(2 k Ω) (80Ω) E 2SB1383 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ(2SD2083とコンプリメンタリ) −120 −6 −25(パルス−40) −2 120(Tc=25℃) 150 −55∼+150 VEB=−6V −10max mA V V(BR)CEO A hFE IC=−25mA −120min VCE=−4V, IC=−12A 2000min A VCE(sat) IC=−12A, IB=−24mA − 1.8max W VBE(sat) IC=−12A, IB=−24mA − 2.5max ℃ fT ℃ COB V V V VCE=−12V, IE=1A 50typ MHz VCB=−10V, f=1MHz 230typ pF 1.05 +0.2 -0.1 RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) –24 2 –12 –10 5 –24 24 1.0typ tf (μs) 3.0typ 1.0typ 1.4 E I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE = – 4V) –25 –3 –25 C 製品質量 約6.0g イ.品名 ロ.ロット番号 V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) I C – V CE 特性(代表 例 ) –6 .0 m A –1.0mA –5 0 –1 –2 –3 –4 –5 0 –0.5 –1 –6 –10 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) –100 (V C E = – 4V) Typ 5000 1000 500 –10 –40 0˚C 1000 500 200 –0.2 –0.5 –1 –5 –10 –40 温度 1000 P c – Ta定 格 120 放 熱 板 付 –0.2 –3 大 10 限 –5 無 s s コレクタ電流 I C (A) 1m m DC –10 50 放熱板なし 自然空冷 –0.5 5 100 時間 t(ms) –1 10 エミッタ電流 I E (A) 10 100 20 1 1 –50 30 0.5 0.1 –100 Typ 40 0 0.1 0.5 ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス ) (V CE = – 12V) –2.6 1 コレクタ電流 I C (A) 10 遮断周波数 f T (MH Z ) ˚C –3 f T – I E 特性(代表 例 ) 50 C 25 コレクタ電流 I C (A) 60 5˚ 最大許容損失 P C (W) –5 12 5000 –2 2 過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W) 直流電流増幅率 h F E 10000 10000 直流電流増幅率 h F E 20000 –1 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) 20000 –1 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE = – 4V) –0.5 0 –500 ベース電流 I B (mA) h FE – I C 特性(代表 例 ) 200 –0.2 ース ス温 I B =–0.6mA 0 ) 度) ) 度 温 ス ー ケ –10 –6A −3 –5 –12A –1 –15 C( –1.5mA –2 5˚ –10 I C =–25A 12 –2.5m A コレクタ電流 I C (A) –4 .0m A –15 –20 コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V) –20 コレクタ電流 I C (A) tstg (μs) 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 B VCC (V) .0 2 3 5.45±0.1 ton (μs) –8 ø3.2±0.1 ロ ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) mA イ 2.0±0.1 (ケ Tstg IEBO 4.8±0.2 0˚C Tj V 15.6±0.4 9.6 ケー PC μA ˚C( IB −10max 25 IC VCB=−120V 1.8 VCEO ICBO 5.0±0.2 V 単位 2.0 −120 規格値 4.0 VCBO C 外形図 MT-100(TO3P) (Ta=25℃) 試 験 条 件 記 号 19.9±0.3 単 位 VEBO ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 記 号 等価回路 4.0max ■絶対最大定格 B 用途:チョッパレギュレータ、DCモータ駆動、一般用 20.0min ダーリントン –5 –10 –50 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 45