SBJ1820 ... SBJ1845 SBJ1820 ... SBJ1845 Schottky Barrier Rectifier Diodes – Single Diode Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Einzeldiode Version 2012-02-10 ±0.1 13.6 0.6 ±0.3 3 max 1.7 1 2.6±0.2 1.3 1 3 ITO-220AC Weight approx. Gewicht ca. 1.8 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 0.7±0.2 5.08±0.1 Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ 20...45 V Isolated plastic case Isoliertes Kunststoffgehäuse 8.4 Type Typ 18 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3.8 15 4.5±0.2 ±0.2 ±0.3 Ø 3.2 2.7 2.6±0.2 Nominal current Nennstrom ±0.2 10.1±0.3 Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 18 A SBJ1820 20 20 < 0.50 < 0.58 SBJ1830 30 30 < 0.50 < 0.58 SBJ1840 40 40 < 0.50 < 0.58 SBJ1845 45 45 < 0.50 < 0.58 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 18 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 55 A 2) SBJ1820... TA = 25°C SBJ1845 IFSM 280/320 A Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb 1 2 i2t 390 A2s Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBJ1820 ... SBJ1845 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse IR IR < 500 µA < 20 mA RthC < 3.0 K/W 102 120 [%] [A] 100 SBJ1820...SBJ1845 10 80 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 10 -2 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 2 http://www.diotec.com/ 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG