2SC3857 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1493とコンプリメンタリ) 200 V VCEO 200 単位 ICBO VCB=200V 100max μA V IEBO VEB=6V 100max μA 6 V V(BR)CEO IC=50mA 200min V 15 A hFE VEBO 5 IB VCE=4V, IC=5A 50min※ IC=10A, IB=1A 3.0max V VCE=12V, IE=−0.5A 20typ MHz VCB=10V, f=1MHz 250typ pF A VCE(sat) PC 150(Tc=25℃) W fT Tj 150 ℃ COB −55∼+150 ℃ ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) Tstg 6.0±0.2 36.4±0.3 24.4±0.2 2.1 2-ø3.2±0.1 9 21.4±0.3 規格値 7 VCBO 外形図 MT-200 (Ta=25℃) 試 験 条 件 記 号 イ ロ 2 4.0max 単 位 IC ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 記 号 20.0min ■絶対最大定格 用途:オーディオ、一般用 3 5.45±0.1 B VCC (V) RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 60 12 5 10 –5 0.5 –0.5 0.3typ 2.4typ 0.4typ 3 A (V CE =4V) A 400m 12 0 1 2 3 0 4 0 1 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 2 3 Typ 125 ˚C 25 ˚C 100 50 0.5 1 5 20 0.02 10 15 コレクタ電流 I C (A) 0.1 0.5 10 15 D 100 10ms s 120 熱 板 付 10 放 2 80 40 0.1 –10 大 放熱板なし 自然空冷 限 1 無 5 0.5 10 m s s 20 C 3m 0m コレクタ電流 I C (A) 10 Typ 1000 P c – Ta定 格 10 30 –1 10 160 20 エミッタ電流 I E (A) 1 時間 t(ms) 50 40 –0.1 0.1 AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) (V CE =12V) 80 5 0.5 コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性 (代表 例 ) 0 –0.02 1 1 最大許容損失 P C (W) 0.1 – 30 ˚C 50 ケース 2 過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W) 直流電流増幅率 h F E 直流電流増幅率 h FE (V C E =4V) 300 100 2 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) 300 1 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE =4V) 20 0.02 0 ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性(代表 例 ) 遮断周波数 f T (MH Z ) 0 4 ˚C ( 10A 5A 0 温度) 度) 5 I C =15A −30 1 ス温 I B =50mA ケー 5 10 C( 10 0m A 2 ˚C 10 5˚ 20 0m A コレクタ電流 I C (A) I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) 25 6 m 00 E 15 コレクタ電流 I C (A) 1A C 製品質量 約18.4g イ.品名 ロ.ロット番号 V CE ( sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 ) コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) 1. 5A 15 3.0 +0.3 -0.1 5.45±0.1 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) I C – V CE 特性 (代表 例 ) 0.65 +0.2 -0.1 1.05 +0.2 -0.1 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 300 5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150 2000