モノリシック型 ホールIC EMシリーズ EM-1791 梱包は5,000個/巻のテ−ピングとなります。 EM-1791はホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型スイッチタイプホールICです。ホール素子はパルス駆動されているの でVDD=1.85V時平均消費電流6.5μAときわめて低消費電力です。さらにS,N極用の２つの出力を有しています。 両極検知 電源電圧 ホール素子 高感度 出力形式 小型表面実装 S,N極用2出力 1.6∼5.5Ｖ パルス駆動 Bop：2.5mT CMOS形式 S,N極用2出力 パッケージ 注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。 ●磁電変換特性 S or N VOUT 1 VOUT 2 H H VOH VOH マーク面 Bh1 Bh2 L VOL N or S 0 印加磁束の方向 Brp1 Bop1 L S極 磁束密度 最 小 最 大 単 磁束密度 1：VDD 位 電 源 電 圧 VDD −0.1 6.0 V 出 力 電 流 IOUT −0.5 ＋0.5 mA 保 存 温 度 TSTG −40 ＋125 ℃ 記 号 最 小 標 準 最 大 Switch ●推奨動作条件 項 目 単 源 電 圧 VDD 1.6 1.85 5.5 V 動 作 温 度 Topr −30 ＋25 ＋85 ℃ 出力H→L磁束密度 出力L→H磁束密度 測定条件 最小 標準 最大 Bop1 *1.4 2.5 3.2 Bop2 −3.2 −2.5 *−1.4 Brp1 1.2 2.0 *3.0 Brp2 *−3.0 −2.0 −1.2 ヒ ス テリシ ス 幅 Bh1,Bh2 0.5 50 パルス駆動周期 Tp 出力High電圧 VOH Io=−0.2mA 出力Low電圧 VOL Io=＋0.2mA 電 IDD 平均値 源 電 流 VDD −0.4 単位 mT 項 目 記号 出力H→L磁束密度 IBopNI 出力L→H磁束密度 IBrpNI ヒ ス テリシ ス 幅 IBhNI mT 4：VSS 測 BopS BrpS 定 条 件 最小 標準 最大 単位 1.3 2.5 3.5 mT 1.1 2.0 3.3 mT BhS 0.5 注）本特性は設計保証になります。 0.4 V 9 μA ●外付け部品推奨回路 VDD CMOS出力 OUT1 VDD EM-1791 1 ［mT］=10［Gauss］ ※ 「*」印の特性は設計保証値になります。 ※ 磁束密度はパッケージ上面がS極になる場合を正極とし、 OUT1が応答します。 （Bop1,Brp1） パッケージ上面がN極になる場合を負極とし、 OUT2が応答します。 （Bop2,Brp2） 43 Schmitt Output Trigger Stage & Latch ms V 6.5 Amplifier ●磁気特性② （Ta=−30∼＋85℃ VDD=1.85V） mT 100 3：OUT2 （N極） Oscillator Hall Chopper & Element Stabilizer Timing Logic ●磁気特性①及び電気的特性（Ta=25℃ VDD=1.85V） 記号 2：OUT1 （S極） 位 電 項 目 0 Brp2 Dynamic Offset Cancellation 記 号 Bop2 N極 ●回路構成 ●絶対最大定格（Ta=25℃） 項 目 VOL OUT2 CMOS出力 外付けコンデンサ 0.1μF VSS GND mT EM-1791 •製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。 a ●（参考）ランド形状（単位：mm） 2.1 1.3 0.25 ●外形寸法図（単位：ｍｍ） 0.3 1 2.1±0.2 1.25 φ0.3 Sensor center 0∼0.1 0.90 2 0.50 5° 0.1 Sensor center 5° 0.4 ＋0.1 0.55−0 0.3 0.25 5° 4 0.05 5° 端子番号 端子名称 VDD 1 OUT1 2 OUT2 3 VSS 4 1.90 3 備考 機能 電源 信号出力 信号出力 グラウンド S極 N極 注１）センサ中心はφ0.3mmの 円内に位置します。 注２）公差は特に定める以外は ±0.1mmとします。 注３）リード平坦度：端子間の スタンドオフの差は最大 0.1mmとします。 注４）センサ感磁部はマーキング 面からの深さ0.4mm(typ.) に位置します。 ●動作タイミング f 1.30 ●パルス駆動消費電流（VDD=1.85V） IDD IDD 50ms（typ.） t B Bop t B 146μs（typ.） IDD ON （TYP＝1.8mA） j Brp VOUT High 48.8μs （typ.） t IDD t （TYP＝6.5μA） 48.8μs （typ.） IDD OFF （TYP＝1.3μA） VOUT High Time Low Low Operating Point Timing t Releasing Point Timing t 磁界判定結果は、 内部回路OFF （IDD OFF） 直前に内部データとして保持され、 それから48.8μs経って出力端子に結果を出力します。 ●動作磁束密度温度特性 ●使用電圧範囲 動作磁束密度［mT］ 電源電圧［V］ Bop1 3 5 4 3 2 1 0 −40 n 4 6 2 Brp1 S極 1 0 Brp2 N極 −2 −3 −20 0 20 40 周囲温度［℃］ 60 80 100 p VDD＝1.85V −1 −4 −40 o Bop2 −20 0 20 40 周囲温度［℃］ 60 80 100 44 重要注意事項 ● 本書に記載された製品、および、製品の仕様につきましては、製品改善のために予告 なく変更することがあります。従いまして、ご使用を検討の際には、本書に掲載した 情報が最新のものであることを弊社営業担当、あるいは弊社特約店営業担当にご確認 ください。 ● 本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、 半導体製品の動作例、応用例を説明するものです。お客様の機器設計において本書に記 載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用される 場合は、お客様の責任において行ってください。本書に記載された周辺回路、応用回路、 ソフトウェアおよびこれらに関連する情報の使用に起因してお客様または第三者に生 じた損害に対し、弊社はその責任を負うものではありません。また、当該使用に起因す る、工業所有権その他の第三者の所有する権利に対する侵害につきましても同様です。 ● 本書記載製品が、外国為替および、外国貿易管理法に定める戦略物資（役務を含む） に該当する場合、輸出する際に同法に基づく輸出許可が必要です。 ● 医療機器、安全装置、航空宇宙用機器、原子力制御用機器など、その装置・機器の故 障や動作不良が、直接または間接を問わず、生命、身体、財産等へ重大な損害を及ぼす ことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用さ れる場合は、必ず事前に弊社代表取締役の書面による同意をお取りください。 ● この同意書を得ずにこうした用途に弊社製品を使用された場合、弊社は、その使用か ら生ずる損害等の責任を一切負うものではありませんのでご了承ください。 ● お客様の転売等によりこの注意事項の存在を知らずに上記用途に弊社製品が使用され、 その使用から損害等が生じた場合は全てお客様にてご負担または補償して頂きますの でご了承下さい。 2013 年 2 月 1 日現在