FR20AAD2 ... FR20GKD2 FR20AAD2 ... FR20GKD2 Superfast Silicon Rectifiers – Single Diode / Two Polarities Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Einzeldiode / Zwei Polaritäten Version 2012-10-01 1.2 4.5 Nominal current Nennstrom 10.25 ±0.5 ±0.2 4 Type Typ 1 2 3 1.3 0.8 4 4 K 1 2 3 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...400 V Plastic case Kunststoffgehäuse TO-263AB D²PAK Weight approx. Gewicht ca. 5.08 0.4 20 A 1.8 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert A 1 2 3 Dimensions - Maße [mm] Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Maximum ratings and Characteristics Type / Typ Polarity / Polarität Grenz- und Kennwerte Repet. peak reverse voltage Surge peak reverse volt. Period. Spitzensperrspanng. Stoßspitzensperrspanng. VRRM [V] VRSM [V] K (Standard) A (Reverse) FR20AKD2 FR20AAD2 50 FR20BKD2 FR20BAD2 FR20DKD2 FR20GKD2 Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 20 A 50 < 0.84 < 0.96 100 100 < 0.84 < 0.96 FR20DAD2 200 200 < 0.84 < 0.96 FR20GAD2 400 400 < 0.84 < 0.96 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 20 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 375/390 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 680 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C +200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 2 Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 FR20AAD2 ... FR20GKD2 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 250 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 200 ns Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC 120 < 1.5 K/W 3 10 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses 2 400a-(5a-0,8v) -1 http://www.diotec.com/ 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG