2SA1294 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3263とコンプリメンタリ) VCEO −230 ICBO VCB＝−230V −100max μA V IEBO VEB＝−5V −100max μA IC＝−25mA −230min V −5 V V(BR)CEO IC −15 A hFE VCE＝−4V, IC＝−5A IB −4 IC＝−5A, IB＝−0.5A VEBO 130(Tc＝25℃) PC 150 Tj −55∼＋150 Tstg A VCE(sat) W fT ℃ COB ℃ ※ランク O(50∼100), Y(70∼140) 50min※ −2.0max 35typ VCE＝−12V, IE＝2A pF RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –60 12 –5 –10 5 –500 500 0.35typ 1.50typ 0.30typ 00 mA –30 –10 0m –20 A 0mA –1 00 mA –5 –50mA –2 –1 I C =–10A I B =–20mA 0 –1 (V CE = – 4V) –15 –2 –3 –10 12 5˚C （ケ 25 ース ˚C（ 温度 ケー ） ス温 −3 度） 0˚C （ケ ース 温度 ） コレクタ電流 I C (A) –5 0 1.4 E .0A コレクタ電流 I C (A) –1 5.45±0.1 C I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） – 3 A 0.65 +0.2 -0.1 製品質量 約6.0g イ．品名 ロ．ロット番号 V CE ( sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ） コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) –3 .0A –2 .0 A .5 2 3 B VCC (V) –1 ø3.2±0.1 5.45±0.1 I C – V CE 特性（代 表 例 ） 2.0±0.1 1.05 +0.2 -0.1 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） –15 イ 4.8±0.2 ロ V MHz 500typ VCB＝−10V, f＝1MHz 15.6±0.4 9.6 1.8 V 単位 2.0 −230 規格値 4.0 VCBO 外形図 MT-100(TO3P) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 19.9±0.3 単 位 4.0max ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 20.0min ■絶対最大定格 用途：オーディオ、一般用 5.0±0.2 LAPT –5 –5A 0 –4 0 –0.5 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) –1.0 –1.5 0 –2.0 0 ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性（代表 例 ） –2 –2.5 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） (V CE = – 4V) 200 –1 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V C E = – 4V) 200 3 –0.1 –0.5 –1 –5 –10 –15 過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W) 直流電流増幅率 h F E 50 10 –0.02 25 ˚C 100 – 30 ˚C 50 10 –0.02 –0.1 コレクタ電流 I C (A) –0.5 –1 –5 –10 –15 1 0.5 0.1 f T – I E 特性（代 表 例 ） 10 AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） 10 P c – Ta定 格 m s –10 100 DC 熱 板 付 最大許容損失 P C (W) 放 20 –1 –0.5 大 p 限 Ty –5 無 40 1000 2000 130 –40 60 100 時間 t(ms) (V CE = – 12V) 遮断周波数 f T (MH Z ) 1 コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) 直流電流増幅率 h F E 125 ˚C Typ 100 50 放熱板なし 自然空冷 –0.1 0 0.02 0.1 1 エミッタ電流 I E (A) 10 –0.05 –3 –10 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –300 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 15