デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM34806AA-N ■概要 ■特長 ELM34806AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Vds=40V ・ Id=7A MOSFET です。 ・ Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 40 V ±20 V 7 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接続温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg A 6 40 A 2.0 1.3 -55 ～ 150 3 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja 定常状態 ■端子配列図 Typ. Max. 62.5 単位 ℃/W 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE1 2 3 4 GATE1 SOURCE2 GATE2 5 6 7 DRAIN2 DRAIN2 DRAIN1 8 DRAIN1 4-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM34806AA-N ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss 40 V Vds=32V, Vgs=0V 1 Vds=30V, Vgs=0V Ta=55℃ 10 ゲート漏れ電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=10V, Id=7A Vgs=4.5V, Id=6A 21 30 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=10V, Id=5A 24 ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=Is, Vgs=0V パルス電流 動的特性 入力容量 Ism 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 Ciss Coss Crss Vgs=0V, Vds=10V f=1MHz Qg Qgs Qgd Vgs=5V, Vds=20V, Id=7A td(on) tr Vgs=10V, Vds=20V td(off) Id=1A, Rgen=6Ω ターン ・ オフ立ち下がり時間 tf 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 trr Qrr If=5A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 1.0 20 μA ±100 nA 1.5 3.0 V A 28 42 1 mΩ 1 S 1 1 1.3 V A 1 2.6 A 3 790 pF 175 65 pF pF 16.0 nC 2 2.5 2.1 nC nC 2 2 2.2 4.4 7.5 15.0 11.8 21.3 ns ns ns 2 2 2 11.0 20.0 ns 2 15.5 7.9 ns nC NIKO-SEM P2804HVG Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOP-8 Lead-Free デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM34806AA-N ■標準特性と熱特性曲線 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V T A = 125° C Is - Reverse Drain Current(A) 10 25° C 1 -55° C 0.1 0.01 0.001 0 0.4 0.2 0.6 0.8 1.0 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 1.4 4-3 3 AUG-19-2004 NIKO-SEM Dual N-Channel Enhancement Mode デュアルパワー N チャンネル Field Effect TransistorMOSFET ELM34806AA-N 4-4 P2804HVG SOP-8 Lead-Free