2sa1303 ds jp

2SA1303
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3284とコンプリメンタリ)
V
IEBO
VEB=−5V
−100max
μA
−5
V
V(BR)CEO
IC=−25mA
−150min
V
−14
A
hFE
A
VCE(sat)
IC=−5A, IB=−0.5A
W
fT
VCE=−12V, IE=2A
50typ
MHz
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
400typ
pF
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
V
1.05 +0.2
-0.1
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–60
12
–5
–10
5
–500
500
0.25typ
0.85typ
0.2typ
I B =–20mA
0
0
–1
–2
–3
0
–4
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
25 ˚C
100
50
–1
– 30 ˚C
50
30
–0.02
–5 –10 –14
–0.1
–0.5
–1
–5
–10 –14
f T – I E 特性(代 表 例 )
温度
)
度)
1
0.5
0.1
1
10
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
–2
3
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
Typ
–1
θ j-a – t特 性
(V C E = – 4V)
200
–0.5
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
200
100
1000 2000
時間 t(ms)
ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
–40
大
放
熱
板
付
遮断周波数 f T (MH Z )
限
–0.2
–3
無
エミッタ電流 I E (A)
10
s
–1
–0.5
1
C
–5
20
0.1
1m
40
100
s
T
D
s
0m
–10
yp
m
10
10
60
0
0.02
130
最大許容損失 P C (W)
80
コレクタ電流 I C (A )
直流電流増幅率 h FE
0
–1.0
ベース電流 I B (A)
(V CE = – 4V)
–0.1
ス温
25
–5A
h FE – I C 特性(代表 例 )
20
–0.02
ケー
I C =–10A
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
100
–5
C(
–1
–10
5˚
–50mA
–4
–2
12
–10 0mA
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
–1 50 m A
–8
(V CE = – 4V)
–14
mA
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
–200
1.4
E
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
–3
00
–6 mA
00
m
A
–7
–12
C
製品質量 約6.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
I C – V CE 特性(代 表 例 )
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
VCC
(V)
A
A
m
m
mA
00
00 00
–3
–5 –4
2
3
ース
−55∼+150
Tstg
ø3.2±0.1
ロ
(ケ
150
Tj
イ
2.0±0.1
0˚C
125(Tc=25℃)
PC
−2.0max
4.8±0.2
−3
−3
IB
50min※
VCE=−4V, IC=−5A
度)
VEBO
15.6±0.4
9.6
1.8
μA
5.0±0.2
−100max
ス温
−150
VCB=−150V
ケー
VCEO
ICBO
2.0
V
単位
4.0
−150
規格値
19.9±0.3
VCBO
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
4.0max
単 位
IC
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
˚C(
LAPT
50
放熱板なし
自然空冷
–10
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
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