SBT1020 ... SBT10100 SBT1020 ... SBT10100 Schottky Barrier Rectifiers – Single Diode Schottky-Barrier-Gleichrichter – Einzeldiode Version 2007-06-27 Nominal current Nennstrom 3.8 Type Typ 13.2 1 2 3 4 3.4 15.7 4 3 10±0.2 1.5 10 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 20...100 V Plastic case – Kunststoffgehäuse TO-220AC Weight approx. Gewicht ca. 1 2 3 1.8 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 0.9 Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen 5.08 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 10 A SBT1020 20 20 < 0.48 < 0.55 SBT1030 30 30 < 0.48 < 0.55 SBT1040 40 40 < 0.48 < 0.55 SBT1045 45 45 < 0.48 < 0.55 SBT1050 50 50 < 0.63 < 0.70 SBT1060 60 60 < 0.63 < 0.70 SBT1090 90 90 < 0.78 < 0.85 SBT10100 100 100 < 0.78 < 0.85 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 10 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 30 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBT1020... TA = 25°C SBT1060 IFSM 135/150 A Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBT1090... TA = 25°C SBT10100 IFSM 115/125 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur at reduced reverse voltage – bei reduzierter Sperrspannung in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb VR ≤ 80% VRRM VR ≤ 50% VRRM 1 1 i2t 80 A2s Tj Tj Tj -50...+150°C ≤ 180°C ≤ 200°C Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBT1020 ... SBT10100 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse IR IR < 300 µA < 7 mA RthC < 3 K/W 102 120 [%] [A] SBT1020...SBT1045 100 10 SBT1050, SBT1060 80 1 60 40 SBT1080, SBT10100 -1 10 20 IF IFAV 0 10-2 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 2 http://www.diotec.com/ 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG