SBJ1820

SBJ1820 ... SBJ1845
SBJ1820 ... SBJ1845
Schottky Barrier Rectifier Diodes – Single Diode
Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Einzeldiode
Version 2012-02-10
±0.1
13.6
0.6
±0.3
3
max 1.7
1
2.6±0.2
1.3
1
3
ITO-220AC
Weight approx.
Gewicht ca.
1.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
0.7±0.2
5.08±0.1
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
20...45 V
Isolated plastic case
Isoliertes Kunststoffgehäuse
8.4
Type
Typ
18 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
3.8
15
4.5±0.2
±0.2
±0.3
Ø 3.2
2.7
2.6±0.2
Nominal current
Nennstrom
±0.2
10.1±0.3
Grenz- und Kennwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
IF = 5 A
IF = 18 A
SBJ1820
20
20
< 0.50
< 0.58
SBJ1830
30
30
< 0.50
< 0.58
SBJ1840
40
40
< 0.50
< 0.58
SBJ1845
45
45
< 0.50
< 0.58
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
IFAV
18 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
55 A 2)
SBJ1820... TA = 25°C
SBJ1845
IFSM
280/320 A
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
1
2
i2t
390 A2s
Tj
Tj
-50...+150°C
≤ 200°C
Tj = 25°C
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SBJ1820 ... SBJ1845
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
IR
IR
< 500 µA
< 20 mA
RthC
< 3.0 K/W
102
120
[%]
[A]
100
SBJ1820...SBJ1845
10
80
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
0
10
-2
0
TC
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
2
http://www.diotec.com/
0
0.4
0.6
1.0
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
© Diotec Semiconductor AG