2SA1673 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC4388とコンプリメンタリ) IEBO VEB=−6V −10max μA −6 V V(BR)CEO IC=−50mA −180min −15 A hFE 150 Tj −55∼+150 Tstg −2.0max A VCE(sat) IC=−5A, IB=−0.5A W fT VCE=−12V, IE=0.5A 20typ MHz ℃ COB VCB=−10V, f=1MHz 500typ pF ℃ ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) V IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –40 4 –10 –10 5 –1 1 0.6typ 0.9typ 0.2typ I C – V CE 特性(代 表 例 ) A –0 .1 A (V CE = – 4V) –15 –50mA –2 –1 –10 –5 I C =–10A 12 I B =–20mA –5A –1 –2 –3 0 –4 0 –0.5 –1.0 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) h FE – I C 特性(代表例 ) Typ 50 –1 25 ˚C – 30 ˚C 50 –0.1 –0.5 –1 f T – I E 特性(代表 例 ) –10 –15 0.5 0.1 1 10 100 3m 10 –10 20 s 80 s C 板 付 放熱板なし 自然空冷 熱 –0.5 放 –1 60 大 –2 限 10 D –5 m 0m s 無 コレクタ電流 I C (A) Typ 40 20 –0.2 0.1 1 エミッタ電流 I E (A) 26 10 –0.1 –3 1000 2000 P c – Ta定 格 –40 10 0 0.02 100 時間 t(ms) AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) (V CE = – 12V) 30 遮断周波数 f T (MH Z ) –5 1 コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) –2 3 125 ˚C 20 –0.02 –5 –10 –15 –1 θ j-a – t特 性 200 100 100 –0.5 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V C E = – 4V) 直流電流増幅率 h F E 直流電流増幅率 h FE 300 –0.1 0 –2.0 h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE = – 4V) 10 –0.02 –1.5 ベース電流 I B (A) 過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W) 0 最大許容損失 P C (W) 0 製品質量 約6.5g イ.品名 ロ.ロット番号 E (ケ ース 温度 ) (ケー ス温度 ) – 0 .2 –10 –5 C 5˚C – 3.35 0.4A コレクタ電流 I C (A) 6A コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) コレクタ電流 I C (A) –0. 0.65 +0.2 -0.1 1.5 I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) – 3 A 4.4 B V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) +0.2 -0.1 5.45±0.1 1.5 RL (Ω) 0.8 2.15 5.45±0.1 VCC (V) –1 1.75 1.05 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) –15 ø3.3±0.2 イ ロ 3.0 85(Tc=25℃) PC 3.45 ±0.2 3.3 −4 IB V 50min※ VCE=−4V, IC=−3A 5.5±0.2 ) VEBO 0.8±0.2 V 15.6±0.2 5.5 μA 1.6 −10max ス温度 −180 VCB=−180V (ケー VCEO ICBO − 3 0 ˚C V 単位 2 5 ˚C −180 規格値 9.5±0.2 VCBO 外形図 FM100(TO3PF) (Ta=25℃) 試 験 条 件 記 号 23.0±0.3 単 位 IC ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 記 号 16.2 ■絶対最大定格 用途:オーディオ、一般用 –10 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150