF
IFAV
0
10 -2
0
TC
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses
1
2
0
VF
0.4
0.6
[V]
1.0
Forward ch aracteristics (typ ical valu es)
Durch lasskenn linien (typ ische Werte)
Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG