2SA1492 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3856とコンプリメンタリ) −100max μA V IEBO VEB＝−6V −100max μA −6 V V(BR)CEO IC＝−50mA −180min V −15 A hFE −4 IB 130(Tc＝25℃) PC 150 Tj −55∼＋150 Tstg 50min※ VCE＝−4V, IC＝−3A A VCE(sat) IC＝−5A, IB＝−0.5A fT VCE＝−12V, IE＝0.5A 20typ MHz ℃ COB VCB＝−10V, f＝1MHz 500typ pF ℃ ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) 5.45±0.1 IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –40 4 –10 –10 5 –1 1 0.6typ 0.9typ 0.2typ –50mA –1 –5 I C =–10A I B =–20mA 12 –5 –10 （ケ ース 温度 ） （ケー ス温度 ） −30 ˚C （ ケ ース温 度） –0 .1 A –2 5˚C A コレクタ電流 I C (A) –0 .4A コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) A –1 (V C E = – 4V) –15 6A – 0 .2 –5A –3 0 –4 0 –0.5 –1.0 h FE – I C 特性（代 表 例 ） Typ 50 –1 25 ˚C – 30 ˚C 50 –0.1 –0.5 –1 f T – I E 特性（代 表 例 ） 3m 10 –10 0m s s 100 s C –0.1 –3 付 –1 –0.5 板 10 D –5 m 熱 10 P c – Ta定 格 放 コレクタ電流 I C (A ) 20 1000 2000 大 遮断周波数 f T (MH Z ) 100 時間 t(ms) 限 20 10 無 Typ 1 1 130 10 エミッタ電流 I E (A) 0.1 –40 30 0.1 –10 –15 0.5 ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） (V CE = – 12V) 0 0.02 –5 1 コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) –2 3 125 ˚C 20 –0.02 –5 –10 –15 –1 θ j-a – t特 性 200 100 100 –0.5 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V C E = – 4V) 直流電流増幅率 h FE 直流電流増幅率 h FE 300 –0.1 0 –2.0 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） (V CE = – 4V) 10 –0.02 –1.5 ベース電流 I B (A) 過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W) –2 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 最大許容損失 P C (W) –1 1.4 E I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） – 3 0 C 製品質量 約6.0g イ．品名 ロ．ロット番号 V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ） –10 0 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 B RL (Ω) コレクタ電流 I C (A) 2 3 1.05 +0.2 -0.1 VCC (V) –0. ø3.2±0.1 V ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） I C – V CE 特性（代 表 例 ） 2.0±0.1 ロ − 2.0max W –15 イ 4.8±0.2 2 5 ˚C VEBO 15.6±0.4 9.6 1.8 −180 VCB＝−180V 5.0±0.2 VCEO ICBO 2.0 V 単位 4.0 −180 規格値 19.9±0.3 VCBO 外形図 MT-100(TO3P) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 4.0max 単 位 IC ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 20.0min ■絶対最大定格 用途：オーディオ、一般用 50 放熱板なし 自然空冷 –10 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150