2SC3856 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1492とコンプリメンタリ) 180 V IEBO 6 V V(BR)CEO 15 A hFE μA VEB=6V 100max μA IC=50mA 180min V VCE=4V, IC=3A 50min※ IC=5A, IB=0.5A 2.0max V 20typ MHz VCB=10V, f=1MHz 300typ pF VCE(sat) 130(Tc=25℃) W fT Tj 150 ℃ COB −55∼+150 ℃ ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) 5.45±0.1 RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 40 4 10 10 –5 1 –1 0.5typ 1.8typ 0.6typ 3 A A I B =20mA 0 0 1 2 3 0 4 0 0.5 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 1.0 1.5 0 2.0 1 2 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE =4V) 300 ース温 0 ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性 (代表 例 ) 度) ) I C =10A 5A ) 温度 5 ˚C ( ケ 1 −30 50mA 10 ース 100 mA 2 (ケ 10 5 (V CE =4V) 5˚C 300m 20 0m A コレクタ電流 I C (A) I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) 12 5 m 00 1.4 E 15 コレクタ電流 I C (A) A C 製品質量 約6.0g イ.品名 ロ.ロット番号 V CE (sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 ) コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) 1A 70 0m 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 B VCC (V) 15 2 3 1.05 +0.2 -0.1 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) I C – V CE 特性( 代 表 例 ) 2.0±0.1 ø3.2±0.1 温度 Tstg イ 4.8±0.2 ロ VCE=12V, IE=−0.5A A PC 15.6±0.4 9.6 ース 4 IB 100max C(ケ IC 単位 VCB=200V 25˚ VEBO 試 験 条 件 1.8 VCEO 記 号 5.0±0.2 ICBO 2.0 V 4.0 200 19.9±0.3 単 位 VCBO 記 号 外形図 MT-100(TO3P) (Ta=25℃) 規格値 4.0max ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 20.0min ■絶対最大定格 用途:オーディオ、一般用 (V C E =4V) 3 200 100 Typ 100 50 0.1 0.5 1 5 25 ˚C 50 – 30 ˚C 20 0.02 10 15 0.1 コレクタ電流 I C (A) 0.5 1 1 10 10 Typ 10 130 s s s 100 C 5 板 付 0.1 熱 1 0.5 放 –10 P c – Ta定 格 大 –1 0m 1000 2000 限 10 3m m 100 無 コレクタ電流 I C (A ) D 20 エミッタ電流 I E (A) 10 時間 t(ms) 40 30 遮断周波数 f T (MH Z ) 0.1 AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) (V CE =12V) –0.1 10 15 0.5 コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性 (代表 例 ) 0 –0.02 5 1 最大許容損失 P C (W) 20 0.02 過渡熱抵抗 θ j -a (˚C /W) 直流電流増幅率 h F E 直流電流増幅率 h F E 125 ˚C 50 放熱板なし 自然空冷 3 10 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 79