elm36800ea

デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM36800EA-S
■概要
■特長
ELM36800EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Vds=30V
・ Id=3.5A
MOSFET です。
・ Rds(on) < 68mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 98mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
±20
V
3.5
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接続温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
2.8
10
A
1.15
0.73
-55 ～ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
最大接合部 - リード
定常状態
Rθja
Max.
110
単位
℃/W
150
℃/W
80
℃/W
Rθjl
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
Typ.
備考
■回路
端子番号
1
2
端子記号
GATE1
SOURCE2
3
4
5
GATE2
DRAIN2
SOURCE1
6
DRAIN1
4-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM36800EA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
30
V
Vds=24V, Vgs=0V
1
Vds=20V, Vgs=0V
Ta=55℃
10
ゲート漏れ電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=10V, Id=3.5A
Vgs=4.5V, Id=2A
55
75
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=5V, Id=3.5A
4.5
ダイオード順方向電圧
動的特性
Vsd
If=0.8A, Vgs=0V
入力容量
出力容量
帰還容量
Ciss
Coss
Crss
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
ゲート - ドレイン電荷
Qgd
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
Vgs=0V, Vds=15V
f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V
Id=3.5A
td(on)
Vgs=10V, Vds=15V
tr
Id=1A, RL=15Ω
td(off)
Rgen=6Ω
tf
trr
If=0.8A, dlf/dt=100A/μs
備考 :　1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1％
4-2
1.0
10
μA
±100 nA
1.5 2.5
V
A
68
98
1
mΩ
1
S
1
1.2
V
1
200
40
20
240
pF
pF
pF
6.5
1.2
8.5
nC
nC
2
2
nC
2
1.6
7
12
11
18
ns
ns
2
2
12
7
40
18
11
80
ns
ns
ns
2
2
N チャンネル MOSFET P6803HAG
NIKO-SEM デュアルパワー
Dual N-Channel Enhancement Mode
TSOP-6
Lead-Free
ELM36800EA-S
Field
Effect Transistor
■標準特性と熱特性曲線
ID, Drain-source current(A)
VGS= 10V
6.0V
RDS(ON), Normalized
Drain-source on-resistance
On-Region Characteristics.
10
4.5V
8
4.0V
6
4
3.5V
2
3.0V
0
0
1
On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
2
1.8
VGS= 4.0V
1.6
4.5V
1.4
5.0V
1.2
6.0V
7.0V
1
10V
0.8
2
0
4
3
2
VGS, Drain-Source Voltage(V)
4
6
8
10
ID, Drain Current(A)
On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage.
1.6
ID= 3.5A
VGS= 10V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
0.275
RDS(ON), On-resistance(OHM)
DS(ON)
R
, Normalized
Drain-source on-resistance
On-Resistance Variation with Temperature.
0.175
0.125
0
25
75
50
100
125
TA= 125°C
TA= 25°C
0.075
0.025
-25
ID=2A
0.225
150
4
2
TJ, Junction Temperature(°C)
Is, Reverse Drain Current (A)
10
ID, Drain Current(A)
125°C
TA= -55°C
8
25°C
6
4
2
0
1
2
3
4
8
10
Body Diode Forword Voltage Variation with
Source Current and Temperature.
Transfer Characteristics.
VDS= 5V
6
VGS, Gate to Source Voltage(V)
5
VGS, Gate to Source Voltage(V)
6
VGS= 0V
1
TA= 125°C
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
0.0001
0
3
4-3
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VSD, Body Diode Forword Voltage(V)
OCT-12-2005
1.4
N チャンネル MOSFET P6803HAG
NIKO-SEM デュアルパワー
Dual N-Channel Enhancement Mode
TSOP-6
Lead-Free
ELM36800EA-S
Field
Effect Transistor
Capacitance Characteristics
Gate-Charge Characteristics
10
ID = 3.5A
400
15V
VDS= 5V
Capacitance(pF)
8
VGS (Voltage)
10V
6
4
2
300
200
1
2
3
4
6
5
Coss
100
0
0
Ciss
Crss
0
7
0
5
10
Qg (nC)
25
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation.
5
30
100
us
10
S (O
RD
3
T
IMI
N)L
4
1m
s
10m
s
1
100
ms
1s
DC
0.3
VGS= 10V
SINGLE PULSE
R¿ JA=150°C/W
TA=25°C
0.1
0.03
0.1
0.3
1
Power(W)
ID, Drain Current(A)
20
VGS (Voltage)
Maximum Safe Operating Area.
0.01
15
3
2
VGS= 10V
SINGLE PULSE
R¿ JA=150°C/W
TA=25°C
1
3
10
30
0
0.01
50
VDS, Drain-Source Voltage(V)
0.1
1
10
100
300
Single pulse time(SEC)
D=0.5
0.5
P(pk)
r(t), Normalized Effective
Transient Thermal Resistance
Transient Thermal Response Curve.
1
0.2
0.2
0.1
0.05
0.05
0.02
R¿ JA(t) = r(t) * R¿ ��
R¿ JA=150°C/W
TJ-TA=P*R¿ JA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.0001
t1
t2
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 Time(Sec)
4
4-4
OCT-12-2005
300