2SA1303 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3284とコンプリメンタリ) V IEBO VEB＝−5V −100max μA −5 V V(BR)CEO IC＝−25mA −150min V −14 A hFE A VCE(sat) IC＝−5A, IB＝−0.5A W fT VCE＝−12V, IE＝2A 50typ MHz ℃ COB VCB＝−10V, f＝1MHz 400typ pF ℃ ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) V 1.05 +0.2 -0.1 5.45±0.1 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –60 12 –5 –10 5 –500 500 0.25typ 0.85typ 0.2typ I B =–20mA 0 0 –1 –2 –3 0 –4 0 –0.2 –0.4 –0.6 –0.8 25 ˚C 100 50 –1 – 30 ˚C 50 30 –0.02 –5 –10 –14 –0.1 –0.5 –1 –5 –10 –14 f T – I E 特性（代 表 例 ） 温度 ） 度） 1 0.5 0.1 1 10 コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) –2 3 過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W) 直流電流増幅率 h F E 125 ˚C Typ –1 θ j-a – t特 性 (V C E = – 4V) 200 –0.5 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 200 100 1000 2000 時間 t(ms) ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） P c – Ta定 格 (V CE = – 12V) –40 大 放 熱 板 付 遮断周波数 f T (MH Z ) 限 –0.2 –3 無 エミッタ電流 I E (A) 10 s –1 –0.5 1 C –5 20 0.1 1m 40 100 s T D s 0m –10 yp m 10 10 60 0 0.02 130 最大許容損失 P C (W) 80 コレクタ電流 I C (A ) 直流電流増幅率 h FE 0 –1.0 ベース電流 I B (A) (V CE = – 4V) –0.1 ス温 25 –5A h FE – I C 特性（代表 例 ） 20 –0.02 ケー I C =–10A コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 100 –5 C（ –1 –10 5˚ –50mA –4 –2 12 –10 0mA コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) –1 50 m A –8 (V CE = – 4V) –14 mA コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) –200 1.4 E I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） –3 00 –6 mA 00 m A –7 –12 C 製品質量 約6.0g イ．品名 ロ．ロット番号 V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ） I C – V CE 特性（代 表 例 ） 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 B VCC (V) A A m m mA 00 00 00 –3 –5 –4 2 3 ース −55∼＋150 Tstg ø3.2±0.1 ロ （ケ 150 Tj イ 2.0±0.1 0˚C 125(Tc＝25℃) PC −2.0max 4.8±0.2 −3 −3 IB 50min※ VCE＝−4V, IC＝−5A 度） VEBO 15.6±0.4 9.6 1.8 μA 5.0±0.2 −100max ス温 −150 VCB＝−150V ケー VCEO ICBO 2.0 V 単位 4.0 −150 規格値 19.9±0.3 VCBO 外形図 MT-100(TO3P) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 4.0max 単 位 IC ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 20.0min ■絶対最大定格 用途：オーディオ、一般用 ˚C（ LAPT 50 放熱板なし 自然空冷 –10 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 17