2SA1746 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ −10max μA V IEBO VEB＝−6V −10max μA −6 V V(BR)CEO IC＝−25mA −50min V −12(パルス−20) A hFE VEBO VCE＝−1V, IC＝−5A 50min IB −4 A VCE(sat) IC＝−5A, IB＝−80mA −0.5max PC 60(Tc＝25℃) W VBE(sat) IC＝−5A, IB＝−80mA −1.2max Tj 150 ℃ fT −55∼＋150 ℃ COB Tstg 15.6±0.2 V 25typ MHz VCB＝−10V, f＝1MHz 400typ pF RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –20 4 –5 –10 5 –80 80 0.5typ 0.6typ 0.3typ 1.05 +0.2 -0.1 4.4 1.5 C E (V C E = – 1V) –12 –1.5 –10 –3A –1A –1 0 –2 –3 –4 –5 0 –3 –6 –10 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) –100 0 –1000 h FE – I C 特性（代 表 例 ） (V C E = – 1V) 25 ˚C –30 ˚C 100 –0.1 –0.5 –1 –5 50 –0.03 –10 コレクタ電流 I C (A) –0.5 –5 –1 –10 0.5 0.2 1 10 100 1000 時間 t(ms) ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） (V CE = – 12V) 温度 1 コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性（代 表 例 ） 40 –0.1 –1.5 4 過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W) 125 ˚C 直流電流増幅率 h F E 直流電流増幅率 h F E 100 –1.0 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 500 Typ –0.5 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE = – 1V) 50 –0.03 0 ベース電流 I B (mA) 500 ース （ケ 0˚C –2 –5A ） 度） 度） ス温 ス温 ケー ケー C（ –4 I C =–10A −3 I B =–10mA –2 –0.5 ˚C（ –4 –6 5˚ –30m A –8 12 –6 –1.0 25 –50mA コレクタ電流 I C (A) –8 コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V) –70mA 0 3.35 製品質量 約6.5ｇ イ．品名 ロ．ロット番号 I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） –10 コレクタ電流 I C (A) 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 B V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ） –100 mA 0.8 2.15 1.5 VCC (V) –120mA 1.75 5.45±0.1 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） –12 3.45 ±0.2 ø3.3±0.2 イ ロ V VCE＝−12V, IE＝1A I C – V CE 特性（代 表 例 ） 5.5±0.2 3.0 −50 VCB＝−70V 0.8±0.2 VCEO ICBO 5.5 V 単位 1.6 −70 規 格 値 3.3 VCBO 外形図 FM100(T03PF) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 9.5±0.2 単 位 IC ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 23.0±0.3 ■絶対最大定格 用途：チョッパレギュレータ、スイッチ、一般用 16.2 LOW VCE (sat) P c – Ta定 格 60 –30 10 0µ s s 10 1m m 熱 板 付 最大許容損失 P C (W) 放 –1 10 40 大 20 –5 限 コレクタ電流 I C (A) Typ 無 遮断周波数 f T (MH Z ) s –10 30 20 自然空冷 放熱板なし 放熱板なし 0 0.1 1 エミッタ電流 I E (A) 32 10 –0.3 –3 –10 –50 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –100 3.5 0 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150