F1200A ... F1200G F1200A ... F1200G Superfast Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2011-03-14 Nominal Current Nennstrom ±0.1 7,5 ±0.1 62.5 ±0.5 Ø8 Type Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] 12 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...400 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style Weight approx. Gewicht ca. 1.3 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] F1200A 50 50 F1200B 100 100 F1200D 200 200 F1200G 400 400 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 12 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 375/390 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 680 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C +200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 F1200A ... F1200G Characteristics Kennwerte Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C Leakage current – Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug IF = 5 A VF < 0.82 V Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 125°C IR < 10 µA typ. 40 µA IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A trr < 200 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 10 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 2 K/W 120 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TA 100 50 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 400a-(5a-0,8v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 104 [µA] 103 Tj = 150°C 102 Tj = 125°C 10 Tj = 25°C IR 1 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. reverse voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG