SBT1820 … SBT1860 SBT1820 … SBT1860 Schottky Barrier Rectifiers – Single Diode Schottky-Barrier-Gleichrichter – Einzeldiode Version 2013-06-18 Nominal current – Nennstrom ±0.3 ±0.3 20...60 V Plastic case – Kunststoffgehäuse TO-220AC Weight approx. – Gewicht ca. 3.9 13.9±0.3 0.42±0.1 3 18 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 4 ±0.3 Type Typ 1 2.67±0.2 2.8 Ø 3.8±0.2 4 8.7 ±0.2 4.5 14.9±0.7 1.2 10.1 ±0.3 ±0.2 ±0.1 1.3 1 3 1.8 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen ±0.2 0.8 Green Molding Halogen-Free1 ±0.1 5.08 Dimensions - Maße [mm] Typical Applications Typische Anwendungen 2 Bypass Diodes – best trade-off between VF and IR ) Free-Wheeling Diodes High Frequent Output Rectification Bypass-Dioden – optimales VF und IR 2) Freilaufdioden Hochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung Maximum ratings and Characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Repetitive / Surge peak reverse voltage Periodische- / Spitzen-Sperrspannung VRRM [V] / VRSM [V] Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 125°C Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 25°C IF = 5 A IF = 5 A IF = 18 A SBT1820 20 typ. 0.33 < 0.50 < 0.58 SBT1830 30 typ. 0.33 < 0.50 < 0.58 SBT1840 40 typ. 0.33 < 0.50 < 0.58 SBT1845 45 typ. 0.33 < 0.50 < 0.58 SBT1850 50 typ. 0.49 < 0.65 < 0.70 SBT1860 60 typ. 0.49 < 0.65 < 0.70 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 18 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 55 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 280/320 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb 1 2 1 390 A2s Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C From 4Q/2011 – Ab 4Q/2011 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes” Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBT1820 … SBT1860 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse IR IR < 500 µA < 20 mA RthC < 1.5 K/W 102 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 10-2 0 0 TC 100 50 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 102 Tj = 150°C [mA] Tj = 125°C 101 Tj = 100°C 1 Tj = 75°C Tj = 50°C 10-1 IR Tj = 25°C -2 10 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG