SBCT2020 ... SBCT20100 SBCT2020 ... SBCT20100 Schottky Barrier Rectifier Diodes – Common Cathode Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Gemeinsame Kathode Version 2013-05-07 14.9±0.7 ±0.2 4.5 Ø 3.8 4 2.8±0.3 10.1±0.3 ±0.2 Type Typ ±0.1 0.42 4 3.9±0.3 2.67 13.9±0.3 1 2 3 ±0.2 Nominal Current Nennstrom 8.7±0.3 1.2 ±0.2 1.3±0.1 1 2 3 ±0.2 0.8 20 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 20...100 V Plastic case – Kunststoffgehäuse TO-220AB Weight approx. Gewicht ca. 2.2g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen 2.54±0.1 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) 2) IF = 5 A IF = 10 A SBCT2020 20 20 < 0.52 < 0.55 SBCT2030 30 30 < 0.52 < 0.55 SBCT2040 40 40 < 0.52 < 0.55 SBCT2045 45 45 < 0.52 < 0.55 SBCT2050 50 50 < 0.63 < 0.70 SBCT2060 60 60 < 0.63 < 0.70 SBCT2090 90 90 < 0.77 < 0.85 SBCT20100 100 100 < 0.77 < 0.85 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV IFAV 10 A 1) 20 A 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 30 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBCT2020... TA = 25°C Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBCT2060 IFSM 130/150 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBCT2080... TA = 25°C Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBCT20100 IFSM 110/125 A 2) Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms i2t Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb 1 1 2 TA = 25°C 80 A2s 2) Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C Tj = 25°C Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBCT2020 ... SBCT20100 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse < 300 µA < 7 mA RthC 120 < 1.5 K/W 1) 10 2 [%] [A] 100 SBCT2020...SBCT2045 10 80 SBCT2050, SBCT2060 1 60 40 SBCT2080, SBCT20100 10 -1 20 IF IFAV 0 10 -2 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses 1 2 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 Forward ch aracteristics (typ ical valu es) Durch lasskenn linien (typ ische Werte) Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG