2008 年 3 月 サンケン電気株式会社 PPD 事業部モーター技術 2G ５相ステッピングモータードライバーコントロール IC SI‐７５１０ アプリケーションノート(Ver.3) 〔目次〕 1．はじめに ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 2頁 2．特徴 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 3．製品仕様 2頁 3‐1 絶対最大定格 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 3‐2 推奨動作条件 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 3頁 3頁 3‐3 電気的特性 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 4．限定格図 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 3頁 4頁 5．入力ロジック真理値表 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 6．内部ブロック図‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 4頁 5頁 7．ピン配列、機能表 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 8．標準外付け回路図(推奨定数) ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 5頁 6頁 9．入出力タイミングチャート及びモーターコイル励磁シーケンス 9‐1 出力タイミングチャート‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 7頁 9‐2 モーターコイル励磁シーケンス‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 10．外形寸法図、捺印 8頁 10‐1 外形図 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐-‐‐‐‐‐‐‐ 9 頁 10‐2 捺印 -‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 9 頁 11．設定電流の計算 11‐1 設定電流の計算 11‐2 パワーダウン方法 12．チョッピング動作 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 10 頁 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 10 頁 12‐1 チョッピング OFF 時間 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 11 頁 12‐2 ブランキング時間 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ ‐‐ 11 頁 12‐3 チョッピング ON 時間 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 13．出力素子(パワーMOS FET)の損失計算方法 11 頁 13‐1 損失計算に必要なパラメータ ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 12 頁 13‐2 損失計算(概算) ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 12 頁 14．使用上の注意 14－1 ノイズについて ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 14－2 電源シーケンスについて ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 14 頁 14 頁 1／14 1．はじめに 本製品は、5 相ステッピングモーター新ペンタゴン駆動専用のコントロール IC です。 励磁シーケンス回路を内蔵しているため外部から Clock(CL)を入力することでモーター を駆動できます。 出力段には、Nch パワーMOS FET アレイを使用し、SI-7510＋MOS アレイ×2 の 3 パッケージでドライバを構成します。 ※本製品で使用しています駆動方式は、オリエンタルモーター(株)殿の所有する特許が あります。このため、モーター選定には十分注意をしてご使用下さい。 2．SI－7510 の特徴 【1】主電源 Vcc1=10～42V 対応 【2】コントロール電源電圧 Vcc2 =3～5.5V 対応 【3】正転(CW)／逆転(CCW)切替え機能 【4】4 相励磁(Full)／4-5 相励磁(Half)切替え機能 【5】Enable／Disable 切替え機能 Disable 時において内部カウンタは働いているので Clock を入力するとシーケンスは 進みます。 【6】ハイサイドドライブ用チャージポンプ回路内蔵 本製品は、出力段の構成に全て Nch MOS FET を使用します。 このため、ハイサイドドライブ用としてチャージポンプ回路を内蔵しています。 【7】外付け Rt／Ct による自励方式の定電流制御を採用。 【8】最大出力電流は、ペアで使用する MOS FET アレイの定格で決まります。 出力電流 推奨 MOS FET Io=6A SLA5073＋SLA5074 Io=7A SLA5068＋SLA5065 2／14 3．製品仕様 3‐1 絶対最大定格 項目 主電源電圧 Logic 電源電圧 Logic 入力電圧 REF 入力電圧 Sense 入力電圧 チャージポンプ出力電 圧 許容損失 動作周囲温度 保存温度 ジャンクション温度 記号 Vcc1 Vcc2 VIN VREF Vsense VMC3 規格 ４4 ７ －０．３～Vcc2 －０．３～Vcc2 ２ ４8 単位 Ｖ Ｖ Ｖ Ｖ Ｖ Ｖ PD Ta Tstg Tj 1.6 －１０～８０ －２０～１50 １50 Ｗ ℃ ℃ ℃ 記号 Vcc1 Vcc2 VREF 動作範囲 １０～４2(※) ３～５．５ ０．１～１ 単位 V V V 3‐2 推奨動作条件 項目 主電源電圧 Logic 電源電圧 REF 電圧 ※Vcc1 を 35V 以上で使用する場合、Vcc1～VMC3 間に 5V のﾂｪﾅｰ Di を挿入して下さい。 3‐3 電気的特性 項目 記号 条件 Min 主電源電流 Logic 電源電流 Logic 入力電圧 Logic 入力電流 ENA 入力電流 REF 入力電流 Sense 電圧 Sense 電流 Mo 出力電圧 RC 端子スレッシュ電圧 RC 端子流出電流 チャージポンプ出力電 圧 ハイサイド出力電圧 (ゲート‐ソース間) ローサイド出力電圧 最大入力 Clock 周波数 最小入力 CL 幅(on) ﾊﾟﾜｰｵﾝﾘｾｯﾄ時間 出力遅延時間 CW/CCW,F/H 入力 ﾃﾞｰﾀｰｾｯﾄｱｯﾌﾟ時間 CW/CCW,F/H 入力 ﾃﾞｰﾀｰﾎｰﾙﾄﾞ時間 Icc1 Icc2 VIL VIH IIL IIH IENA IREF Vsense Isense VMOL VMOH VRCL VRCH IRC VMC3 VHGSL VHGSH VLGL VLGH fck TCON TPW TIO TICS TICH Vcc2=5V Vcc2=5V VIL=0V VIH=5.5V VENA=0V IENA=0~5.5V VREF=1V Vsense=0V,2V IMOL=1mA IMOH=－1mA 規格 Typ 3.75 ‐20 ‐20 ‐100 ‐20 単位 Max 25 10 1.25 20 20 20 20 1 20 1 ‐20 4 0.5 1.5 300 Vcc1+9 VRC=0V ZDi 無し 1 8.5 1 7.5 100 1 1.5 2 対 CL↑ mA mA V V μA μA μA V μA V V V V μA V V V V V kHz μs μs μs 500 ns 500 ns 3／14 4．限定格図 主電源電圧 Vcc1 (V) Load supply Voltage 45 40 35 30 25 20 15 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 周囲温度 Ta (℃) Ambient Temperature 5．入力ロジック真理値表 機能(Pin No.) Ｌ Ｈ Enable(5) Disable※1 Enable Full／Half(9) Full Half CW／CCW(10) CW CCW Reset※2 Clock Reset(11) Enable ※上記、各機能は CL 信号とは非同期に働きます。 ※1 Disable 状態において、CL を入力すると内部カウンタが働き出力シーケンスが進み ます。 ※2 Reset 時(原点)に出力が ON する相は、ハイサイド：A 相，ロウサイド：C 相、D 相 になります。 4／14 6．内部ブロック図 Vcc2 Vcc1 MC2 MC3 MC1 チャージポンプ 回路 発振器 ハイサイド ドライブ回路 OHGA OHSA OHGB OHSB OHGC OHSC OHGD OHSD OHGE OHSE ロウサイド ドライブ回路 OLA OLB OLC OLD OLE Enable MO CL F/H 励磁信号 発生器 CW/CCW Reset RC 定電流 回路 Ref Sense Gnd 7．ピン配列、機能表 Pin 番号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 記号 MC1 MC3 MC2 Vcc1 Enable Vcc2 MO CL F／H CW／CCW Reset RC Ref Sense Gnd VOLE VOLD VOLC VOLB VOLA VOHSE VOHGE VOHSD VOHG VOHSC VOHGC VOHSB VOHGB VOHSA VOHGA 機能 ﾁｬｰｼﾞﾎﾟﾝﾌﾟ用ｺﾝﾃﾞﾝｻ接続端子(対 MC2) ﾁｬｰｼﾞﾎﾟﾝﾌﾟ用ｺﾝﾃﾞﾝｻ接続端子(対 Gnd) ﾁｬｰｼﾞﾎﾟﾝﾌﾟ用ｺﾝﾃﾞﾝｻ接続端子(対 MC1) 主電源電圧入力 出力 OFF Logic 電圧入力 ﾓｰﾀｰ位置検出用ﾓﾆﾀｰ ｸﾛｯｸ 4Φ，4‐5Φ切替 正転，逆転切替 ﾘｾｯﾄ ﾁｮｯﾋﾟﾝｸﾞ OFF 時間設定用 RC 接続 ﾓｰﾀｰ電流設定用基準電圧入力 ﾓｰﾀｰ電流検出用 Gnd ﾛｳｻｲﾄﾞ MOS FET ｹﾞｰﾄ接続端子(E 相) ﾛｳｻｲﾄﾞ MOS FET ｹﾞｰﾄ接続端子(D 相) ﾛｳｻｲﾄﾞ MOS FET ｹﾞｰﾄ接続端子(C 相) ﾛｳｻｲﾄﾞ MOS FET ｹﾞｰﾄ接続端子(B 相) ﾛｳｻｲﾄﾞ MOS FET ｹﾞｰﾄ接続端子(A 相) ﾊｲｻｲﾄﾞ MOS FET ｿｰｽ接続端子(E 相) ﾊｲｻｲﾄﾞ MOS FET ｹﾞｰﾄ接続端子(E 相) ﾊｲｻｲﾄﾞ MOS FET ｿｰｽ接続端子(D 相) ﾊｲｻｲﾄﾞ MOS FET ｹﾞｰﾄ接続端子(D 相) ﾊｲｻｲﾄﾞ MOS FET ｿｰｽ接続端子(C 相) ﾊｲｻｲﾄﾞ MOS FET ｹﾞｰﾄ接続端子(C 相) ﾊｲｻｲﾄﾞ MOS FET ｿｰｽ接続端子(B 相) ﾊｲｻｲﾄﾞ MOS FET ｹﾞｰﾄ接続端子(B 相) ﾊｲｻｲﾄﾞ MOS FET ｿｰｽ接続端子(A 相) ﾊｲｻｲﾄﾞ MOS FET ｹﾞｰﾄ接続端子(A 相) 5／14 8．標準外付け回路図(推奨定数) C1 C2 24V Io=VRS/Rs IOM=Io/2 5V Vcc2 6 MC1 MC2 3 1 2 MC3 Vcc1 4 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 C4 5 MO 7 CL 8 F/H 9 CW/CCW 10 Reset 11 SI-7510 ﾛｼﾞｯｸ信号 入出力 Enable R3 R1Ref C3 20 19 18 R2 15 RC Ct Gnd Rt 4 5 10 15 3 9 1 7 14SLA5073 8 12 2 13 6 11 ※IOM：ﾓｰﾀｰｺｲﾙ電流 tOFF=1.1*Rt*Ct 5相SPM 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 13 12 OHGA OHSA OHGB OHSB OHGC OHSC OHGD OHSD OHGE OHSE OLA OLB OLC 4 3 17 16 OLD OLE 14 Sennse 11～15pinはNC 5 9 7 SLA5074 10 2 6 1 8 Rs Io R1=510Ω R2=100Ω(VR) R3=20KΩ Rs=0.33Ω(1～2W) Rt=15～75KΩ Ct=420～1100pF C1=2200pF C2=0.01μF C3=0.1μF C4=0.01μF ☆Vcc ラインのノイズに注意して下さい。 Vcc ラインのノイズが 0.5V 以上になると製品が誤動作する場合があります。 6／14 9．入出力タイミングチャート及びモーターコイル励磁シーケンス 9‐1 入出力ﾀｲﾐﾝｸﾞﾁｬｰﾄ CL Reset Enable CW/CCW F/H OHA OHB OHC OHD OHE OLA OLB OLC OLD OLE MO 0 Reset CL Reset Enable CW/CCW F/H OHA OHB OHC OHD OHE OLA OLB OLC OLD OLE MO 5 10 15 CW,Full 75 80 85 20 25 30 35 CCW,Full 90 95 100 40 45 50 60 65 70 75 CW,Half CCW,Half 105 55 110 ＊各入力信号切替え条件 CL CW/CCW F/H 切替え禁止範囲 切替え禁止範囲 500ns 500ns 切替え可能範囲 CW,Half Disable CCW,Full Disable Reset 7／14 8／14 ４-５相励磁 Half Step ４相励磁 Full Step 励磁方式 B B B E B C C C E B 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ B C 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A A E C １１ D D 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ １０ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ D D E B E B C C 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A １２ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A A A C 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ ２ D B １ D E A ２ ０(原点) C 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A A 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ １ ０(原点) D D D E E E B B B C C C 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A １３ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A ３ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A ３ CCW D D D E E E B B B C C C E B B C C C 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A ６ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A D D E B A C C 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A ５ D E A B B C 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ １６ E E B A ６ １５ D D D E A ５ １４ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A ４ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A ４ 9‐2 モーターコイル励磁シーケンス D D D E E E B B B CW C C C 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A １７ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ D D B E B C C 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A １８ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A C 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A E B ８ D E A ８ ７ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A ７ D D D E E E B B B C C C 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A １９ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A ９ 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ A ９ D D D E E E 10．外形寸法図、捺印 SI‐7510 は、Pin ピッチが 1.778mm の Dip タイプの IC です。 10－1 外観図 27.10(1.067) 27.10max(1.106max) 16 8.80(0.346) 10.0max (0.394max) 30 1 15 1.778±0.25 (0.007±0.010) 10.16 (0.400) 2.54min 5.08max (0.100min) (0.200max) 0.51min(0.020min) 1.0(0.039) 0.48±0.1 (0.019±0.004) 0.25 +0.11 -0.05 (0.010 +0.004 -0.002 ) 0°～15° 10－2 捺印 (1) (2) (3) (4) SK JAPAN SI-7 510 カラム 項目 仕様 (1) 年コード 西暦下１桁 (2) 月コード 月 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 O N D (3) 管理コード 1～9, 0 の数字 (4) 管理コード 1～9，0 の数字 ○年，月，はマーク捺印時で設定。 9／14 11．設定電流の計算 11‐1 設定電流の計算 図 11.1 は、Reset 時(励磁原点)におけるモー IOM ター電流経路を示しています。 本製品は、トータール電流制御を行っている Io=2×IOM 又、検出電圧 VRS と比較する基準電圧 VREF のデバイダー比率は 1：1 になっていますので 設定電流 Io は、以下の式で表されます。 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ IOM 2×IOM ため設定電流 Io とモーターコイル電流 IOM の 関係は、以下のようになります。 IOM IOM IOM Vcc1 ON A B C ON SI-7510へ 検出抵抗 Rs (図 9.2 参照) Io=VREF／RS D E ON IO 図 11.1 モーター電流経路 VREF=Vcc2×r2／(r1＋r2) 11‐2 パワーダウン方法 モーターホールド時等にモータートルクを パワーダウンする場合、図 11.2 のように rx と Tr.の回路を追加しすます。 Vcc2 SI-7510 r1 この設定電流 Iopd の計算式を以下に示します。 Iopd= 1 Vcc2 ・ r1(r2+rx) Rs 1+ r2･rx なお、上記計算式には、トランジスタの飽 和電圧は考慮されていません。 Ref(13) rx ﾊﾟﾜｰﾀﾞｳﾝ 信号 r2 Tr. Rs(14） VREF Rs 図 11.2 電流設定回 10／14 12．チョッピング動作 図 12.1 にチョッピング動作時の各端子の動作 波形、図 12.2 にチョッピング動作時の電流経路 を示します(実線：チョッピング ON 電流 ION， ﾁｮｯﾋﾟﾝｸﾞON時間 ﾌﾞﾗﾝｷﾝｸﾞ時間 点線：チョッピング OFF 電流 IOFF)。 12‐1 チョッピング OFF 時間 本製品は、チョッピング動作のうちチョッ 1.5V RC端子電圧 Vrc 0.5V ﾘﾝｷﾞﾝｸﾞﾉｲｽﾞ ピング OFF 時間を制御しています。チョッピ ング OFF 時間は、RC 端子に接続します Rt／ Ct の時定数により決定され、RC 端子電圧が 約 1.5V から約 0.5V に減少するまでの時間に 基準電圧Vref 検出電圧 Vrs 0 なります。 ・チョッピング OFF 時間 tOFF の計算式 tOFF ≒1.1×Rt×Ct Rt=15～75KΩ，Ct=420～1100pF(推奨値) ﾁｮｯﾋﾟﾝｸﾞ0FF時間 設定電流Io 12‐2 ブランキング時間 IOFF ION ﾓｰﾀｰ電流 Io 0 図 12.1 ﾁｮｯﾋﾟﾝｸﾞ動作波形 Rt／Ct は、ブランキング時間 tBRK について も関係しております。ブランキング時間は、チョ ッピング動作にて OFF から ON に動作した際に 発生するリンギングノイズによる誤動作を防ぎま Vcc1 す。ブランキング時間は RC 端子電圧が約 0.5V から約 1.5V に増加するまでの時間になります。 IOFF RC 端子電圧が増加する際には RC 端子から約 200μA の電流が流れ出ます。 ・ブランク時間 tBRK の計算式 tBRK≒Ct／(200×10 ‐ 6) なお、ブランキング時間内では基準電圧より検出 電圧が高くなっても電源制御回路は動作せずに常 に ON 状態となります。このため Ct の定数が大 きすぎると出力電流値を小さく設定しようとした 際に設定値まで下がらなくなる可能性があります。 また、Ct の定数が小さすぎるとリンギングノイズ ON IOFF ION 新ﾍﾟﾝﾀｺﾞﾝ 5相ﾓｰﾀｰ OFF OFF ION ON⇔OFF ION ON⇔OFF 検出抵抗 Rs ION IOFF 図 12.2 チョッピング電流経路 による誤動作の原因になります。 12‐3 チョッピング ON 時間 本製品の場合は、チョッピング ON 時間は、主電源電圧 Vcc1，モーター時定数及び チョッピング OFF 時間等により決定されます 尚、モーター回転実動作時において、モーターコイルのインダクタンス成分は磁束を 横切ることで常に変化するため、チョッピング ON 時間が変動します。 11／14 13．出力素子(パワーMOS FET)の損失計算方法 SI‐7510 は、出力段にパワーMOS FET を接続しモーターを駆動します。 このパワーMOS FET の概略損失計算方法を以下に示します。尚、この計算方法は近似式 であり実動作時のパラメータ変動等の要素は考慮されていません。このため、最終的な判断 として実動作におけるパワーMOS FET の発熱を確認して下さい。 13‐1 損失計算に必要なパラメータ パワーMOS FET の損失を算出するには、以下のパラメータが必要になります。 ①制御電流 IOM(電流リップルの平均) ②励磁方式 ③電流制御時のチョッピング時間：tON，tOFF ④パワーMOS FET の ON 抵抗：RDS(ON) ⑤パワーMOS FET のボディーDi 順方向電圧 VSD ここで、④，⑤は使用されるパワー MOS FET の仕様上の最大値を使用してください。 又、③は実動作にて確認が必要になります。 13‐2 損失計算(概算) 以下に各励磁方式における各相の損失状態を示します。 ※MOS アレイに SLA5073(3ch 分)と SLA5074(2ch 分) を用いた場合を例に示します。 下記状態の表中に記載している各記号の損失は下記の式で表されます。 ・H1 = IO2×RDS(ON) [W] ・H2 = IOM2×RDS(ON) [W] ・L1 = IO2×RDS(ON)×tON/(tON +tOFF)＋IO×VSD×tOFF/(tON +tOFF) [W] ・L2 = IOM2×RDS(ON) ×tON/(tON +tOFF)＋IOM×VSD ×tOFF/(tON+tOFF) [W] ※IO = IOM×2 倍 (Io=Vref÷Rs) tON 対 tOFF の比率＝1：5 （概算） 4 相励磁(フルステップ) 原点 B C Step SLA5073 SLA5074 A H1 D 1 B C A L2 H2 H2 E L2 A D L1 E 2 B C A H1 D E L2 L2 3 B C A 4 B H2 H2 L2 D E L1 D C A 5 B H1 L1 E D L2 H2 C A 6 B C A H2 L2 L2 E D H1 E 7 B C L1 D E H2 H2 8 B A C A 9 B L2 L2 H2 D E H1 D C L1 E H2 ホールド時の損失：任意に停止した Step 箇所の損失について算出してください。 例)原点でホールドした場合 ・SLA5073 の損失：H1＋L2 [W] ・SLA5074 の損失：L2 [W] 回転時の損失：平均損失として求めます。 ・SLA5073 の損失：(H1×3＋H2×6＋L1×3＋L2×6)÷10 [W] ・SLA5074 の損失：(H1×2＋H2×4＋L1×2＋L2×4)÷10 [W] 12／14 4‐5 相励磁(ハーフステップ) 原点 B C Step SLA5073 SLA5074 A H1 SLA5074 C L2 H1 D E E L1 10 B C A L1 A E H2 2 B C A D 11 B C D H1 A E D C D E A 12 B C A D H1 C E 13 B C A E E H2 H2 C A H1 D E A 15 B C D E C A 7 B E A D 16 B C H1 E H1 8 B A E C A 9 B H1 L1 D L1 E C H1 D E A 19 B C L2 A 17 B C D E L2 L2 D C H1 L2 L1 L1 D 6 B H2 H2 L1 L1 D H1 14 B C 5 B A L2 L2 L1 E 4 B H1 D L1 L2 L2 E 3 B H1 L1 H2 L1 D A H2 H2 D L2 Step SLA5073 1 B A A 18 B C L1 H2 L1 H1 D H1 E D L1 E H2 ホールド時の損失：任意に停止した Step 箇所の損失について算出してください。 例)原点でホールドした場合 ・SLA5073 の損失：H1＋L2 [W] ・SLA5074 の損失：L2 [W] 回転時の損失：平均損失として求めます。 ・SLA5073 の損失：(H1×9＋H2×6＋L1×9＋L2×6)÷20 [W] ・SLA5074 の損失：(H1×6＋H2×4＋L1×6＋L2×4)÷20 [W] 又、各パワーMOS アレイの許容損失を以下に示します。 ・No Fin 時 SLA5073 … 5W Θj-a=25℃/W ・無限大放熱板使用時 SLA5074 … 4.8W Θj-a=26℃/W SLA5073 … 30W Θj-c=4.17℃/W SLA5074 … 25W Θj-a=5℃/W 算出した損失と許容損失及び下記の限定各図を参考に放熱板を選定して下さい。 6 許容損失P(W) 5 4 各 No Fin 3 2 1 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 周囲温度Ta(℃) SLA5073，SLA5074 の放熱板を決定する際は、必ず実動作にて製品の温度を確認 して下さい。上記、損失の算出値は近似値であるため誤差が含まれております。 なお、最悪条件において SLA5073，SLA5074 の裏面 AlFin 温度が 100℃以下になる ように放熱板を選定して下さい。 SLA5073，SLA5074 の詳細な内容については、各製品仕様書を参照して下さい。 13／14 14．使用上の注意 14－1 ノイズについて Vcc2 やロジック入力にノイズが重畳すると、内部シーケンサがノイズに反応し シーケンスとびを生じる可能性がありますので十分ノイズの発生には注意して 下さい。 14‐2 電源シーケンスについて SI-7510 をご使用の際は、電源を落とす際には、Vcc1 を先に落とすことをお奨め 致します。 Vcc2 を先に落とすと、SI-7510 の出力段が MOS ゲートに蓄えられた電荷が抜け切る 前にハイインピーダンスとなり、MOS ゲートの電荷が自然放電する間 MOSFET が オンします。この間、過電流が生じますので注意する必要があります。 14／14 お問い合わせ先 ●東京事務所 〒１７１－００２１ 東京都豊島区西池袋１－１１－１(メトロポリタンプラザビル) TEL：０３－３９８６－６１６６ ●大阪支店 〒５３０－００５７ 大阪市北区曽根崎２－１２－７(梅田第一ビル) TEL：０６－６３１２－８７１６ ●名古屋営業所 〒４５０－０００２ 名古屋市中村区名駅４－２６－２２(名駅ビル) TEL：０５２－５８１－２７６７ ●九州営業所 〒８１２－００１１ 福岡市博多区博多駅前２－２－１(福岡センタービル) TEL：０９２－４１１－５８７１