デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM34812AA-N ■概要 ■特長 ELM34812AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Vds=20V ・ Id=7A MOSFET です。 ・ Rds(on) < 21mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 20 V ±12 V 7 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接続温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg A 6 38 A 2.0 1.3 -55 ～ 150 3 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja 定常状態 ■端子配列図 Typ. Max. 62.5 単位 ℃/W 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE1 2 3 4 GATE1 SOURCE2 GATE2 5 6 7 DRAIN2 DRAIN2 DRAIN1 8 DRAIN1 4-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM34812AA-N ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss 1 Vds=16V, Vgs=0V Ta=55℃ 10 Igss Vds=0V, Vgs=±12V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 15 21 37 Gfs Vds=5V, Id=7A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=1A, Vgs=0V パルス電流 動的特性 入力容量 Ism 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 Coss Crss Qg Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=10V f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V Id=7A td(on) tr Vgs=4.5V, Vds=10V td(off) Id=1A, Rgen=6Ω ターン ・ オフ立ち下がり時間 tf 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 trr Qrr 0.5 15 If=5A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 μA ±100 nA 0.8 1.2 V A Vgs=4.5V, Id=7A Vgs=2.5V, Id=6A 順方向相互コンダクタンス 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 V Vds=16V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 Ciss 20 21 35 mΩ 1 S 1 1.2 1.3 V A 1 2.5 A 3 1082 pF 277 130 pF pF 12 1 19 2 3 nC 2 nC nC 2 2 8 8 24 16 16 38 ns ns ns 2 2 2 8 16 ns 2 15.5 7.9 ns nC NIKO-SEM Dual N-Channel Enhancement Mode デュアルパワー N チャンネル Field Effect TransistorMOSFET ELM34812AA-N P2002IVG SOP-8 Lead-Free ■標準特性と熱特性曲線 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 Is , Reverse Drain Current(A) V GS = 0V 10 T A= 125° C 1 25°C 0.1 -55°C 0.01 0.001 0.0001 3 4-3 0 0.2 0.4 0.6 0.8 VSD , Body Diode Forward Voltage (V) 1.0 MAY-19-2005 1.2 NIKO-SEM デュアルパワー N チャンネル MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ELM34812AA-N 4 4-4 P2002IVG SOP-8 Lead-Free MAY-19-2005