SBT1020 ... SBT10100 SBT1020 ... SBT10100 Schottky Barrier Rectifier Diodes – Single Diode Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Einzeldiode Version 2010-03-31 0.42 ±0.4 13.9±0.3 2.67 ±0.2 2.8±0.3 4 8.7±0.3 Ø 3.8±0.2 4 Type Typ 1 Nominal current Nennstrom 3 ±0.1 1.3 10 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 20...100 V Plastic case – Kunststoffgehäuse TO-220AC Weight approx. Gewicht ca. 3.9±0.3 4.5±0.2 14.9±0.4 1.2±0.2 10.1±0.3 1 3 0.8±0.2 1.8 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen 5.08±0.1 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 10 A SBT1020 20 20 < 0.48 < 0.55 SBT1030 30 30 < 0.48 < 0.55 SBT1040 40 40 < 0.48 < 0.55 SBT1045 45 45 < 0.48 < 0.55 SBT1050 50 50 < 0.63 < 0.70 SBT1060 60 60 < 0.63 < 0.70 SBT1090 90 90 < 0.78 < 0.85 SBT10100 100 100 < 0.78 < 0.85 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 10 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 30 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBT1020... TA = 25°C SBT1060 IFSM 135/150 A Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBT1090... TA = 25°C SBT10100 IFSM 115/125 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb 1 1 i2t 80 A2s Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBT1020 ... SBT10100 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse IR IR < 300 µA < 7 mA RthC 120 < 3 K/W 102 [%] [A] SBT1020...SBT1045 100 10 SBT1050, SBT1060 80 1 60 40 SBT1080, SBT10100 10-1 20 IF IFAV 0 10 -2 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses 2 http://www.diotec.com/ 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG